P mecanografía, el substrato de InAs, 3", grado primero
PAM-XIAMEN fabrica las obleas del arseniuro del indio del solo cristal de la pureza elevada para los usos de la optoelectrónica. Nuestros diámetros estándar de la oblea se extienden a partir de 25,4 milímetros (1 pulgada) a 100 milímetros (6 pulgadas) de tamaño; las obleas se pueden producir en diversos gruesos y orientaciones con los lados pulidos o sin pulir y pueden incluir dopantes. PAM-XIAMEN puede producir grados de la amplia gama: grado primero, grado mecánico, grado de la prueba, grado simulado, grado técnico, y grado óptico. PAM-XIAMEN también ofrece los materiales a las especificaciones del cliente por la petición, además de las composiciones de encargo para los usos del anuncio publicitario y de la investigación y las nuevas tecnologías propietarias.
3" especificación de la oblea de InAs
| Artículo | Especificaciones |
| Dopante | Cinc |
| Tipo de la conducción | P-tipo |
| Diámetro de la oblea | 3" |
| Orientación de la oblea | (100) ±0.5° |
| Grueso de la oblea | 600±25um |
| Longitud plana primaria | 22±2m m |
| Longitud plana secundaria | 11±1m m |
| Concentración de portador | (1-10) x1017cm-3 |
| Movilidad | 100-400cm2/V.s |
| EPD | <3x104cm-2 |
| TTV | <12um |
| ARCO | <12um |
| DEFORMACIÓN | <15um |
| Marca del laser | a petición |
| Final de Suface | P/E, P/P |
| Epi listo | sí |
| Paquete | Solo envase o casete de la oblea |
¿Cuál es oblea de InAs?
El arseniuro del indio es una clase de material del semiconductor de compuesto de III-V integrado por el indio y el arsénico. Es un sólido de los gris plateados con una estructura cristalina de la esfalerita en la temperatura ambiente. El constante del enrejado es 0.6058nm, y la densidad es los 5.66g/cm (sólido) y los 5.90g/cm (líquido en el punto de fusión). La estructura de banda es una transición directa con un hueco de banda (300K) de 0.45ev la presión de la disociación de al igual que solamente 0.033mpa, y el solo cristal se puede crecer del derretimiento en la presión atmosférica. Los métodos de uso general son Hb y LEC. InAs es una clase de material del semiconductor que sea difícil de purificar. La concentración de portador residual es más alta que l × 10/cm, la movilidad de electrón de la temperatura ambiente es 3,3 el ^ los 3cm/(del × 10 V · s), y la movilidad de agujero es los 460cm/(V · s). El coeficiente de segregación eficaz de azufre adentro adentro y al igual que cercano a 1, así que él se utiliza como n-tipo dopante para mejorar la uniformidad de la distribución longitudinal de la concentración de portador. Para el solo cristal de InAs (s) industrial, × 10/cm3, × el 10cm/(del ≥ 1 de n del ≤ 2,0 del μ V · s), × 10/cm3 del ≤ 5 de EPD.
El cristal de InAs tiene alto movilidad de electrón y ratio de la movilidad (μ E/μ H = 70), efecto bajo de la resistencia del magneto y coeficiente de temperatura bajo de la resistencia. Es un material ideal para fabricar los dispositivos de pasillo y los dispositivos de la resistencia del magneto. La longitud de onda de la emisión de InAs es 3,34 el μ M. en GaAs B, InAsPSb y los materiales epitaxiales múltiples del inasb con hacer juego de enrejado se pueden crecer en el substrato de InAs. Los lasers y los detectores para la comunicación de fibra óptica en 2-4 la banda del μ M pueden ser manufacturados.
¿Cuál es una oblea de la prueba de InAs?
La mayoría de las obleas de la prueba son las obleas que han caído de especificaciones primeras. Las obleas de la prueba se pueden utilizar para funcionar con los maratones, equipo de prueba y para R y la D. de gama alta. Son a menudo una alternativa rentable para preparar las obleas.
Propiedades eléctricas de la oblea de InAs
Parámetros básicos
| Campo de la avería | ≈4·104 V cm-1 |
| Movilidad de electrones | ≤4·104 cm2V-1s-1 |
| Movilidad de agujeros | ≤5·102 cm2s de V-1s-1 |
| Coeficiente de difusión de electrones | ≤103 cm2s-1 |
| Coeficiente de difusión de agujeros | cm2s de ≤13 S1 |
| Velocidad la termal del electrón | 7,7·105 m S1 |
| Velocidad la termal del agujero | 2·105 m S1 |
Movilidad y Hall Effect
 | Movilidad de pasillo del electrón contra la temperatura para diversa concentración del electrón:
no= completo 4 de los triángulos·1015 cm-3,
circunda el no= 4·1016cm-3,
abra el no= 1,7 de los triángulos·1016cm-3.
