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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Paladio encapsulado plástico 625mW de los transistores de poder de la extremidad de M28S NPN TO-92

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Transistores de poder de la extremidad

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Diodo Zener del poder

 [12]

Puente rectificador de Schottky

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Diodo de rectificador de alto voltaje

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Triodo del semiconductor

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Estabilizador IC del voltaje

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
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China Paladio encapsulado plástico 625mW de los transistores de poder de la extremidad de M28S NPN TO-92 wholesale
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Paladio encapsulado plástico 625mW de los transistores de poder de la extremidad de M28S NPN TO-92
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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :M28S
VCBO :40V
VCEO :20V
PD :625mW
Product name :semiconductor triode type
Tstg :-55 ~+150Š
Power Mosfet Transistor :TO-92 Plastic-Encapsulate
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TO-92 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores A94 (PNP)

 

 

CARACTERÍSTICA

 

Alto DC aumento actual de Ÿ y capacidad actual grande

 

 

MARCADO

Código de M28S=Device

El sólido dot=Green el dispositivo compuesto que moldea,

 

si ninguno, el dispositivo normal

Z=Rank del hFE, XXX=Code

 

 

Paladio encapsulado plástico 625mW de los transistores de poder de la extremidad de M28S NPN TO-92

 

 

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número de parte Paquete Método del embalaje Cantidad del paquete
M28S TO-92 Bulto 1000pcs/Bag
M28S-TA TO-92 Cinta 2000pcs/Box


 

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Tun =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo Metro de Para Valor Unidad
VCBO Voltaje de la Colector-base 40 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor 20 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base 6 V
IC Corriente de colector - continua 1 A
PD Disipación de poder del colector 625 mW
R0 JA La termal resiste el empalme de la ROM del ance f a ambiente 200 Š/W
Tj Temperatura de empalme 150 Š
Tstg Temperatura de almacenamiento -55 ~+150 Š

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario


 

 

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC= 0.1mA, ES DECIR =0 40     V
voltaje de avería del Colector-emisor (BR) CEO V IC=1mA, IB=0 20     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO ES DECIR =0.1MA, IC=0 6     V
Corriente de atajo de colector ICBO VCB=40V, ES DECIR =0     1 µA
Corriente de atajo de colector ICEO VCE=20V, IB=0     5 µA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB=5V, IC=0     0,1 µA

 

 

Aumento actual de DC

 hFE (1) VCE=1V, IC=1mA 290      
  hFE (2) VCE=1V, IC=100mA 300   1000  
  hFE (3) VCE=10V, IC=300mA 300      
  hFE (4) VCE=1V, IC=500mA 300      
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (sentado) IC=600mA, IB=20mA     0,55 V
Frecuencia de la transición fT VCE=10V, ES DECIR =50mA, f=30MHz 100     Megaciclo

 
  

CLASIFICACIÓN DEFEde h(2)

FILA B C D
GAMA 300-550 500-700 650-1000

 

 

 

 Dimensiones del esquema del paquete
 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPOS
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

Etiquetas de productos:

high perfomamce spark plug

p type mosfet

pnp mosfet
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