P mecanografía, la oblea de InAs, 2", grado de la prueba
PAM-XIAMEN ofrece la oblea de InAs – arseniuro del indio que son crecidos por LEC (Czochralski encapsulado líquido) o VGF (helada vertical de la pendiente) como grado epi-listo o mecánico con el tipo de n, el tipo de p o sin impurificar en diversa orientación (111), (100) o (110). PAM-XIAMEN puede proporcionar la oblea lista de InAs del grado del epi para su uso epitaxial del MOCVD y del MBE. Entre en contacto con por favor a nuestro equipo del ingeniero para más información de la oblea.
2" especificación de la oblea de InAs
| Artículo | Especificaciones |
| Dopante | Cinc |
| Tipo de la conducción | P-tipo |
| Diámetro de la oblea | 2" |
| Orientación de la oblea | (100) ±0.5° |
| Grueso de la oblea | 500±25um |
| Longitud plana primaria | 16±2m m |
| Longitud plana secundaria | 8±1m m |
| Concentración de portador | (1-10) x1017cm-3 |
| Movilidad | 100-400cm2/V.s |
| EPD | <3x104cm-2 |
| TTV | <10um |
| ARCO | <10um |
| DEFORMACIÓN | <12um |
| Marca del laser | a petición |
| Final de Suface | P/E, P/P |
| Epi listo | sí |
| Paquete | Solo envase o casete de la oblea |
¿Cuál es el proceso de InAs?
Las obleas de InAs se deben preparar antes de la fabricación del dispositivo. Para comenzar, deben ser limpiadas totalmente para quitar cualquier daño que pudiera haber ocurrido durante el proceso rebanador. Las obleas entonces químicamente mecánicamente se pulen/Plaranrized (CMP) para la etapa material final del retiro. Esto permite el logro de estupendo-plano espejo-como superficies con una aspereza restante en una escala atómica. Eso se termina después, la oblea está listo para la fabricación.
Concentración de la estructura y de portador de banda de oblea de InAs
Parámetros básicos
| Hueco de energía | 0,354 eV |
| Separación de la energía (EΓL) entre Γ y L valles | 0,73 eV |
| Separación de la energía (EΓX) entre los valles de Γ y de X | eV 1,02 |
| El partir vuelta-orbital de la energía | 0,41 eV |
| Concentración de portador intrínseco | 1·1015 cm-3 |
| Resistencia intrínseca | 0,16 Ω·cm |
| Densidad eficaz de la banda de conducción de estados | 8,7·1016 cm-3 |
| Densidad eficaz de la banda de la valencia de estados | 6,6·1018 cm-3 |
 | Concentración de la estructura y de portador de banda de InAs.
Los mínimos importantes de la banda de conducción y de los máximos de la valencia congriegan.
Eg. = 0,35 eV
EV 1,08 de EL=
EV 1,37 de EX=
Eso = 0,41 eV |
Dependencias de la temperatura
Dependencia de la temperatura del hueco de energía directo
Eg. = 0,415 - 2,76·10-4·T2/(T+83) (eV),
donde está temperatura T los grados K (0 <T < 300).
Densidad eficaz de estados en la banda de conducción
Nc≈1.68·1013·T3/2 (cm-3).
Densidad eficaz de estados en la banda de la valencia
Nv≈ 1,27·1015·T3/2 (cm-3).
| Las dependencias de la temperatura de la concentración de portador intrínseco. |
| Nivel de Fermi contra la temperatura para diversas concentraciones de donantes y de aceptadores bajos. |
Dependencias de la presión hidrostática
Eg. ≈Eg. (0) + 4,8·10-3P (eV)
EL DEL≈ (0) + 3,2·10-3P (eV)
donde está presión P en kbar
Energía Gap que se estrecha en el alto que dopa niveles
| Hueco de energía que se estrecha contra el donante (curva 1) y aceptador (curva 2) que dopa densidad.
Las curvas son el acordar calculado
Los puntos muestran los resultados experimentales para los n-InAs |
Para el n-tipo InAs
ΔEg = 14,0·10-9·Nd1/3 + 1,97·10-7·Nd1/4 + 57,9·10-12·Nd1/2 (eV)
Para el p-tipo InAs
ΔEg = 8,34·10-9·Na1/3 + 2,91·10-7·Na1/4 + 4,53·10-12·Na1/2 (eV)
Masas eficaces
Electrones:
| Masa eficaz del electrón contra la concentración del electrón
|
| Para el Γ-valle | mΓ = 0.023mo |
Nonparabolicity:
E (1+αE) = h2k2/(2mΓ) | α = 1,4 (eV-1) |
| En la masa eficaz del L-valle de la densidad de estados | mL=0.29mo |
| En la masa eficaz del X-valle de la densidad de estados | mX=0.64mo |
Agujeros:
| Pesado | Mh = 0.41mo |
| Luz | mlp = 0.026mo |
| Banda de la fractura-apagado | mso = 0.16mo |
Masa eficaz de la densidad de estados milivoltio = 0.41mo
Donantes y aceptadores
Energías de ionización de donantes bajos
≥ 0,001 (eV): SE, S, Te, GE, Si, Sn, Cu
Energías de ionización de los aceptadores bajos, eV
| Sn | GE | Si | Cd | Zn |
| 0,01 | 0,014 | 0,02 | 0,015 | 0,01 |
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