P mecanografía, el substrato de InAs, 3", el grado simulado
PAM-XIAMEN proporciona la oblea de InAs del solo cristal (arseniuro del indio) para los detectores infrarrojos, detectores fotovoltaicos de los fotodiodos, lasers del diodo en usos más de poco ruido o más de alta potencia en la temperatura ambiente. en diámetro hasta 4 pulgadas. El cristal de (InAs) del arseniuro del indio es formado por dos elementos, indios y arseniuros, crecimiento por el método encapsulado líquido de Czochralski (LEC) o el método de VGF. El IS-IS de la oblea de InAs similar al arseniuro de galio y es un material directo del bandgap.
El arseniuro del indio se utiliza a veces así como el fosfuro de indio. Aleado con el arseniuro de galio forma el arseniuro de galio del indio - un material con el dependiente del hueco de banda en ratio de In/Ga, un método principalmente similar al nitruro de aleación del indio con el nitruro del galio para rendir el nitruro del galio del indio. PAM-XIAMEN puede proporcionar la oblea lista de InAs del grado del epi para su uso epitaxial del MOCVD y del MBE. Entre en contacto con por favor a nuestro equipo del ingeniero para más información de la oblea.
3" especificación de la oblea de InAs
| Artículo | Especificaciones |
| Dopante | Cinc |
| Tipo de la conducción | P-tipo |
| Diámetro de la oblea | 3" |
| Orientación de la oblea | (100) ±0.5° |
| Grueso de la oblea | 600±25um |
| Longitud plana primaria | 22±2m m |
| Longitud plana secundaria | 11±1m m |
| Concentración de portador | (1-10) x1017cm-3 |
| Movilidad | 100-400cm2/V.s |
| EPD | <3x104cm-2 |
| TTV | <12um |
| ARCO | <12um |
| DEFORMACIÓN | <15um |
| Marca del laser | a petición |
| Final de Suface | P/E, P/P |
| Epi listo | sí |
| Paquete | Solo envase o casete de la oblea |
¿Cuál es una oblea de la prueba de InAs?
La mayoría de las obleas de la prueba son las obleas que han caído de especificaciones primeras. Las obleas de la prueba se pueden utilizar para funcionar con los maratones, equipo de prueba y para R y la D. de gama alta. Son a menudo una alternativa rentable para preparar las obleas.
Propiedades ópticas de la oblea de InAs
| Índice de refracción infrarrojo | ≈3.51 (300 K) |
| Coeficiente radiativo de la recombinación | 1,1·10-10 cm3/s |
| De onda larga al hνTO de la energía del fonón | MeV ≈27 (300 K) |
| HνLO de onda larga de la energía del fonón de LO | MeV ≈29 (300 K) |
 | Índice de refracción n contra energía del fotón.
La curva sólida es cálculo teórico.
Los puntos representan los datos experimentales, 300 K. |
Para el µm 3,75 < el λ < µm 33
n = [11,1 + 0,71/(1-6.5·λ-2) + 2,75/(1-2085·λ-2) - 6·10-4·λ2)]el 1/2,
donde está la longitud de onda el λ en el µn (300 K)
| Reflectividad normal de la incidencia contra la energía del fotón, 300 K
|
| Coeficiente de absorción cerca del límite de absorción intrínseco para los n-InAs.
T=4.2 K
|
| Coeficiente de absorción contra la energía del fotón para diversa concentración dispensadora de aceite, 300 K
n (cm-3): 1. 3,6·1016, 2. 6·1017, 3. 3,8·1018.
|
Un MeV de la energía RX1= 3,5 de Rydberg del estado de tierra
| Coeficiente de absorción contra la energía del fotón, T = 300 K
|
| Absorción libre del portador contra longitud de onda en diversas concentraciones del electrón. T=300 K.
ningún (cm-3): 1. 3,9·1018; 2. 7,8·1017; 3. 2,5·1017; 4. 2,8·1016;
|
¿Usted está buscando una oblea de InAs?
¡PAM-XIAMEN es su ir-al lugar para todo las obleas, incluyendo las obleas de InAs, como lo hemos estado haciendo por casi 30 años! Investigúenos hoy para aprender más sobre las obleas que ofrecemos y cómo podemos ayudarle con su proyecto siguiente. ¡Nuestro equipo del grupo está mirando adelante a proporcionar productos de calidad y el servicio excelente para usted!
