N mecanografía, el substrato de InSb, 3", grado primero
PAM-XIAMEN ofrece la oblea de InSb – antimoniuro del indio que son crecidos por LEC (Czochralski encapsulado líquido) como grado epi-listo o mecánico con el tipo de n, el tipo de p o sin impurificar en diversa orientación (111) o (100). El antimoniuro del indio (InSb) es un compuesto cristalino hecho del indio (In) de los elementos y del antimonio (Sb). Es un material del semiconductor de estrecho-Gap del grupo de III-V usado en los detectores infrarrojos, incluyendo las cámaras de la toma de imágenes térmica, los sistemas del FLIR, sistemas de dirección infrarrojos de misil autodirigido, y en la astronomía infrarroja. Los detectores del antimoniuro del indio son sensibles entre 1-5 longitudes de onda del µm.
N mecanografía, el substrato de InSb, 3", grado primero
| Especificación de la oblea |
| Artículo | Especificaciones |
| Diámetro de la oblea | 3 ″ 76.2±0.4m m |
| Orientación cristalina | ″ 3 (111) AorB±0.1°
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| Grueso | 3 ″ 800 o 900±25um
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| Longitud plana primaria | 3 ″ 22±2m m
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| Longitud plana secundaria | 3 ″ 11±1m m
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| Final superficial | P/E, P/P |
| Paquete | Envase de la oblea o casete Epi-listo, solo de los CF |
| Eléctrico y dopando la especificación |
| Tipo de la conducción | n-tipo | n-tipo | n-tipo |
| Dopante | Telurio | Telurio bajo | Alto telurio |
| Cm2s de EPD | ≤50 |
| ² V-1s-1 del cm de la movilidad | ≥2.5*104 | ≥2.5*105 | No especificado |
| Concentración de portador cm-3 | (1-7) *1017 | 4*1014-2*1015 | ≥1*1018 |
Propiedades eléctricas de la oblea de InSb
La concentración de la estructura y de portador de banda de oblea de InSb incluye los parámetros básicos, movilidad y de effecto hall, las propiedades de transporte en los altos campos eléctricos, ionización de impacto
, Parámetros de la recombinación
Parámetros básicos
Movilidad y Hall Effect
Propiedades de transporte en altos campos eléctricos
Ionización de impacto
Parámetros de la recombinación
Parámetros básicos
| Campo de la avería | ≈103 V cm-1 |
| Electrones de la movilidad | ≤7.7·104 cm2V-1s-1 |
| Agujeros de la movilidad | ≤850 cm2V-1s-1 |
| Electrones del coeficiente de difusión | ≤2·103 cm2s-1 |
| Agujeros del coeficiente de difusión | ≤22 cm2s-1 |
| Velocidad la termal del electrón | 9,8·105 m S1 |
| Velocidad la termal del agujero | 1,8·105 m S1 |
Movilidad y Hall Effect
 | Movilidad de pasillo del electrón contra la temperatura para diversos niveles de doping y diversos ratios de la remuneración | Curva | Nd (cm-3) | θ = Na/Nd | | 1. | 3,85·1014 | 0,5 | | 2. | 8,5·1014 | 0,88 | | 3. | 9,5·1014 | 0,98 | | 4. | 1,35·1015 | 0,99 | |
| Movilidad de electrón contra la temperatura (temperaturas altas).
La línea llena es cálculo teórico para la movilidad de la electrón-deriva.
Los datos experimentales son movilidades de pasillo.
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Para el n-InSb puro en el ≥ 200K de T:
µnH≈7.7·104 (T/300) - 1,66 (cm2s de V-1 S1).
| Movilidad de electrón contra la concentración del electrón. T = 300 K
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| Movilidad de electrón contra la concentración del electrón. T = 77 K
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| El factor de Pasillo del electrón contra la concentración de portador. T = 77 K
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| Movilidad de electrón máxima para el n-InSb puro |
| 77 K | 1,2·106 cm2V-1s-1 |
| 300 K | 7,7·104 cm2V-1s-1 |
| Movilidad de electrón máxima para InSb crecido en el substrato del GaAs |
| 77K | 1,5·105 cm2V-1s-1 (no= 2,2·1015 cm-3) |
| 300 K | 7,0·104 cm2V-1s-1 (no= 2,0·1016 cm-3) |
| Movilidad de electrón máxima para InSb crecido en el substrato del INP |
| 77 K | 1,1·105 cm2V-1s-1 |
| 300 K | 7,0·104 cm2V-1s-1 |
| Movilidad de pasillo del agujero contra la temperatura para diversas concentraciones de agujero.
po (cm-3):
1. 8·1014;
2. 3,15·1018;
3. 2,5·1019;
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Para el p-InSb puro en T > 60K:
µpH≈850 (T/300) - 1,8 (cm2V-1s-1)
| Movilidad de pasillo contra concentraciones de agujero:
1. 77 K
2. 290K |
| El factor de Pasillo del agujero contra la concentración de portador, 77 K
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Propiedades de transporte en altos campos eléctricos
| Dependencia de la velocidad de deriva del electrón, 77 K. del campo.
Las líneas llenas son el cálculo de Monte Carlo.
Los puntos son datos experimentales.
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| Coloque la dependencia de la velocidad de deriva del electrón, 77 K.
Las líneas llenas son el cálculo de Monte Carlo.
Los puntos son datos experimentales.
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| Fracción de electrones en el L-valle en función del campo eléctrico F, 77K
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| Dependencia de la frecuencia de la eficacia en modo del LSA
FO = F + F1sin (2π·pie):
Fo= 2,5 kilovoltios cm-1
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Ionización de impacto
| La dependencia de la tarifa de la generación para los electrones GN contra el campo eléctrico F, 300 K
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Para 300 K, para 30 V/cm < F < 300 V/cm:
GN (F) = 126·F2exp (F/160) (S1),
donde está F en V cm-1.
| La dependencia de la tarifa de la generación para los electrones GN contra el campo eléctrico F, 77 K
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| La dependencia de las tarifas de la ionización para el αi de los electrones contra el campo eléctrico F, T=78 K
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| La dependencia de la tarifa de la generación para el gp de los agujeros contra el campo eléctrico F, T =77K
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Parámetros de la recombinación
Para InSb puro en el curso de la vida de T≥250K del portador (los electrones y los agujeros) es determinado por la recombinación del taladro:
τn = τp ≈1/C ni2,
donde C≈5·10-26 cm-6 S1 son el coeficiente del taladro.
el ni es la concentración de portador intrínseco.
| Para T = 300 K | τn = τp≈5·10-8 s |
| Para T = 77K |
| n-tipo: el curso de la vida de agujeros | τp ~ 10-6 s |
| p-tipo: el curso de la vida de electrones | τn ~ 10-10 s |
| Dependencia de la temperatura de la velocidad de recombinación superficial para el p-InSb.
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| Dependencia de la temperatura de la velocidad de recombinación superficial para el n-InSb.
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| Coeficiente radiativo de la recombinación | ~5·10-11 cm3s-1 |
| Coeficiente del taladro | ~5·10-26 cm6s-1 |
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