Curva-cálculo sólido para InAs puro.
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| Movilidad de pasillo del electrón contra la concentración del electrón. T = 77 K.
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| Movilidad de pasillo del electrón contra la concentración del electrón T = 300 K
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| Movilidad de pasillo del electrón (R·σ) en material compensado | Curva | n cm-3 | Na+Nd cm-3 | θ=Na/Nd | | 1 | 8,2·1016 | 3·1017 | 0,58 | | 2 | 3,2·1017 | 6,1·1018 | 0,9 | | 3 | 5,1·1016 | 3,2·1018 | 0,96 | | 4 | 3,3·1016 | 7,5·1017 | 0,91 | | 5 | 7,6·1015 | 3,4·1017 | 0,95 | | 6 | 6,4·1015 | 3,8·1017 | 0,96 | | 7 | 3,3·1015 | 3,9·1017 | 0,98 | |
| Movilidad de pasillo del electrón contra el campo magnético transversal, T = 77 K.
Nd (cm-3):
1. 1,7·1016;
2. 5,8·1016.
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En T = 300 K el factor de Pasillo del electrón en el derecho puro ~1,3 de los n-InAs.
| Movilidad de pasillo del agujero (R·σ) contra la temperatura para diversas densidades del aceptador.
Concentración de agujero en 300 K po (cm-3): 1. 5,7·1016; 2. 2,6·1017; 3. 4,2·1017; 4. 1,3·1018.
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| Coeficiente de pasillo contra la temperatura para diversas densidades del aceptador.
Concentración de agujero en 300 K po (cm-3): 1. 5,7·1016; 2. 2,6·1017; 3. 4,2·1017; 4. 1,3·1018.
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Propiedades de transporte en altos campos eléctricos
| Dependencia de estado estacionario de la velocidad de deriva del electrón, 300 K del campo,
F || (100). Cálculo teórico
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| Dependencia del campo de la velocidad de deriva del electrón en diversos campos magnéticos transversales para los pulsos largos (del microsegundo).
Resultados experimentales, 77 K
Campo magnético B (T): 1. 0,0; 2. 0,3; 3. 0,9; 4. 1,5.
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| Dependencia de la velocidad de deriva del electrón, 77 K. del campo.
Resultados de la demostración de las líneas llenas del cálculo teórico para diverso no--parabolicity
α (eV-1): 1. 2,85; 2. 2,0; 3. 1,5.
Resultados experimentales de la demostración de los puntos para muy corto (pulsos del picosegundo)
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Ionización de impacto
| La dependencia de las tarifas de la ionización para el αi y el βi contra 1/F, T =77K de los electrones de los agujeros
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Para los electrones:
αi = αoexp (- Fno/F)
αo = 1,8·105 cm-1;
Fno = 1,6·105 V cm-1 (77 K)
Para los agujeros:
βi = βoexp (- Fpo/F)
En 77 K
| 1,5·104 V cm-1 < F < 3·104 V cm-1 | 3·104 V cm-1 < F < 6·104 V cm-1 |
| βo = 4,7·105 cm-1; | βo = 4,5·106 cm-1; |
| Fpo = 0,85·105 V cm-1. | Fpo = 1,54·105 V cm-1 |
| Tarifa g de la generación contra el campo eléctrico para los campos relativamente bajos, T = 77 K.
La línea llena muestra el resultado del cálculo.
Resultados experimentales: círculos abiertos y completos - InAs sin impurificar,
abra los triángulos - InAs compensado.
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| El voltaje de avería y la avería colocan contra el doping de la densidad para un empalme precipitado del p-n, 77 K. |
Parámetros de la recombinación
| N-tipo puro material (ningún =2·10-15cm-3) |
| El curso de la vida más largo de agujeros | τp ~ 3·10-6 s |
| Longitud de difusión Lp | Lp ~ 10 - µm 20. |
| P-tipo puro material |
| El curso de la vida más largo de electrones | τn ~ 3·10-8 s |
| Longitud de difusión Ln | Ln ~ 30 - µm 60 |
Tarifas de recombinación superficiales características (cm S1) 102 - 104.
Coeficiente radiativo de la recombinación
| 77 K | 1,2·10-9 cm3s-1 |
| 298 K | 1,1·10-10 cm3s-1 |
Coeficiente del taladro
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