XIAMEN POWERWAY AVANZÓ CO. MATERIAL, LTD.

XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

En 2008, la cadena de producción de la oblea del carburo de silicio de 2 pulgadas ha terminado con éxito el depuración técnico, ahora él realiza el R y la D y la fabricación de las obleas de 6 pulgadas sic para el SBD, el perno, el MOSFET y otros dispositivos.

PAM-XIAMEN internacionalmente ha avanzado el horno epitaxial y el equipo epitaxial de la caracterización, cadena de producción del microprocesador del semiconductor compuesto de 6 pulgadas, oblea del MOCVD en sistema de detección del microprocesador, sistema de prueba de la confiabilidad y sistema de desarrollo de aplicaciones.: los materiales del substrato del semiconductor del nitruro del galio (GAN), el substrato compuesto GaN/AI2O3, substrato cristalino de GaN el solo y el equipo de la epitaxia de la fase de vapor del hidruro (HVPE), el etc. la capacidad de producción mensual de 150 milímetros GaN en las obleas epitaxiales del Si alcanza 800wafers, y 4-8 la pulgada GaN encendido sic/las obleas epitaxiales del zafiro se ha producido con éxito. La oblea epitaxial mantiene la alta calidad cristalina, la alta uniformidad y la alta confiabilidad de los materiales epitaxiales, que pueden cumplir completamente los requisitos de uso de los dispositivos electrónicos del poder de alto voltaje en la industria.

PAM-XIAMEN ha estado en la producción en masa de 6 pulgadas 650 V silicio-basó las obleas epitaxiales de GaN para la electrónica de poder, que se utilizan principalmente en la gestión del poder, inversor solar, vehículo eléctrico e impulsión industrial del motor y otros campos. En el campo de la microonda y de la radiofrecuencia, la compañía ha realizado el desarrollo de los materiales epitaxiales silicio-basados del nitruro del galio, el R y D y la preparación industrial de las obleas de la radiofrecuencia también se han puesto en marcha.

Equipo del R&D, que se está centrando en la investigación y desarrollo y la investigación aplicada (comparadas con la investigación básica). Diferente del departamento de tecnología, que es solucionar problemas difíciles en la producción, el departamento de R y de D es investigar y desarrollar las nuevas obleas, además, la tarea del R&D de desarrollar lingotes más grandes, un tamaño más grande de la oblea pero defectos más pequeños y DE ARQUEAR el etc.

Servicio del consultor de la tecnología de la oblea de la oferta de PAM-XIAMEN con nuestra experiencia 29+ en material del semiconductor, sabemos conectar conocimiento del substrato, epitaxia con el dispositivo, y nos sabemos elegir o crecer la derecha y el substrato calificado para usted cuando usted lo utiliza para el uso expitaxy u otro, nosotros también sabemos ajustar la estructura de la oblea para que haya diverso dispositivo.

Servicio calificado oferta del consultor de la oblea de semiconductor de PAM-XIAMEN y de la tecnología de la oblea con nuestra experiencia 29+ en material del semiconductor de la parte frontal al extremo trasero, sabemos conectar conocimiento del substrato, epitaxia con el dispositivo, y nos sabemos elegir o crecer la derecha y el substrato calificado para usted cuando usted lo utiliza para el uso expitaxy u otro, nosotros también sabemos ajustar la estructura de la oblea para que haya diverso dispositivo y crecer las estructuras correctas para usted.