Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Manufacturer from China
Miembro activo
6 Años
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Interruptor del transistor de 3DD13003 NPN, disipación del colector de los transistores 1.25W de la serie de la extremidad

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrDavid Lee
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Interruptor del transistor de 3DD13003 NPN, disipación del colector de los transistores 1.25W de la serie de la extremidad

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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :3DD13003
VCBO :700v
VCEO :400V
Emitter-Base Voltage :9V
Product name :semiconductor triode type
Collector Dissipation :1.25W
Type :Triode Transistor
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TO-251-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores 3DD13003 (NPN)

 

CARACTERÍSTICA
 

Usos de la transferencia del poder

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Tun =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCBO Voltaje de la Colector-base 700 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor 400 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base 9 V
IC Corriente de colector - continua 1,5 A
PC Disipación del colector 1,25 W
TJ, Tstg Temperatura del empalme y de almacenamiento -55~+150

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario


 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO Ic= 1mA, IE=0 700     V
voltaje de avería del Colector-emisor (BR) CEO V Ic= 10 mA, IB=0 400     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO ES DECIR = 1mA, IC=0 9     V
Corriente de atajo de colector ICBO VCB= 700V, ES DECIR =0     1 mA
Corriente de atajo de colector ICEO VCE= 400V, IB=0     0,5 mA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB= 9 V, IC=0     1 mA

 

Aumento actual de DC

hFE (1) VCE= 5 V, IC= 0,5 A 8   40  
  hFE (2) VCE= 5 V, IC= 1.5A 5      
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (sentado) IC=1A, IB= 250 mA     0,6 V
Voltaje de saturación del emisor de base VBE (sentado) IC=1A, IB= 250mA     1,2 V
Voltaje del emisor de base VBE IE= 2A     3 V

 

Frecuencia de la transición

 

pie

VCE=10V, Ic=100mA

f =1MHz

 

5

   

 

Megaciclo

Tiempo de caída tf IC=1A, IB1=-IB2=0.2A VCC=100V     0,5 µs
Tiempo de almacenamiento ts IC=250mA 2   4 µs

 

 

CLASIFICACIÓN de hFE1

Fila              
Gama 8-10 10-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 

CLASIFICACIÓN de tS

 

Fila A1 A2 B1 B2
Gama 2-2.5 (μs) 2.5-3 (μs) 3-3.5 (μs) 3.5-4 (μs)
         

 


Características típicas

 

 Interruptor del transistor de 3DD13003 NPN, disipación del colector de los transistores 1.25W de la serie de la extremidadInterruptor del transistor de 3DD13003 NPN, disipación del colector de los transistores 1.25W de la serie de la extremidadInterruptor del transistor de 3DD13003 NPN, disipación del colector de los transistores 1.25W de la serie de la extremidad
 

 

Dimensiones del esquema del paquete TO-92

 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Mínimo. Máximo. Mínimo. Máximo.
A 2,200 2,400 0,087 0,094
A1 1,050 1,350 0,042 0,054
B 1,350 1,650 0,053 0,065
b 0,500 0,700 0,020 0,028
b1 0,700 0,900 0,028 0,035
c 0,430 0,580 0,017 0,023
c1 0,430 0,580 0,017 0,023
D 6,350 6,650 0,250 0,262
D1 5,200 5,400 0,205 0,213
E 5,400 5,700 0,213 0,224
e 2,300 TIPO. 0,091 TIPOS.
e1 4,500 4,700 0,177 0,185
L 7,500 7,900 0,295 0,311

 

 

 

 

 

Carro de la investigación 0