Oblea de GaSb usada para los detectores infrarrojos, LED y lasers infrarrojos y transistores, y sistemas de Thermophotovoltaic
Descripción de producto
PAM-XIAMEN ofrece la oblea de GaSb del semiconductor compuesto – antimoniuro de galio que son crecidos por LEC (Czochralski encapsulado líquido) como grado epi-listo o mecánico con el tipo de n, el tipo de p o semiaislante en diversa orientación (111) o (100).
El antimoniuro de galio (GaSb) es un compuesto semiconductor del galio y del antimonio de la familia de III-V. Tiene un constante del enrejado de cerca de 0,61 nanómetros. GaSb se puede utilizar para los detectores infrarrojos, el LED y los lasers infrarrojos y los transistores, y los sistemas thermophotovoltaic.
Aquí está la especificación de detalle:
especificación de la oblea de GaSb de 2 ″ (50.8m m)
especificación de la oblea de GaSb de 3 ″ (50.8m m)
especificación de la oblea de GaSb de 4 ″ (100m m)
especificación de la oblea de GaSb de 2 ″
| Artículo |
Especificaciones |
| Dopante |
Sin impurificar |
Cinc |
Telurio |
| Tipo de la conducción |
P-tipo |
P-tipo |
N-tipo |
| Diámetro de la oblea |
2 ″ |
| Orientación de la oblea |
(100) ±0.5° |
| Grueso de la oblea |
500±25um |
| Longitud plana primaria |
16±2m m |
| Longitud plana secundaria |
8±1m m |
| Concentración de portador |
(1-2) x1017cm-3 |
(5-100) x1017cm-3 |
(1-20) x1017cm-3 |
| Movilidad |
600-700cm2/V.s |
200-500cm2/V.s |
2000-3500cm2/V.s |
| EPD |
<2>3cm2s |
| TTV |
<10um>
|
| ARCO |
<10um>
|
| DEFORMACIÓN |
<12um>
|
| Marca del laser |
a petición |
| Final de Suface |
P/E, P/P |
| Epi listo |
sí |
| Paquete |
Solo envase o casete de la oblea |
especificación de la oblea de GaSb de 3 ″
| Artículo |
Especificaciones |
| Tipo de la conducción |
P-tipo |
P-tipo |
N-tipo |
| Dopante |
Sin impurificar |
Cinc |
Telurio |
| Diámetro de la oblea |
3 ″ |
| Orientación de la oblea |
(100) ±0.5° |
| Grueso de la oblea |
600±25um |
| Longitud plana primaria |
22±2m m |
| Longitud plana secundaria |
11±1m m |
| Concentración de portador |
(1-2) x1017cm-3 |
(5-100) x1017cm-3 |
(1-20) x1017cm-3 |
| Movilidad |
600-700cm2/V.s |
200-500cm2/V.s |
2000-3500cm2/V.s |
| EPD |
<2>3cm2s |
| TTV |
<12um>
|
| ARCO |
<12um>
|
| DEFORMACIÓN |
<15um>
|
| Marca del laser |
a petición |
| Final de Suface |
P/E, P/P |
| Epi listo |
sí |
| Paquete |
Solo envase o casete de la oblea |
especificación de la oblea de GaSb de 4 ″
| Artículo |
Especificaciones |
| Dopante |
Sin impurificar |
Cinc |
Telurio |
| Tipo de la conducción |
P-tipo |
P-tipo |
N-tipo |
| Diámetro de la oblea |
4 ″ |
| Orientación de la oblea |
(100) ±0.5° |
| Grueso de la oblea |
800±25um |
| Longitud plana primaria |
32.5±2.5m m |
| Longitud plana secundaria |
18±1m m |
| Concentración de portador |
(1-2) x1017cm-3 |
(5-100) x1017cm-3 |
(1-20) x1017cm-3 |
| Movilidad |
600-700cm2/V.s |
200-500cm2/V.s |
2000-3500cm2/V.s |
| EPD |
<2>3cm2s |
| TTV |
<15um>
|
| ARCO |
<15um>
|
| DEFORMACIÓN |
<20um>
|
| Marca del laser |
a petición |
| Final de Suface |
P/E, P/P |
| Epi listo |
sí |
| Paquete |
Solo envase o casete de la oblea |
1)″ 2 (50.8m m), oblea de GaSb de 3 ″ (76.2m m)
Orientación: (100) ±0.5°
Grueso (μm): 500±25; 600±25
Tipo/dopante: P/undoped; P/Si; P/Zn
Nc (cm-3): (1~2) E17
Movilidad (cm2/V ·s): 600~700
Método del crecimiento: CZ
Polaco: SSP
2)oblea de GaSb de 2 ″ (50.8m m)
Orientación: (100) ±0.5°
Grueso (μm): 500±25; 600±25
Tipo/dopante: N/undoped; P/Te
Nc (cm-3): (1~5) E17
Movilidad (cm2/V ·s): 2500~3500
Método del crecimiento: LEC
Polaco: SSP
3)oblea de GaSb de 2 ″ (50.8m m)
Orientación: (111) A±0.5°
Grueso (μm): 500±25
Tipo/dopante: N/Te; P/Zn
Nc (cm-3): (1~5) E17
Movilidad (cm2/V ·s): 2500~3500; 200~500
Método del crecimiento: LEC
Polaco: SSP
4)oblea de GaSb de 2 ″ (50.8m m)
Orientación: (111) B±0.5°
Grueso (μm): 500±25; 450±25
Tipo/dopante: N/Te; P/Zn
Nc (cm-3): (1~5) E17
Movilidad (cm2/V ·s): 2500~3500; 200~500
Método del crecimiento: LEC
Polaco: SSP
5)oblea de GaSb de 2 ″ (50.8m m)
Orientación: (111) B 2deg.off
Grueso (μm): 500±25
Tipo/dopante: N/Te; P/Zn
Nc (cm-3): (1~5) E17
Movilidad (cm2/V ·s): 2500~3500; 200~500
Método del crecimiento: LEC
Polaco: SSP
Productos relativos:
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Oblea del INP
Oblea del GaAs
Oblea de GaSb
Oblea de Gap
El antimoniuro de galio (GaSb) se puede suministrar como obleas los finales del como-corte, grabado al agua fuerte o pulido y está disponible en una amplia gama de concentración, de diámetro y de grueso de portador.
El material de GaSb presenta las propiedades interesantes para los dispositivos thermophotovoltaic de (TPV) del solo empalme. GaSb: El solo cristal de Te crecido con Czochralski (Cz) o métodos modificados del chralski de Czo- (MES-CZ) se presenta y el problema de la homogeneidad de Te se discute. Pues la movilidad de portador es uno de los puntos claves para el cristal a granel, se realizan las medidas de Pasillo. Presentamos aquí algunos progresos complementarios basados en el punto de vista del tratamiento de materiales: el crecimiento cristalino a granel, la preparación de la oblea, y la aguafuerte de la oblea. Los pasos subsiguientes después de éstos se relacionan con el p/ninguna elaboración del empalme de r n/p. Algunos resultados obtenidos para diversos acercamientos de capa delgada de la elaboración se presentan. Tan del proceso de difusión simple de la fase de vapor o del proceso líquido de la epitaxia de la fase hasta el proceso orgánico de la deposición de vapor químico del metal divulgamos una cierta especificidad material.
