N mecanografía, el substrato de InAs, 3", grado primero
PAM-XIAMEN ofrece la oblea de InAs – arseniuro del indio que son crecidos por LEC (Czochralski encapsulado líquido) o VGF (helada vertical de la pendiente) como grado epi-listo o mecánico con el tipo de n, el tipo de p o sin impurificar en diversa orientación (111), (100) o (110). PAM-XIAMEN puede proporcionar la oblea lista de InAs del grado del epi para su uso epitaxial del MOCVD y del MBE. Entre en contacto con por favor a nuestro equipo del ingeniero para más información de la oblea.
3" especificación de la oblea de InAs
| Artículo | Especificaciones |
| Dopante | Stannum | Azufre |
| Tipo de la conducción | N-tipo | N-tipo |
| Diámetro de la oblea | 3" |
| Orientación de la oblea | (100) ±0.5° |
| Grueso de la oblea | 600±25um |
| Longitud plana primaria | 22±2m m |
| Longitud plana secundaria | 11±1m m |
| Concentración de portador | (5-20) x1017cm-3 | (1-10) x1017cm-3 |
| Movilidad | 7000-20000cm2/V.s | 6000-20000cm2/V.s |
| EPD | <5x104cm-2 | <3x104cm-2 |
| TTV | <12um |
| ARCO | <12um |
| DEFORMACIÓN | <15um |
| Marca del laser | a petición |
| Final de Suface | P/E, P/P |
| Epi listo | sí |
| Paquete | Solo envase o casete de la oblea |
¿Cuál es el proceso de InAs?
Las obleas de InAs se deben preparar antes de la fabricación del dispositivo. Para comenzar, deben ser limpiadas totalmente para quitar cualquier daño que pudiera haber ocurrido durante el proceso rebanador. Las obleas entonces químicamente mecánicamente se pulen/Plaranrized (CMP) para la etapa material final del retiro. Esto permite el logro de estupendo-plano espejo-como superficies con una aspereza restante en una escala atómica. Eso se termina después, la oblea está listo para la fabricación.
Propiedades eléctricas de la oblea de InAs
Parámetros básicos
| Campo de la avería | ≈4·104 V cm-1 |
| Movilidad de electrones | ≤4·104 cm2V-1s-1 |
| Movilidad de agujeros | ≤5·102 cm2s de V-1s-1 |
| Coeficiente de difusión de electrones | ≤103 cm2s-1 |
| Coeficiente de difusión de agujeros | cm2s de ≤13 S1 |
| Velocidad la termal del electrón | 7,7·105 m S1 |
| Velocidad la termal del agujero | 2·105 m S1 |
Movilidad y Hall Effect
 | Movilidad de pasillo del electrón contra la temperatura para diversa concentración del electrón:
no= completo 4 de los triángulos·1015 cm-3,
circunda el no= 4·1016cm-3,
abra el no= 1,7 de los triángulos·1016cm-3.
Curva-cálculo sólido para InAs puro.
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| Movilidad de pasillo del electrón contra la concentración del electrón. T = 77 K.
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| Movilidad de pasillo del electrón contra la concentración del electrón T = 300 K
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| Movilidad de pasillo del electrón (R·σ) en material compensado | Curva | n cm-3 | Na+Nd cm-3 | θ=Na/Nd | | 1 | 8,2·1016 | 3·1017 | 0,58 | | 2 | 3,2·1017 | 6,1·1018 | 0,9 | | 3 | 5,1·1016 | 3,2·1018 | 0,96 | | 4 | 3,3·1016 | 7,5·1017 | 0,91 | | 5 | 7,6·1015 | 3,4·1017 | 0,95 | | 6 | 6,4·1015 | 3,8·1017 | 0,96 | | 7 | 3,3·1015 | 3,9·1017 | 0,98 | |
| Movilidad de pasillo del electrón contra el campo magnético transversal, T = 77 K.
Nd (cm-3):
1. 1,7·1016;
2. 5,8·1016.
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En T = 300 K el factor de Pasillo del electrón en el derecho puro ~1,3 de los n-InAs.
| Movilidad de pasillo del agujero (R·σ) contra la temperatura para diversas densidades del aceptador.
Concentración de agujero en 300 K po (cm-3): 1. 5,7·1016; 2. 2,6·1017; 3. 4,2·1017; 4. 1,3·1018.
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| Coeficiente de pasillo contra la temperatura para diversas densidades del aceptador.
Concentración de agujero en 300 K po (cm-3): 1. 5,7·1016; 2. 2,6·1017; 3. 4,2·1017; 4. 1,3·1018.
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Propiedades de transporte en altos campos eléctricos
| Dependencia de estado estacionario de la velocidad de deriva del electrón, 300 K del campo,
F || (100). Cálculo teórico
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| Dependencia del campo de la velocidad de deriva del electrón en diversos campos magnéticos transversales para los pulsos largos (del microsegundo).
Resultados experimentales, 77 K
Campo magnético B (T): 1. 0,0; 2. 0,3; 3. 0,9; 4. 1,5.
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| Dependencia de la velocidad de deriva del electrón, 77 K. del campo.
Resultados de la demostración de las líneas llenas del cálculo teórico para diverso no--parabolicity
α (eV-1): 1. 2,85; 2. 2,0; 3. 1,5.
Resultados experimentales de la demostración de los puntos para muy corto (pulsos del picosegundo)
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Ionización de impacto
| La dependencia de las tarifas de la ionización para el αi y el βi contra 1/F, T =77K de los electrones de los agujeros
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Para los electrones:
αi = αoexp (- Fno/F)
αo = 1,8·105 cm-1;
Fno = 1,6·105 V cm-1 (77 K)
Para los agujeros:
βi = βoexp (- Fpo/F)
En 77 K
| 1,5·104 V cm-1 < F < 3·104 V cm-1 | 3·104 V cm-1 < F < 6·104 V cm-1 |
| βo = 4,7·105 cm-1; | βo = 4,5·106 cm-1; |
| Fpo = 0,85·105 V cm-1. | Fpo = 1,54·105 V cm-1 |
| Tarifa g de la generación contra el campo eléctrico para los campos relativamente bajos, T = 77 K.
La línea llena muestra el resultado del cálculo.
Resultados experimentales: círculos abiertos y completos - InAs sin impurificar,
abra los triángulos - InAs compensado.
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| El voltaje de avería y la avería colocan contra el doping de la densidad para un empalme precipitado del p-n, 77 K. |
Parámetros de la recombinación
| N-tipo puro material (ningún =2·10-15cm-3) |
| El curso de la vida más largo de agujeros | τp ~ 3·10-6 s |
| Longitud de difusión Lp | Lp ~ 10 - µm 20. |
| P-tipo puro material |
| El curso de la vida más largo de electrones | τn ~ 3·10-8 s |
| Longitud de difusión Ln | Ln ~ 30 - µm 60 |
Tarifas de recombinación superficiales características (cm S1) 102 - 104.
Coeficiente radiativo de la recombinación
| 77 K | 1,2·10-9 cm3s-1 |
| 298 K | 1,1·10-10 cm3s-1 |
Coeficiente del taladro
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