XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

MATERIAL AVANZADO CO., LTD. DE XIAMEN POWERWAY

PAM-XIAMEN aceptan al OEM o la orden del ODM según los términos del acuerdo de NDA, normalmente para el serice del epi, crea para requisitos particulares es mucha a menudo, como los investigadores y los usuarios finales prefieren solucionar un problema fijo y necesitan ajustar diseño para adoptar éstos dispositivo fijado.

En 2008, la cadena de producción de la oblea del carburo de silicio de 2 pulgadas ha terminado con éxito el depuración técnico, ahora él realiza el R y la D y la fabricación de las obleas de 6 pulgadas sic para el SBD, el perno, el MOSFET y otros dispositivos.

PAM-XIAMEN internacionalmente ha avanzado el horno epitaxial del MOCVD y el equipo epitaxial de la caracterización, 6 avanza lentamente la cadena de producción del microprocesador del semiconductor compuesto, oblea en sistema de detección del microprocesador, sistema de prueba de la confiabilidad y sistema de desarrollo de aplicaciones.: los materiales del substrato del semiconductor del nitruro del galio (GAN), el substrato compuesto GaN/AI2O3, substrato del solo cristal de GaN y equipo (HVPE) de la epitaxia de la fase de vapor del hidruro, etc. la capacidad de producción mensual de 150 milímetros GaN en las obleas epitaxiales del Si alcanza 800wafers, y 4-8 la pulgada GaN en sic/las obleas epitaxiales del zafiro se ha producido con éxito. La oblea epitaxial mantiene la alta calidad cristalina, la alta uniformidad y la alta confiabilidad de los materiales epitaxiales, que pueden cumplir completamente los requisitos de uso de los dispositivos electrónicos del poder de alto voltaje en la industria.

PAM-XIAMEN ha estado en la producción en masa de las obleas epitaxiales silicio-basadas V de GaN de 6 pulgadas 650 para la electrónica de poder, que se utilizan principalmente en la gestión del poder, inversor solar, vehículo eléctrico e impulsión industrial del motor y otros campos. En el campo de la microonda y de la radiofrecuencia, la compañía ha realizado el desarrollo de los materiales epitaxiales silicio-basados del nitruro del galio, el R y D y la preparación industrial de las obleas de la radiofrecuencia también se han puesto en marcha.

Equipo del R&D, que se está centrando en la investigación y desarrollo y la investigación aplicada (comparadas con la investigación básica). Diferente del departamento de tecnología, que es solucionar problemas difíciles en la producción, el departamento de R y de D es investigar y desarrollar las nuevas obleas, además, la tarea del R&D de desarrollar lingotes más grandes, un tamaño más grande de la oblea pero defectos más pequeños y el ARCO etc.

Equipo de la producción, que es responsable de controlar la cadena de producción entera del crecimiento del lingote a embalar.

Equipo de la tecnología, que es de departamento de la producción, siempre ayuda de tecnología de la oferta de la investigación después de las ventas.

El equipo de Sales&marketing, que son responsables de los productos de la comercialización y de la venta, allí es miembros de los ingenieros de ventas en la parte frontal, miembros de la administración a ocuparse de los documentos y envíos, partidarios de la página web.

Equipo del R&D, que se está centrando en la investigación y desarrollo y la investigación aplicada (comparadas con la investigación básica).

Comprando al equipo, que es responsable de comprar la máquina, el equipo y el material

Equipo que considera, que pertenece a la oficina central.

2009, PAM-XIAMEN desarrolla la tecnología de GaN, integra el substrato cristalino de GaN, la epitaxia y el dispositivo de RF& Power& LED. Se ha convertido en una integración del R y la D, diseño, producción y las ventas de los materiales del semiconductor, de la epitaxia, de dispositivos y de módulos, y de conectar la cadena entera de la industria de la tercera generación de semiconductores incluyendo el material de GaN y sic el material,

incubando VCSEL, accione los dispositivos electrónicos, los radioinstrumentos del semiconductor compuesto, el módulo de empaquetado de empaquetado del laser de los módulos de la lámpara y otras tecnologías puntas internacionales.

2007, servicio del epi de la oferta de PAM-XIAMEN basado en el substrato de III-V (substrato incluyendo del GaAs, substrato de GaSb, substrato de InSb, substrato de InAs y substrato del INP, substrato de GaN, substrato de AlN), material cubre GaInSb, InAs, AlSb, GaInNasSb, InGaAs, AlGaAs, InGaAsP, AlInGaAs, GaAlAs, InGaAlP, AlGaInP, InGaP, InGaN, AlGaN, uso incluye el poder &RF, Photonics, LED, célula solar y electrónica.

2004, PAM-XIAMEN ofrece las obleas del semiconductor sic con sic la oblea 6H sic y 4H en diversos grados de calidad para los fabricantes del investigador y de la industria. Hemos desarrollado la cadena de producción entera con la tecnología y sic la tecnología de proceso de la oblea, tamaño del crecimiento sic cristalino a partir de la 2" a 6". Proporcionamos epitaxia de encargo de la película fina (carburo de silicio) sic en los substratos 6H o 4H para el desarrollo de los dispositivos del carburo de silicio. Sic la oblea del epi se utiliza principalmente para los diodos de Schottky, transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico, efecto de campo del empalme.

A partir de 2001, desarrollamos y producimos el material del germanio incluyendo la oblea del germanio que está para la microelectrónica, el uso óptico y la célula solar.

A partir de 1990, dedicamos para investigar y producir la oblea y el lingote de silicio de la CZ, después de una década, desarrollamos la oblea de silicio de FZ con >1000 ohm.cm. y ahora podemos ofrecer tamaño de la oblea a partir de la 2" a 12" con el grado primero y probar el grado.

Servicio del consultor de la tecnología de la oblea de la oferta de PAM-XIAMEN con nuestra experiencia 29+ en material del semiconductor, sabemos conectar conocimiento del substrato, epitaxia con el dispositivo, y nos sabemos elegir o crecer la derecha y el substrato calificado para usted cuando usted lo utiliza para el uso expitaxy u otro, nosotros también sabemos ajustar la estructura de la oblea para que haya diverso dispositivo.

La oferta de PAM-XIAMEN calificó servicio del consultor de la oblea de semiconductor y de la tecnología de la oblea con nuestra experiencia 29+ en material del semiconductor de la parte frontal al extremo trasero, sabemos conectar conocimiento del substrato, epitaxia con el dispositivo, y nos sabemos elegir o crecer la derecha y el substrato calificado para usted cuando usted lo utiliza para el uso expitaxy u otro, nosotros también sabemos ajustar la estructura de la oblea para que haya diverso dispositivo y crecer las estructuras de la derecha para usted.