N mecanografía, la oblea de InSb, 2", grado primero, Epi listo
PAM-XIAMEN fabrica las obleas de InSb del solo cristal de la pureza elevada (antimoniuro del indio) para los fotodiodos o dispositivo photoelectromagnetic, los sensores del campo magnético usando magnetorresistencia o los transistores de effecto hall, rápidos (en términos de transferencia dinámica) debido a la alta movilidad de portador de InSb, en algunos de los detectores de la cámara infrarroja del arsenal en el telescopio espacial de Spitzer. Nuestros diámetros estándar de la oblea se extienden a partir de 1 pulgada a 3 pulgadas, obleas se pueden producir en los diversos gruesos y diversas orientaciones (100), (111), (110) con las obleas pulidas y las obleas en blanco. PAM-XIAMEN puede producir grados de la amplia gama: grado primero, grado de la prueba, grado simulado, grado mecánico, y grado óptico. PAM-XIAMEN también ofrecen el material de InSb a las especificaciones del cliente por la petición, además de las composiciones de encargo para los usos del anuncio publicitario y de la investigación y las nuevas tecnologías propietarias.
N mecanografía, la oblea de InSb, 2", grado primero, Epi listo
| Especificación de la oblea |
| Artículo |
Especificaciones |
| Diámetro de la oblea |
2 ″ 50.5±0.5m m
|
| Orientación cristalina |
″ 2 (111) AorB±0.1°
|
| Grueso |
2 ″ 625±25um
|
| Longitud plana primaria |
2 ″ 16±2m m
|
| Longitud plana secundaria |
2 ″ 8±1m m
|
| Final superficial |
P/E, P/P |
| Paquete |
Envase de la oblea o casete Epi-listo, solo de los CF |
| Eléctrico y dopando la especificación |
| Tipo de la conducción |
n-tipo |
n-tipo |
n-tipo |
| Dopante |
Telurio |
Telurio bajo |
Alto telurio |
| Cm2s de EPD |
≤50 |
| ² V-1s-1 del cm de la movilidad |
≥2.5*104 |
≥2.5*105 |
No especificado |
| Concentración de portador cm-3 |
(1-7) *1017 |
4*1014-2*1015 |
≥1*1018 |
Parámetros básicos en 300 K de la oblea de InSb
| Estructura cristalina |
Blenda de cinc |
| Grupo de simetría |
Td2-F43m |
| Número de átomos en 1 cm3 |
2,94·1022 |
| Temperatura de Debye |
160 K |
| Densidad |
5,77 g cm-3 |
| Constante dieléctrica |
| estático |
16,8 |
| de alta frecuencia |
15,7 |
| Masa de electrón eficaz |
0.014mo |
| El agujero eficaz forma el Mh |
0.43mo |
| El agujero eficaz forma el mlp |
0.015mo |
| Afinidad de electrón |
eV 4,59 |
| Constante del enrejado |
6,479 A |
| Energía óptica del fonón |
0,025 eV |
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