N mecanografía, la oblea del arseniuro del indio, 4", grado primero
PAM-XIAMEN proporciona la oblea de InAs del solo cristal (arseniuro del indio) para los detectores infrarrojos, detectores fotovoltaicos de los fotodiodos, lasers del diodo en usos más de poco ruido o más de alta potencia en la temperatura ambiente. en diámetro hasta 4 pulgadas. El cristal de (InAs) del arseniuro del indio es formado por dos elementos, indios y arseniuros, crecimiento por el método encapsulado líquido de Czochralski (LEC) o el método de VGF. El IS-IS de la oblea de InAs similar al arseniuro de galio y es un material directo del bandgap.
El arseniuro del indio se utiliza a veces así como el fosfuro de indio. Aleado con el arseniuro de galio forma el arseniuro de galio del indio - un material con el dependiente del hueco de banda en ratio de In/Ga, un método principalmente similar al nitruro de aleación del indio con el nitruro del galio para rendir el nitruro del galio del indio. PAM-XIAMEN puede proporcionar la oblea lista de InAs del grado del epi para su uso epitaxial del MOCVD y del MBE. Entre en contacto con por favor a nuestro equipo del ingeniero para más información de la oblea.
4" especificación de la oblea de InAs
| Artículo | Especificaciones |
| Dopante | Stannum | Azufre |
| Tipo de la conducción | N-tipo | N-tipo |
| Diámetro de la oblea | 4" |
| Orientación de la oblea | (100) ±0.5° |
| Grueso de la oblea | 900±25um |
| Longitud plana primaria | 16±2m m |
| Longitud plana secundaria | 8±1m m |
| Concentración de portador | (5-20) x1017cm-3 | (1-10) x1017cm-3 |
| Movilidad | 7000-20000cm2/V.s | 6000-20000cm2/V.s |
| EPD | <5x104cm-2 | <3x104cm-2 |
| TTV | <15um |
| ARCO | <15um |
| DEFORMACIÓN | <20um |
| Marca del laser | a petición |
| Final de Suface | P/E, P/P |
| Epi listo | sí |
| Paquete | Solo envase o casete de la oblea |
¿Cuál es una oblea de la prueba de InAs?
La mayoría de las obleas de la prueba son las obleas que han caído de especificaciones primeras. Las obleas de la prueba se pueden utilizar para funcionar con los maratones, equipo de prueba y para R y la D. de gama alta. Son a menudo una alternativa rentable para preparar las obleas.
Propiedades termales de la oblea de InAs
| Módulo a granel | 5,8·cm2s de 1011 dyn |
| Punto de fusión | °C 942 |
| Calor específico | 0,25 J g-1 °C-1 |
| Conductividad termal | 0,27 W cm-1 °C-1 |
| Difusibilidad termal | 0,19 cm2s-1 |
| Extensión termal, linear | 4,52·10-6 °C-1 |
 | Dependencia de la temperatura de la conductividad termal.
n-tipo muestra, ninguna (cm-3): 1. 1,6·1016; 2. 2,0·1017;
p-tipo muestra, po (cm-3): 3. 2,0·1017.
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| Dependencias de la temperatura de la conductividad termal para las temperaturas altas
Concentración del electrón
ningún (cm-3): 1. 5·1016; 2. 2·1016; 3. 3·1016. |
| Dependencia de la temperatura del calor específico en la presión constante
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Para 298K < T < 1215K
Cp= 0,240 + 3,97·10-5·T (J g-1°C -1).
| Dependencia de la temperatura del coeficiente linear de la extensión
(baja temperatura)
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| Dependencia de la temperatura del coeficiente linear de la extensión
(temperatura alta)
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| Dependencias de la temperatura del coeficiente de Nernst (efecto transversal de Nernst-Ettinghausen)
Concentración del electrón en 77K
ningún (cm-3): 1. 2,96·1016; 2. 4,46·1016; 3. 8,43·1016; 4. 4,53·1017; 5. 1,56·1018; 6. 2,28·1018; 7. 5·1018; 8. 1,68·1019.
|
Punto de fusión TM = K. 1215.
Presión de vapor saturado (en PASCAL):
para 950 K - 2·10-3,
para 1000 K - 10-2,
para 1050 K - 10-1.
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