N mecanografía, el substrato de InSb, 3", el grado simulado
PAM-XIAMEN fabrica las obleas de InSb del solo cristal de la pureza elevada (antimoniuro del indio) para los fotodiodos o dispositivo photoelectromagnetic, los sensores del campo magnético usando magnetorresistencia o los transistores de effecto hall, rápidos (en términos de transferencia dinámica) debido a la alta movilidad de portador de InSb, en algunos de los detectores de la cámara infrarroja del arsenal en el telescopio espacial de Spitzer. Nuestros diámetros estándar de la oblea se extienden a partir de 1 pulgada a 3 pulgadas, obleas se pueden producir en los diversos gruesos y diversas orientaciones (100), (111), (110) con las obleas pulidas y las obleas en blanco. PAM-XIAMEN puede producir grados de la amplia gama: grado primero, grado de la prueba, grado simulado, grado mecánico, y grado óptico. PAM-XIAMEN también ofrecen el material de InSb a las especificaciones del cliente por la petición, además de las composiciones de encargo para los usos del anuncio publicitario y de la investigación y las nuevas tecnologías propietarias.
N mecanografía, el substrato de InSb, 3", el grado simulado
| Especificación de la oblea |
| Artículo | Especificaciones |
| Diámetro de la oblea | 3 ″ 76.2±0.4m m |
| Orientación cristalina | ″ 3 (111) AorB±0.1°
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| Grueso | 3 ″ 800or900±25um
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| Longitud plana primaria | 3 ″ 22±2m m
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| Longitud plana secundaria | 3 ″ 11±1m m
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| Final superficial | P/E, P/P |
| Paquete | Envase de la oblea o casete Epi-listo, solo de los CF |
| Eléctrico y dopando la especificación |
| Tipo de la conducción | n-tipo | n-tipo | n-tipo |
| Dopante | Telurio | Telurio bajo | Alto telurio |
| Cm2s de EPD | ≤50 |
| ² V-1s-1 del cm de la movilidad | ≥2.5*104 | ≥2.5*105 | No especificado |
| Concentración de portador cm-3 | (1-7) *1017 | 4*1014-2*1015 | ≥1*1018 |
Propiedades ópticas de la oblea de InSb
| Índice de refracción infrarrojo | 4,0 |
| Coeficiente radiativo de la recombinación | 5·10-11 cm3s-1 |
Índice de refracción infrarrojo
Para 120K < T < 360K dn/dT = 1,6·10-11·n
 | Índice de refracción n contra la energía del fotón, 300 K.
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| Reflectividad normal de la incidencia contra la energía del fotón, 300 K.
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| Coeficiente de absorción cerca del límite de absorción intrínseco, T = 2K
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Un MeV de la energía RX1= 0,5 de Rydberg del estado de tierra.
| Coeficiente de absorción cerca del límite de absorción intrínseco para diversas temperaturas
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| Límite de absorción de InSb puro. T (k):
1. 298;
2. 5K;
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| Coeficiente de absorción contra la energía del fotón, T = 300 K.
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| Coeficiente de absorción contra la energía en diversos niveles de doping, n-InSb, T del fotón = 130 K
ningún (cm-3):
1. 6,6·1013;
2. 7,5·1017;
3. 2,6·1018;
4. 6·1018;
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| Coeficiente de absorción contra la energía en diversos niveles de doping, p-InSb, T = 5K del fotón.
po (cm-3):
1. 5,5·1017;
2. 9·1017;
3. 1,6·1018;
4. 2,6·1018;
5. 9,4·1018;
6. 2·1019;
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PAM-XIAMEN es orgulloso ofrecer el substrato del fosfuro de indio para todos los diferentes tipos de proyectos. Si usted está buscando las obleas de InSb, envíenos la investigación hoy para aprender más sobre cómo podemos trabajar con usted para conseguirle las obleas de InSb que usted necesita para su proyecto siguiente. ¡Nuestro equipo del grupo está mirando adelante a proporcionar productos de calidad y el servicio excelente para usted!
