Name: Transistor del nivel de la lógica HXY4616 MOSFET complementario de alto voltaje del transistor 30V
Brand: Hua Xuan Yang
Price: 1 USD

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Place of Origin :ShenZhen China

Brand Name :Hua Xuan Yang

Certification :RoHS、SGS

MOQ :1000-2000 PCS

Price :Negotiated

Packaging Details :Boxed

Delivery Time :1 - 2 Weeks

Payment Terms :L/C T/T Western Union

Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day

Model Number :HXY4616

Product name :Mosfet Power Transistor

Type :mosfet transistor

Product ID :20G04S

VDS :40V

Features :Surface mount package

VGS :±20v

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MOSFET complementario de HXY4616 30V

Descripción

Las aplicaciones HXY4616 avanzadas trench tecnología al RDS provideexcellent (ENCENDIDO) y a la carga baja de la puerta. Thiscomplementary N y P canaliza los configurationis del MOSFET ideales para los usos bajos del inversor del voltaje de entrada.

Características eléctricas del canal N (T=25°C a menos que se indicare en forma diferente)

Transistor del nivel de la lógica HXY4616, MOSFET complementario de alto voltaje del transistor 30V

A. El valor del_θJAde R se mide con el dispositivo montado en el 1in _A =25°C. que el valor en cualquier uso dado depende del tablero específico del tablero design.2 FR-4 del usuario con 2oz. Revista con cobre, en un ambiente de aire inmóvil con T

B. La disipación de poder P_D se basa en T_J(max) =150°C, usando resistencia termal empalme-a-ambiente del ≤ 10s. C. el grado repetidor, anchura de pulso limitada por grados de la temperatura de empalme T_J(max) =150°C. se basa en de baja fricción y ciclos de trabajo para guardar el initialT_J=25°C.

D. _ElθJAde R es la suma de la impedancia termal del empalme para llevar el_θJLde R y a llevar a ambiente.

E. Las características estáticas en los cuadros 1 a 6 se obtienen usando los pulsos de <300µs, máximo del ciclo de trabajo 0,5%.

F. Estas curvas se basan en la impedancia termal empalme-a-ambiente que se mide con el dispositivo montado en tablero de 1in2 FR-4 con 2oz. Revista con cobre, asumiendo que una temperatura de empalme máxima de T_J(max) =150°C. la curva de SOA proporciona un solo ratin G. del pulso.

Canal N: CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y TERMALES TÍPICAS