Name: Tipo del triodo del semiconductor del silicio de los transistores de poder de la extremidad de TO92 A42
Brand: Hua Xuan Yang
Price: 1 USD

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Place of Origin :ShenZhen China

Brand Name :Hua Xuan Yang

Certification :RoHS、SGS

MOQ :1000-2000 PCS

Price :Negotiated

Packaging Details :Boxed

Delivery Time :1 - 2 Weeks

Payment Terms :L/C T/T Western Union

Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day

Model Number :TO-92 A42

VCBO :310V

VCEO :305V

VEBO :5V

Product name :silicon semiconductor triode type

Tj :150℃

Case :Tape/Tray/Reel

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TO-92 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores A42 (NPN)

CARACTERÍSTICA

Alto voltaje

MARCADO

Código de A42=Device
El sólido dot=Green el dispositivo compuesto que moldea, si ninguno, el dispositivo normal
Z=Rank del hFE
XXX=Code

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número de parte	Paquete	Método del embalaje	Cantidad del paquete
A42	TO-92	Bulto	10000
A42-TA	TO-92	Cinta	2000

GRADOS MÁXIMOS (T_un =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad
VCBO	Voltaje de la Colector-base	310	V
VCEO	Voltaje del Colector-emisor	305	V
VEBO	Voltaje de la Emisor-base	5	V
I _C	Colector Curren t - continuo	200	mA
I CM	Corriente de colector - pulsada	500	mA
P_C	Disipación de poder del colector	625	mW
T_J	Temperatura de empalme	150	℃
Tstg	Temperatura de almacenamiento	-55-150	℃
RӨJA	Resistencia termal, empalme a ambiente	200	℃ /mW
RӨJC	Resistencia termal, empalme al caso	83,3	℃ /mW

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

Parámetro	Símbolo	Condiciones de prueba	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
voltaje de avería de la Colector-base	V (BR) CBO	I_C=100uA, ES DECIR =0	310			V
voltaje de avería del Colector-emisor	(BR) CEO V	I_C=1mA, I_B=0	305			V
voltaje de avería de la Emisor-base	V (BR) EBO	ES DECIR =100ΜA, I_C=0	5			V
Corriente de atajo de colector	ICBO	V_CB=200V, ES DECIR =0			0,25	μA
Corriente del atajo del emisor	IEBO	V_EB=5V, I_C=0			0,1	μA
Aumento actual de DC	hFE (1)	V_CE=10V, I_C=1mA	60
	hFE (2)	V_CE=10V, I_C=10mA	80		250
	hFE (3)	V_CE=10V, I_C=30mA	75
voltaje de saturación del Colector-emisor	VCE (sentado)	I_C=20mA, I_B=2mA			0,2	V
Voltaje de saturación del emisor de base	VBE (sentado)	I_C=20mA, I_B=2mA			0,9	V
Frecuencia de la transición	f_T	V_CE=20V, I_C=10mA, f=30MH_Z	50			Megaciclo

CLASIFICACIÓN DE_FEde h₍₂₎

FILA	A	B	C
GAMA	100-150	150-200	200-300

Características típicas

Dimensiones del esquema del paquete

Símbolo	Dimensiones en milímetros		Dimensiones en pulgadas
	Minuto	Máximo	Minuto	Máximo
A	3,300	3,700	0,130	0,146
A1	1,100	1,400	0,043	0,055
b	0,380	0,550	0,015	0,022
c	0,360	0,510	0,014	0,020
D	4,300	4,700	0,169	0,185
D1	3,430		0,135
E	4,300	4,700	0,169	0,185
e	1,270 TIPO		0,050 TIPOS
e1	2,440	2,640	0,096	0,104
L	14,100	14,500	0,555	0,571
0		1,600		0,063
h	0,000	0,380	0,000	0,015

Tipo del triodo del semiconductor del silicio de los transistores de poder de la extremidad de TO-92 A42

Transistor de poder del Mosfet

Transistores de poder de la extremidad

Transistor de poder del silicio

Diodo que cambia dual

Mos Field Effect Transistor

Mosfet en doble canal

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

Diodo Zener del poder

Puente rectificador de Schottky

Diodo de rectificador de alto voltaje

Triodo del semiconductor

Estabilizador IC del voltaje

Tipo del triodo del semiconductor del silicio de los transistores de poder de la extremidad de TO-92 A42

CLASIFICACIÓN DE_FEde h₍₂₎

sot223 mosfet

sot 23 mosfet

sot23 mosfet

Tipo del triodo del semiconductor del silicio de los transistores de poder de la extremidad de TO-92 A42

Transistor de poder del Mosfet

Transistores de poder de la extremidad

Transistor de poder del silicio

Diodo que cambia dual

Mos Field Effect Transistor

Mosfet en doble canal

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

Diodo Zener del poder

Puente rectificador de Schottky

Diodo de rectificador de alto voltaje

Triodo del semiconductor

Estabilizador IC del voltaje

Tipo del triodo del semiconductor del silicio de los transistores de poder de la extremidad de TO-92 A42

CLASIFICACIÓN DEFEde h(2)

sot223 mosfet

sot 23 mosfet

sot23 mosfet

CLASIFICACIÓN DE_FEde h₍₂₎