Productos proveedores Sign in Register

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Miembro activo
6 Años
Casa Catalogo de productos Perfil de la compañía Control de calidad Contáctenos Solicitud de una cuota
Español
Casa / Productos / Transistores de poder de la extremidad /

Voltaje bajo 9v Rdson bajo del emisor de los transistores de poder de la extremidad 3DD13003B

Categorías de Producto

Transistor de poder del Mosfet

 [236]

Transistores de poder de la extremidad

 [60]

Transistor de poder del silicio

 [38]

Diodo que cambia dual

 [30]

Mos Field Effect Transistor

 [58]

Mosfet en doble canal

 [20]

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

 [12]

Diodo Zener del poder

 [12]

Puente rectificador de Schottky

 [20]

Diodo de rectificador de alto voltaje

 [30]

Triodo del semiconductor

 [18]

Estabilizador IC del voltaje

 [28]
Contacta
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrDavid Lee
Ver detalles de contacto
Contacta
China Voltaje bajo 9v Rdson bajo del emisor de los transistores de poder de la extremidad 3DD13003B wholesale
  • China Voltaje bajo 9v Rdson bajo del emisor de los transistores de poder de la extremidad 3DD13003B wholesale

Voltaje bajo 9v Rdson bajo del emisor de los transistores de poder de la extremidad 3DD13003B
Preguntar último precio
Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :3DD13003B
Collector-Base Voltage :700V
Collector-Emitter Voltage :400V
Emitter-Base Voltage :9V
Product name :semiconductor triode type
Tj :150℃
Type :Triode Transistor
more
Contacta

Add to Cart
Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

TO-92 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores 3DD13001B (NPN)

 

CARACTERÍSTICA
 

Usos de la transferencia del poder de Ÿ

 

 

MARCADO

código 13003B=Device

El sólido dot=Green el dispositivo compuesto que moldea, si ninguno, el dispositivo normal

XXX=Code

Voltaje bajo 9v Rdson bajo del emisor de los transistores de poder de la extremidad 3DD13003B

 

 

 

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número de parte Paquete Método del embalaje Cantidad del paquete
3DD13003B TO-92 Bulto 1000pcs/Bag
3DD13003B-TA TO-92 Cinta 2000pcs/Box


 

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Tun =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo Parámetro Valor Unidad
V CBO Voltaje de la Colector-base 700 V
V CEO Voltaje del Colector-emisor 400 V
V EBO Voltaje de la Emisor-base 9 V
IC Corriente de colector - continua 1,5 A
PC Disipación de poder del colector 0,9 W
TJ Temperatura de empalme 150 ℃
Tstg Temperatura de almacenamiento -55 ~150 ℃

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario


 

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC= 1mA, ES DECIR =0 700     V
voltaje de avería del Colector-emisor (BR) CEO V IC= 10mA, IB=0 400     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO ES DECIR = 1mA, IC=0 9     V
Corriente de atajo de colector ICBO VCB= 700V, ES DECIR =0     100 µA
Corriente de atajo de colector ICEO VCE= 400V, IB=0     50 µA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB= 7V, IC=0     10 µA
Aumento actual de DC hFE VCE= 10V, IC= 0,4 A 20   40  

 

voltaje de saturación del Colector-emisor

 VCE (sentado) 1 IC=1.5A, IB= 0.5A     3 V
  VCE (sentado) 2 IC=0.5A, IB= 0.1A     0,8 V
Voltaje de saturación del emisor de base VBE (sentado) IC=0.5A, IB=0.1A     1 V
Frecuencia de la transición fT VCE=10V, IC=100mA, f =1MHz 4     Megaciclo
Tiempo de caída tf IC=1A     0,7 µs
Tiempo de almacenamiento ts IB1=-IB2=0.2A     4 µs

 
  

CLASIFICACIÓN DEFEde h(2)

Fila        
Gama 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 

 

Características típicas

Voltaje bajo 9v Rdson bajo del emisor de los transistores de poder de la extremidad 3DD13003BVoltaje bajo 9v Rdson bajo del emisor de los transistores de poder de la extremidad 3DD13003BVoltaje bajo 9v Rdson bajo del emisor de los transistores de poder de la extremidad 3DD13003BVoltaje bajo 9v Rdson bajo del emisor de los transistores de poder de la extremidad 3DD13003B

 

 

 

 

Dimensiones del esquema del paquete TO-92

 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPOS
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
Φ   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

 

 

 

Etiquetas de productos:

e27 medium base

transistor tip41c

circular hss dmo5
Carro de la investigación 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4