Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad
VCBO	Voltaje de la Colector-base	600	V
VCEO	Voltaje del Colector-emisor	400	V
VEBO	Voltaje de la Emisor-base	6	V
I_C	Corriente de colector - continua	0,8	A
P_C	Disipación de poder del colector	0,9	W
T_J	Temperatura de empalme	150	℃
Tstg	Temperatura de almacenamiento	-55 ~ 150	℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

Parámetro	Símbolo	Condiciones de prueba	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
voltaje de avería de la Colector-base	V (BR) CBO	I_C=100μA, ES DECIR =0	600			V
voltaje de avería del Colector-emisor	(BR) CEO V	I_C=1mA, I_B=0	400			V
voltaje de avería de la Emisor-base	V (BR) EBO	ES DECIR = 100μA, I_C=0	6			V
Corriente de atajo de colector	ICBO	V_CB= 600V, ES DECIR =0			100	µA
	ICEO	V_CE= 400V, I_B=0			100	µA
Corriente del atajo del emisor	IEBO	V_EB= 6 V, I_C=0			100	µA
Aumento urrent de DC c	hFE1	V_CE= 10 V, I_C=200mA	9		40
	hFE2	V_CE= 10 V, I_C=0.25mA	5
voltaje de saturación del Colector-emisor	VCE (sentado)	I_C=200mA, I_B=40mA			0,5	V
Voltaje de saturación del emisor de base	VBE (sentado)	I_C=200mA, I_B=40mA			1,1	V
Frecuencia de la transición	f_T	V_CE=10V, I_C=100mA f =1MHz	5			Megaciclo
Tiempo de caída	t_f	I_C=1A, I_B1=-IB2=0.2A V_CC=100V			0,5	µs
Tiempo de almacenamiento	t_s				2,5	µs

CLASIFICACIÓN DE_FEde h₍₂₎

Gama

9-15

15-20

20-25

25-30

30-35

35-40

Características típicas

Dimensiones del esquema del paquete TO-92

Símbolo	Dimensiones en milímetros		Dimensiones en pulgadas
	Minuto	Máximo	Minuto	Máximo
A	3,300	3,700	0,130	0,146
A1	1,100	1,400	0,043	0,055
b	0,380	0,550	0,015	0,022
c	0,360	0,510	0,014	0,020
D	4,300	4,700	0,169	0,185
D1	3,430		0,135
E	4,300	4,700	0,169	0,185
e	1,270 TIPO		0,050 TIPOS
e1	2,440	2,640	0,096	0,104
L	14,100	14,500	0,555	0,571
Φ		1,600		0,063
h	0,000	0,380	0,000	0,015

Voltaje de saturación bajo del circuito VCEO 400V del transistor de poder más elevado 3DD13002B

Transistor de poder del Mosfet

Transistores de poder de la extremidad

Transistor de poder del silicio

Diodo que cambia dual

Mos Field Effect Transistor

Mosfet en doble canal

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

Diodo Zener del poder

Puente rectificador de Schottky

Diodo de rectificador de alto voltaje

Triodo del semiconductor

Estabilizador IC del voltaje

Voltaje de saturación bajo del circuito VCEO 400V del transistor de poder más elevado 3DD13002B

CLASIFICACIÓN DE_FEde h₍₂₎

gds vci failure

gds vci v15

2sc5200 equivalent transistor

Voltaje de saturación bajo del circuito VCEO 400V del transistor de poder más elevado 3DD13002B

Transistor de poder del Mosfet

Transistores de poder de la extremidad

Transistor de poder del silicio

Diodo que cambia dual

Mos Field Effect Transistor

Mosfet en doble canal

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

Diodo Zener del poder

Puente rectificador de Schottky

Diodo de rectificador de alto voltaje

Triodo del semiconductor

Estabilizador IC del voltaje

Voltaje de saturación bajo del circuito VCEO 400V del transistor de poder más elevado 3DD13002B

CLASIFICACIÓN DEFEde h(2)

gds vci failure

gds vci v15

2sc5200 equivalent transistor

CLASIFICACIÓN DE_FEde h₍₂₎