P mecanografía, la oblea de InSb, 2", grado primero, Epi listo
PAM-XIAMEN proporciona crecimiento de la oblea de InSb del solo cristal (antimoniuro del indio) por el método encapsulado líquido de Czochralski (LEC). El antimoniuro del indio (InSb) se puede suministrar como obleas los finales del como-corte, grabado al agua fuerte o pulido y está disponible en una amplia gama de concentración de portador, el diámetro y thickness.PAM-XIAMEN pueden proporcionar la oblea lista de InSb del grado del epi para su uso epitaxial del MOCVD y del MBE.
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P mecanografía, la oblea de InSb, 2", grado primero, Epi listo
| Especificación de la oblea |
| Artículo | Especificaciones |
| Diámetro de la oblea | 2 ″ 50.5±0.5m m
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| Orientación cristalina | ″ 2 (111) AorB±0.1°
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| Grueso | 2 ″ 625±25um |
| Longitud plana primaria | 2 ″ 16±2m m
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| Longitud plana secundaria | 2 ″ 8±1m m
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| Final superficial | P/E, P/P |
| Paquete | Envase de la oblea o casete Epi-listo, solo de los CF |
| Eléctrico y dopando la especificación |
| Tipo de la conducción | p-tipo |
| Dopante | Genmanium |
| Cm2s de EPD | 2 ″ ≤100 |
| ² V-1s-1 del cm de la movilidad | 8000-4000 |
| Concentración de portador cm-3 | 5*1014-3*1015 |
Propiedades termales de la oblea de InSb
| Módulo a granel | 4,7·1011 dyn cm-1 |
| Punto de fusión | °C 527 |
| Calor específico | 0,2 J g-1°C-1 |
| Conductividad termal | 0,18 W cm-1 °C-1 |
| Difusibilidad termal | 0,16 cm2s de S1 |
| Extensión termal, linear | 5,37·10-6 °C-1 |
 | Dependencia de la temperatura del n-InSb de la conductividad termal. Concentración del electrón en 78 K n (cm-3):
1. 2·1014;
2. 4,8·1016;
3. 4·1018.
La línea llena muestra la dependencia de la temperatura de la conductividad termal en las temperaturas altas |
| Dependencia de la temperatura del p-InSb de la conductividad termal.
Concentración del electrón en 78K p (cm-3):
1. 2,7·1014;
2. 5,3·1015;
3. 7,2·1017;
4. 6·1018.
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| Dependencia de la temperatura del calor específico en la presión constante.
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| Dependencia de la temperatura del coeficiente linear de la extensión (bajas temperaturas)
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| Dependencia de la temperatura del coeficiente linear de la extensión (temperaturas altas)
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| Dependencia de la temperatura de la presión de vapor de saturación del Sb
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Punto de fusión TM = 800K.
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