N mecanografía, la oblea de InSb, 2", grado de la prueba - fabricación de la oblea de semiconductor
PAM-XIAMEN proporciona crecimiento de la oblea de InSb del solo cristal (antimoniuro del indio) por el método encapsulado líquido de Czochralski (LEC). El antimoniuro del indio (InSb) se puede suministrar como obleas los finales del como-corte, grabado al agua fuerte o pulido y está disponible en una amplia gama de concentración de portador, el diámetro y thickness.PAM-XIAMEN pueden proporcionar la oblea lista de InSb del grado del epi para su uso epitaxial del MOCVD y del MBE.
Entre en contacto con por favor a nuestro equipo del ingeniero para más información de la oblea.
N mecanografía, la oblea de InSb, 2", grado de la prueba
| Especificación de la oblea |
| Artículo | Especificaciones |
| Diámetro de la oblea | 2 ″ 50.5±0.5m m
|
| Orientación cristalina | ″ 2 (111) AorB±0.1°
|
| Grueso | 2 ″ 625±25um
|
| Longitud plana primaria | 2 ″ 16±2m m
|
| Longitud plana secundaria | 2 ″ 8±1m m
|
| Final superficial | P/E, P/P |
| Paquete | Envase de la oblea o casete Epi-listo, solo de los CF |
| Eléctrico y dopando la especificación |
| Tipo de la conducción | n-tipo | n-tipo | n-tipo | n-tipo |
| Dopante | Sin impurificar | Telurio | Telurio bajo | Alto telurio |
| Cm2s de EPD | ≤50 |
| ² V-1s-1 del cm de la movilidad | ≥4*105 | ≥2.5*104 | ≥2.5*105 | No especificado |
| Concentración de portador cm-3 | 5*1013-3*1014 | (1-7) *1017 | 4*1014-2*1015 | ≥1*1018 |
Concentración de la estructura y de portador de banda de oblea de InSb
La concentración de la estructura y de portador de banda de oblea de InSb incluye parámetros básicos, temperatura, dependencias, la dependencia de la energía Gap de la presión hidrostática, masas eficaces, donantes y aceptadores
Parámetros básicos
Dependencias de la temperatura
Dependencia de la energía Gap de la presión hidrostática
Masas eficaces
Donantes y aceptadores
Parámetros básicos
| Hueco de energía | 0,17 eV |
| Separación de la energía (EΓL) entre Γ y L valles | 0,51 eV |
| Separación de la energía (EΓX) entre los valles de Γ y de X | 0,83 eV |
| El partir vuelta-orbital de la energía | 0,80 eV |
| Concentración de portador intrínseco | 2·1016 cm-3 |
| Resistencia intrínseca | 4·10-3 Ω·cm |
| Densidad eficaz de la banda de conducción de estados | 4,2·1016 cm-3 |
| Densidad eficaz de la banda de la valencia de estados | 7,3·1018 cm-3 |
 | Concentración de la estructura y de portador de banda de InSb 300 K
Eg. = 0,17 eV
EL = 0,68 eV
EV de EX= 1,0
Eso = 0,8 eV |
Dependencias de la temperatura
Dependencia de la temperatura del hueco de energía
Eg. = 0,24 - 6·10-4·T2/(T+500) (eV),
donde está temperaturas T los grados K (0 < T="">
Densidad eficaz de estados en la banda de conducción
Nc~ 8·1012·T3/2 (cm-3)
Densidad eficaz de estados en la banda de la valencia
Nn ~ 1,4·1015·T3/2 (cm-3).
Concentración de portador intrínseco
ni = (Nc·Nν) 1/2exp (- Eg/(2kbT))
Para 200K < T="">
| Las dependencias de la temperatura de la concentración de portador intrínseco. |
| Nivel de Fermi contra la temperatura para diversas concentraciones de donantes y de aceptadores bajos. |
Dependencias de la presión hidrostática
Eg. ≈Eg. (0) + 13,7·10-3P - 3,6·10-5P2 (eV)
EL≈EL (0) + 4,7·10-3P - 1,1·10-5P2 (eV)
EX≈EX (0) - 3,5·10-3P + 0,64·10-5P2 (eV),
donde está presión P en kbar.
Masas eficaces
| Electrones: | |
| Para el Γ-valle | mΓ = 0.0.14mo |
No--parabolicity:
E (1+αE) = h2k2/(2mΓ) | α = 4,1 (eV-1) |
| En la masa eficaz del L-valle de la densidad de estados | mL=0.25mo |
| Masa eficaz del electrón contra la concentración del electrón
|
| Agujeros: | Mh = 0.43mo |
| Pesado | Mh = 0.43mo |
| Luz | mlp = 0.015mo |
| Banda de la fractura-apagado | mso = 0.19mo |
| Masa eficaz de la densidad de estados | milivoltio = 0.43mo |
Donantes y aceptadores
Energías de ionización de los donantes bajos ~0,0007 (eV):
SE, S, Te.
Energías de ionización de los aceptadores bajos (eV):
| Cd | Zn | Cr | Cu° | Cu |
| 0,01 | 0,01 | 0,07 | 0,028 | 0,056 |
¿Usted está buscando un substrato de InSb?
PAM-XIAMEN es orgulloso ofrecer el substrato del fosfuro de indio para todos los diferentes tipos de proyectos. Si usted está buscando las obleas de InSb, envíenos la investigación hoy para aprender más sobre cómo podemos trabajar con usted para conseguirle las obleas de InSb que usted necesita para su proyecto siguiente. ¡Nuestro equipo del grupo está mirando adelante a proporcionar productos de calidad y el servicio excelente para usted!
