Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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7 Años
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Tipo alto rendimiento del soporte de la superficie del transistor de poder del Mosfet WST2078 

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrDavid Lee
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Tipo alto rendimiento del soporte de la superficie del transistor de poder del Mosfet WST2078 

Preguntar último precio
Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :WST2078
Product name :Mosfet Power Transistor
Features :Surface mount package
RDSON :30mΩ
Case :Tape/Tray/Reel
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MOSFET del N&P-canal WST2078

 

Descripción

 

El WST2078 es el foso del rendimiento más alto

MOSFETs N-ch y P-ch con la alta célula extrema

densidad, que proporcionan RDSON excelente y lo bloquean

cargue para la mayor parte de la pequeña transferencia del poder y

cargue los usos del interruptor.

 

La reunión WST2078 el RoHS y el producto verde

requisito con la confiabilidad completa de la función aprobada.

 

 

 

Usos

 

  • Punto-de-carga de alta frecuencia s síncrono
  • Pequeña transferencia del poder para MB/NB/UMPC/VGA
  • Sistema eléctrico del establecimiento de una red DC-DC
  • Interruptor de la carga

 

Características
  • Alta tecnología avanzada del foso de la densidad de célula
  • carga baja estupenda de la puerta de z
  • disminución excelente del efecto de z Cdv/dt
  • dispositivo del verde de z disponible

 

Grados máximos absolutos

 

Tipo alto rendimiento del soporte de la superficie del transistor de poder del Mosfet WST2078 

 

 

Datos termales
Tipo alto rendimiento del soporte de la superficie del transistor de poder del Mosfet WST2078 
 
Características eléctricas del canal N (℃ TJ=25, a menos que se indicare en forma diferente)
Tipo alto rendimiento del soporte de la superficie del transistor de poder del Mosfet WST2078 
 
 
Características de diodo del cuerpo de la Dren-fuente
 
Tipo alto rendimiento del soporte de la superficie del transistor de poder del Mosfet WST2078 
 
 
Nota:
1. Los datos probaron por la superficie montada en un 1 tablero de inch2 FR-4 con el cobre 2OZ.
2. Los datos probaron por pulsado, el ≦ 300us, ≦ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo
3. La disipación de poder es limitada por temperatura de empalme 150℃
4. Los datos son teóricamente lo mismo que la identificación e IDM, en usos reales, se deben limitar por la disipación de poder total.
 
 
Características eléctricas del P-canal (℃ TJ=25, a menos que se indicare en forma diferente)
 
 
Tipo alto rendimiento del soporte de la superficie del transistor de poder del Mosfet WST2078 
 
 
Características de diodo del cuerpo de la Dren-fuente
 
Tipo alto rendimiento del soporte de la superficie del transistor de poder del Mosfet WST2078 
 
 
Nota:
1. Los datos probaron por la superficie montada en un 1 inch2
Tablero FR-4 con el cobre 2OZ.
2. Los datos probaron por pulsado, el ≦ 300us, ≦ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo
3. La disipación de poder es limitada por datos de la temperatura de empalme 150℃ 4.The es teóricamente lo mismo que la identificación e IDM, en usos reales, se deben limitar por la disipación de poder total.
 
 
Características típicas del canal N
 
Tipo alto rendimiento del soporte de la superficie del transistor de poder del Mosfet WST2078 
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Características típicas del P-canal
 
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