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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Circuito del transistor de D965 NPN, rendimiento del transistor de poder de NPN alto 

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Transistores de poder de la extremidad

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Mos Field Effect Transistor

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Diodo de rectificador rápido de la recuperación

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Triodo del semiconductor

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Estabilizador IC del voltaje

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China Circuito del transistor de D965 NPN, rendimiento del transistor de poder de NPN alto  wholesale
  • China Circuito del transistor de D965 NPN, rendimiento del transistor de poder de NPN alto  wholesale

Circuito del transistor de D965 NPN, rendimiento del transistor de poder de NPN alto 
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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :D965
VCBO :42V
VCEO :22V
VEBO :6V
Product name :semiconductor triode type
Collector Power Dissipation :750mW
Tj :150Š
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TO-92 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores D965 (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA

Amplificador audio de Ÿ

Unidad del flash de Ÿ de cámara

Circuito de la transferencia de Ÿ

 

 

MARCADO

 

Código de D965=Device

El sólido dot=Green el dispositivo compuesto que moldea,

si ninguno, el dispositivo normal

Z=Rank del hFE, XXX=Code

 

Circuito del transistor de D965 NPN, rendimiento del transistor de poder de NPN alto 

 

 

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número de parte Paquete Método del embalaje Cantidad del paquete
D965 TO-92 Bulto 1000pcs/Bag
D965-TA TO-92 Cinta 2000pcs/Box


 

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Tun =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

 

Símbolo Metro de Para Valor Unidad
VCBO Voltaje de la Colector-base 42 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor 22 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base 6 V
IC Corriente de colector - continua 5 A
PD Disipación de poder del colector 750 mW
R0 JA La termal resiste el empalme de la ROM del ance f a ambiente 166,7 Š/W
Tj Temperatura de empalme 150 Š
Tstg Temperatura del orage del St -55 ~+150 Š

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario


 

 

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba MINUTO TIPO Max UNIDAD
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC=0.1mA, ES DECIR =0 42     V
voltaje de avería del Colector-emisor (BR) CEO V IC=1mA, IB=0 22     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO ES DECIR = 10µA, IC=0 6     V
Corriente de atajo de colector ICBO VCB=30V, ES DECIR =0     0,1 µA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB=6V, IC=0     0,1 µA

 

Aumento actual de DC

 hFE (1) VCE=2V, IC= 0,15 mA 150      
hFE (2) VCE= 2V, IC = 500 mA 340   2000  
hFE (3) VCE=2V, IC = 2A 150      
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (sentado) IC=3000mA, IB=100 mA     0,35 V
Frecuencia de la transición fT VCE=6V, IC=50mA, f=30MHz   150   Megaciclo

 
  

CLASIFICACIÓN DEFEde h(2)

Fila R T V
Gama 340-600 560-950 900-2000

 

 

 

 

Características típicas

 

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 Dimensiones del esquema del paquete
 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPOS
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

Etiquetas de productos:

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