PAM-XIAMEN ofrece la oblea del INP del semiconductor compuesto - fosfuro de indio que son crecidos por LEC (Czochralski encapsulado líquido) o VGF (helada vertical de la pendiente) como grado epi-listo o mecánico con el tipo de n, el tipo de p o semiaislante en diversa orientación (111) o (100).
El fosfuro de indio (InP) es un semiconductor binario integrado por el indio y el fósforo. Tiene (“blenda de cinc”) una estructura cristalina cúbica cara-centrada, idéntica a la del GaAs y la mayor parte de los semiconductores de III-V. El fosfuro de indio se puede preparar de la reacción del yoduro del fósforo blanco y del indio [clarificación necesaria] en 400 °C., [5] también por la combinación directa de los elementos purificados en la temperatura alta y la presión, o por la descomposición termal de una mezcla de un compuesto y de un fosfuro del indio del trialkyl. El INP se utiliza en la electrónica de alta potencia y de alta frecuencia [citación necesaria] debido a su velocidad superior del electrón en cuanto a los semiconductores mas comunes silicio y al arseniuro de galio.
Aquí está la especificación de detalle:
2" (50.8m m) especificación de la oblea del INP
3" (76.2m m) especificación de la oblea del INP
4" (100m m) oblea Specificatio del INP
2" especificación de la oblea del INP
| Artículo |
Especificaciones |
| Dopante |
N-tipo |
N-tipo |
P-tipo |
SI-tipo |
| Tipo de la conducción |
Sin impurificar |
Azufre |
Cinc |
lron |
| Diámetro de la oblea |
2" |
| Orientación de la oblea |
(100) ±0.5° |
| Grueso de la oblea |
350±25um |
| Longitud plana primaria |
16±2m m |
| Longitud plana secundaria |
8±1m m |
| Concentración de portador |
3x1016cm-3 |
(0.8-6) x1018cm-3 |
(0.6-6) x1018cm-3 |
N/A |
| Movilidad |
(3.5-4) x103cm2/V.s |
(1.5-3.5) x103cm2/V.s |
50-70x103cm2/V.s |
>1000cm2/V.s |
| Resistencia |
N/A |
N/A |
N/A |
N/A |
| EPD |
<1000cm>-2 |
<500cm>-2 |
<1x10>3cm2s |
<5x10>3cm2s |
| TTV |
<10um>
|
| ARCO |
<10um>
|
| DEFORMACIÓN |
<12um>
|
| Marca del laser |
a petición |
| Final de Suface |
P/E, P/P |
| Epi listo |
sí |
| Paquete |
Solo envase o casete de la oblea |
3" especificación de la oblea del INP
| Artículo |
Especificaciones |
| Dopante |
N-tipo |
N-tipo |
P-tipo |
SI-tipo |
| Tipo de la conducción |
Sin impurificar |
Azufre |
Cinc |
lron |
| Diámetro de la oblea |
3" |
| Orientación de la oblea |
(100) ±0.5° |
| Grueso de la oblea |
600±25um |
| Longitud plana primaria |
16±2m m |
| Longitud plana secundaria |
8±1m m |
| Concentración de portador |
≤3x1016cm-3 |
(0.8-6) x1018cm-3 |
(0.6-6) x1018cm-3 |
N/A |
| Movilidad |
(3.5-4) x103cm2/V.s |
(1.5-3.5) x103cm2/V.s |
50-70x103cm2/V.s |
>1000cm2/V.s |
| Resistencia |
N/A |
N/A |
N/A |
N/A |
| EPD |
<1000cm>-2 |
<500cm>-2 |
<1x10>3cm2s |
<5x10>3cm2s |
| TTV |
<12um>
|
| ARCO |
<12um>
|
| DEFORMACIÓN |
<15um>
|
| Marca del laser |
a petición |
| Final de Suface |
P/E, P/P |
| Epi listo |
sí |
| Paquete |
Solo envase o casete de la oblea |
4" especificación de la oblea del INP
| Artículo |
Especificaciones |
| Dopante |
N-tipo |
N-tipo |
P-tipo |
SI-tipo |
| Tipo de la conducción |
Sin impurificar |
Azufre |
Cinc |
lron |
| Diámetro de la oblea |
4" |
| Orientación de la oblea |
(100) ±0.5° |
| Grueso de la oblea |
600±25um |
| Longitud plana primaria |
16±2m m |
| Longitud plana secundaria |
8±1m m |
| Concentración de portador |
≤3x1016cm-3 |
(0.8-6) x1018cm-3 |
(0.6-6) x1018cm-3 |
N/A |
| Movilidad |
(3.5-4) x103cm2/V.s |
(1.5-3.5) x103cm2/V.s |
50-70x103cm2/V.s |
>1000cm2/V.s |
| Resistencia |
N/A |
N/A |
N/A |
N/A |
| EPD |
<1000cm>-2 |
<500cm>-2 |
<1x10>3cm2s |
<5x10>3cm2s |
| TTV |
<15um>
|
| ARCO |
<15um>
|
| DEFORMACIÓN |
<15um>
|
| Marca del laser |
a petición |
| Final de Suface |
P/E, P/P |
| Epi listo |
sí |
| Paquete |
Solo envase o casete de la oblea |
