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Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

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Casa / Productos / IGBT Transistor Module / Soporte superficial del canal N 1200 V 4.7A 65W del módulo del transistor de IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT /

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Soporte superficial del canal N 1200 V 4.7A 65W del módulo del transistor de IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT
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