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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+P

Categorías de Producto

Transistor de poder del Mosfet

 [236]

Transistores de poder de la extremidad

 [60]

Transistor de poder del silicio

 [38]

Diodo que cambia dual

 [30]

Mos Field Effect Transistor

 [58]

Mosfet en doble canal

 [20]

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

 [12]

Diodo Zener del poder

 [12]

Puente rectificador de Schottky

 [20]

Diodo de rectificador de alto voltaje

 [30]

Triodo del semiconductor

 [18]

Estabilizador IC del voltaje

 [28]
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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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China MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+P wholesale
  • China MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+P wholesale

MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+P
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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :WST3078
Product name :Mosfet Power Transistor
Features :Surface mount package
ID :20A
VGS :-10V
Applications :Power management
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MOSFET del modo del aumento de 20G04GD 40V N+P-Channel
 

 

Descripción

 

El foso avanzado de las aplicaciones 20G04GD 

tecnología para proporcionar R excelenteDS(ENCENDIDO)

y carga baja de la puerta. Este dispositivo es

conveniente para el uso como interruptor de la carga o adentro

Usos de PWM.

 

 

CARACTERÍSTICAS GENERALES
N-CH VDS =-40V, IDENTIFICACIÓN =20A RDS (ENCENDIDO) < 25mΩ @ VGS=-10V P-CH VDS =-40V, IDENTIFICACIÓN =-18A RDS (ENCENDIDO) <-42mΩ @ VGS=-10V
 
Uso
Usos de PWM
Interruptor de la carga
Gestión del poder
 
 
Marca del paquete e información el ordenar
MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+P
 

Ratings@T máximo absoluto =25oC (salvo especificación de lo contrario)

 

MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+P

N-CH Characteristics@ eléctrico T =25oC (salvo especificación de lo contrario)

 

MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+P

P-CH Characteristics@T eléctrico =25oC (salvo especificación de lo contrario)

 

 

MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+P

 
 
P-CH Characteristics@T eléctrico =25oC (salvo especificación de lo contrario)
 
MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+P
 
 
MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+PMOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+PMOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+PMOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+PMOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+PMOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+PMOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+PMOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+PMOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+P
 
 
 
 
 
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