Productos
proveedores
Sign in
Register
XIAMEN POWERWAY AVANZÓ CO. MATERIAL, LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Manufacturer from China
Miembro activo
6 Años
Casa
Catalogo de productos
Perfil de la compañía
Control de calidad
Contáctenos
Solicitud de una cuota
Español
English
Français
Русский язык
日本語
Português
GaN Wafer (37)
Sic oblea (61)
Oblea del GaAs (23)
Oblea del INP (21)
InAs Wafer (19)
Oblea de InSb (13)
Oblea de GaSb (19)
Oblea del germanio (15)
Oblea de CdZnTe (1)
Oblea de silicio (65)
Oblea de cristal (1)
Casa
/
Productos
/
Oblea del germanio
/
Oblea sin impurificar del germanio con el grabado de pistas bajo Pit Density, Epi-listo, 6"
Categorías de Producto
GaN Wafer
[37]
Sic oblea
[61]
Oblea del GaAs
[23]
Oblea del INP
[21]
InAs Wafer
[19]
Oblea de InSb
[13]
Oblea de GaSb
[19]
Oblea del germanio
[15]
Oblea de CdZnTe
[1]
Oblea de silicio
[65]
Oblea de cristal
[1]
Contacta
XIAMEN POWERWAY AVANZÓ CO. MATERIAL, LTD.
Ciudad:
xiamen
Provincia / Estado:
fujian
País/Región:
china
Ver detalles de contacto
Contacta
Oblea sin impurificar del germanio con el grabado de pistas bajo Pit Density, Epi-listo, 6"
Preguntar último precio
Brand Name :
PAM-XIAMEN
Place of Origin :
China
MOQ :
1-10,000pcs
Payment Terms :
T/T
Supply Ability :
10,000 wafers/month
Delivery Time :
5-50 working days
Packaging Details :
Packaged in a class 100 clean room environment, in single container, under a nitrogen atmosphere
product name :
single crystal Ge wafer
Wafer Diamter :
6 inch Germanium wafer
Conduction Type :
undoped
Thickness :
200~550um
Epi ready :
Yes
application :
micro-electronics
more
Contacta
Add to Cart
Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto
Etiquetas de productos:
germanium wafer
gallium arsenide wafer
sic wafer
Carro de la investigación
0
Seleccionar todo
Contacta