N mecanografía, el substrato de InAs, 3", el grado simulado
PAM-XIAMEN fabrica las obleas del arseniuro del indio del solo cristal de la pureza elevada para los usos de la optoelectrónica. Nuestros diámetros estándar de la oblea se extienden a partir de 25,4 milímetros (1 pulgada) a 100 milímetros (6 pulgadas) de tamaño; las obleas se pueden producir en diversos gruesos y orientaciones con los lados pulidos o sin pulir y pueden incluir dopantes. PAM-XIAMEN puede producir grados de la amplia gama: grado primero, grado mecánico, grado de la prueba, grado simulado, grado técnico, y grado óptico. PAM-XIAMEN también ofrece los materiales a las especificaciones del cliente por la petición, además de las composiciones de encargo para los usos del anuncio publicitario y de la investigación y las nuevas tecnologías propietarias.
3" especificación de la oblea de InAs
| Artículo | Especificaciones |
| Dopante | Stannum | Azufre |
| Tipo de la conducción | N-tipo | N-tipo |
| Diámetro de la oblea | 3" |
| Orientación de la oblea | (100) ±0.5° |
| Grueso de la oblea | 600±25um |
| Longitud plana primaria | 22±2m m |
| Longitud plana secundaria | 11±1m m |
| Concentración de portador | (5-20) x1017cm-3 | (1-10) x1017cm-3 |
| Movilidad | 7000-20000cm2/V.s | 6000-20000cm2/V.s |
| EPD | <5x104cm-2 | <3x104cm-2 |
| TTV | <12um |
| ARCO | <12um |
| DEFORMACIÓN | <15um |
| Marca del laser | a petición |
| Final de Suface | P/E, P/P |
| Epi listo | sí |
| Paquete | Solo envase o casete de la oblea |
¿Cuál es oblea de InAs?
El arseniuro del indio es una clase de material del semiconductor de compuesto de III-V integrado por el indio y el arsénico. Es un sólido de los gris plateados con una estructura cristalina de la esfalerita en la temperatura ambiente. El constante del enrejado es 0.6058nm, y la densidad es los 5.66g/cm (sólido) y los 5.90g/cm (líquido en el punto de fusión). La estructura de banda es una transición directa con un hueco de banda (300K) de 0.45ev la presión de la disociación de al igual que solamente 0.033mpa, y el solo cristal se puede crecer del derretimiento en la presión atmosférica. Los métodos de uso general son Hb y LEC. InAs es una clase de material del semiconductor que sea difícil de purificar. La concentración de portador residual es más alta que l × 10/cm, la movilidad de electrón de la temperatura ambiente es 3,3 el ^ los 3cm/(del × 10 V · s), y la movilidad de agujero es los 460cm/(V · s). El coeficiente de segregación eficaz de azufre adentro adentro y al igual que cercano a 1, así que él se utiliza como n-tipo dopante para mejorar la uniformidad de la distribución longitudinal de la concentración de portador. Para el solo cristal de InAs (s) industrial, × 10/cm3, × el 10cm/(del ≥ 1 de n del ≤ 2,0 del μ V · s), × 10/cm3 del ≤ 5 de EPD.
El cristal de InAs tiene alto movilidad de electrón y ratio de la movilidad (μ E/μ H = 70), efecto bajo de la resistencia del magneto y coeficiente de temperatura bajo de la resistencia. Es un material ideal para fabricar los dispositivos de pasillo y los dispositivos de la resistencia del magneto. La longitud de onda de la emisión de InAs es 3,34 el μ M. en GaAs B, InAsPSb y los materiales epitaxiales múltiples del inasb con hacer juego de enrejado se pueden crecer en el substrato de InAs. Los lasers y los detectores para la comunicación de fibra óptica en 2-4 la banda del μ M pueden ser manufacturados.
Propiedades ópticas de la oblea de InAs
| Índice de refracción infrarrojo | ≈3.51 (300 K) |
| Coeficiente radiativo de la recombinación | 1,1·10-10 cm3/s |
| De onda larga al hνTO de la energía del fonón | MeV ≈27 (300 K) |
| HνLO de onda larga de la energía del fonón de LO | MeV ≈29 (300 K) |
 | Índice de refracción n contra energía del fotón.
La curva sólida es cálculo teórico.
Los puntos representan los datos experimentales, 300 K. |
Para el µm 3,75 < el λ < µm 33
n = [11,1 + 0,71/(1-6.5·λ-2) + 2,75/(1-2085·λ-2) - 6·10-4·λ2)]el 1/2,
donde está la longitud de onda el λ en el µn (300 K)
| Reflectividad normal de la incidencia contra la energía del fotón, 300 K
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| Coeficiente de absorción cerca del límite de absorción intrínseco para los n-InAs.
T=4.2 K
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| Coeficiente de absorción contra la energía del fotón para diversa concentración dispensadora de aceite, 300 K
n (cm-3): 1. 3,6·1016, 2. 6·1017, 3. 3,8·1018.
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Un MeV de la energía RX1= 3,5 de Rydberg del estado de tierra
| Coeficiente de absorción contra la energía del fotón, T = 300 K
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| Absorción libre del portador contra longitud de onda en diversas concentraciones del electrón. T=300 K.
ningún (cm-3): 1. 3,9·1018; 2. 7,8·1017; 3. 2,5·1017; 4. 2,8·1016;
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