Name: Transistores de poder de la extremidad de A94 PNP rápidamente que cambian el tipo del triodo del semiconductor del silicio
Brand: Hua Xuan Yang
Price: 1 USD

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Place of Origin :ShenZhen China

Brand Name :Hua Xuan Yang

Certification :RoHS、SGS

MOQ :1000-2000 PCS

Price :Negotiated

Packaging Details :Boxed

Delivery Time :1 - 2 Weeks

Payment Terms :L/C T/T Western Union

Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day

Model Number :A94

VCBO :-400V

VCEO :-400V

VEBO :-5V

Product name :silicon semiconductor triode type

Tj :150Š

Power Mosfet Transistor :TO-92 Plastic-Encapsulate

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TO-92 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores A94 (PNP)

CARACTERÍSTICA

Alto voltaje de avería

MARCADO

Código de A94=Device

El sólido dot=Green el dispositivo compuesto que moldea, si ninguno, el dispositivo normal

Z=Rank del hFE

XXX=Code

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número de parte	Paquete	Método del embalaje	Cantidad del paquete
A94	TO-92	Bulto	1000pcs/Bag
A94-TA	TO-92	Cinta	2000pcs/Box

GRADOS MÁXIMOS (T_un =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad
VCBO	Voltaje de la ector-base de Coll	-400	V
VCEO	Voltaje del ector-emisor de Coll	-400	V
VEBO	Voltaje de la Emisor-base	-5	V
I_C	Corriente del ector de Coll - continua	-0,2	A
ICM	Corriente del ector de Coll - pulsada	-0,3	A
P_C	Disipación de poder del ector de Coll	625	mW
RθJA	La termal resiste ance del empalme a ambiente	200	℃ /W
T_J	Temperatura de empalme	150	℃
Tstg	Temperatura de almacenamiento	-55~+150	℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

Parámetro	Símbolo	Condiciones de prueba	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
voltaje de avería de la Colector-base	V (BR) CBO	I_C=-100ΜA, ES DECIR =0	-400			V
voltaje de avería del Colector-emisor	(BR) CEO V	I_C=-1mA, I_B=0	-400			V
voltaje de avería de la Emisor-base	V (BR) EBO	ES DECIR =-100ΜA, I_C=0	-5			V
Corriente de atajo de colector	ICBO	V_CB=-400V, ES DECIR =0			-0,1	μA
Corriente de atajo de colector	ICEO	V_CE=-400V, I_B=0			-5	μA
Corriente del atajo del emisor	IEBO	V_EB=-4V, I_C=0			-0,1	μA
Aumento actual de DC	hFE (1)	V_CE=-10V, I_C=-10mA	80		300
	hFE (2)	V_CE=-10V, I_C=-1mA	70
	hFE (3)	V_CE=-10V, I_C=-100mA	60
	hFE (4)	V_CE=-10V, I_C=-50mA	80
voltaje de saturación del Colector-emisor	VCE (sentado) (1)	I_C=-10mA, I_B=-1mA			-0,2	V
voltaje de saturación del Colector-emisor	VCE (sentado) (2)	I_C=-50mA, I_B=-5mA			-0,3	V
Voltaje de saturación del emisor de base	VBE (sentado)	I_C=-10mA, I_B=-1mA			-0,75	V
Frecuencia de la transición	f_T	V_CE=-20V, I_C=-10mA, f=30MHz	50			Megaciclo

CLASIFICACIÓN DE_FEde h₍₂₎

FILA	A	B	C
GAMA	80-100	100-200	200-300

Características típicas

Dimensiones del esquema del paquete

Símbolo	Dimensiones en milímetros		Dimensiones en pulgadas
	Minuto	Máximo	Minuto	Máximo
A	3,300	3,700	0,130	0,146
A1	1,100	1,400	0,043	0,055
b	0,380	0,550	0,015	0,022
c	0,360	0,510	0,014	0,020
D	4,300	4,700	0,169	0,185
D1	3,430		0,135
E	4,300	4,700	0,169	0,185
e	1,270 TIPO		0,050 TIPOS
e1	2,440	2,640	0,096	0,104
L	14,100	14,500	0,555	0,571
0		1,600		0,063
h	0,000	0,380	0,000	0,015

Transistores de poder de la extremidad de A94 PNP rápidamente que cambian el tipo del triodo del semiconductor del silicio

Transistor de poder del Mosfet

Transistores de poder de la extremidad

Transistor de poder del silicio

Diodo que cambia dual

Mos Field Effect Transistor

Mosfet en doble canal

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

Diodo Zener del poder

Puente rectificador de Schottky

Diodo de rectificador de alto voltaje

Triodo del semiconductor

Estabilizador IC del voltaje

Transistores de poder de la extremidad de A94 PNP rápidamente que cambian el tipo del triodo del semiconductor del silicio

CLASIFICACIÓN DE_FEde h₍₂₎

p type mosfet

sot223 mosfet

pnp mosfet

Transistores de poder de la extremidad de A94 PNP rápidamente que cambian el tipo del triodo del semiconductor del silicio

Transistor de poder del Mosfet

Transistores de poder de la extremidad

Transistor de poder del silicio

Diodo que cambia dual

Mos Field Effect Transistor

Mosfet en doble canal

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

Diodo Zener del poder

Puente rectificador de Schottky

Diodo de rectificador de alto voltaje

Triodo del semiconductor

Estabilizador IC del voltaje

Transistores de poder de la extremidad de A94 PNP rápidamente que cambian el tipo del triodo del semiconductor del silicio

CLASIFICACIÓN DEFEde h(2)

p type mosfet

sot223 mosfet

pnp mosfet

CLASIFICACIÓN DE_FEde h₍₂₎