N mecanografía, la oblea de semiconductor del INP (fosfuro de indio), 2", grado de la prueba
PAM-XIAMEN fabrica las obleas del fosfuro de indio del solo cristal de la pureza elevada para los usos de la optoelectrónica. Nuestros diámetros estándar de la oblea se extienden a partir de 25,4 milímetros (1 pulgada) a 200 milímetros (6 pulgadas) de tamaño; las obleas se pueden producir en diversos gruesos y orientaciones con los lados pulidos o sin pulir y pueden incluir dopantes. PAM-XIAMEN puede producir grados de la amplia gama: grado primero, grado de la prueba, grado simulado, grado técnico, y grado óptico. PAM-XIAMEN también ofrecen los materiales a las especificaciones del cliente por la petición, además de las composiciones de encargo para los usos del anuncio publicitario y de la investigación y las nuevas tecnologías propietarias.
N mecanografía, la oblea del INP, 2", grado de la prueba
| 2" especificación de la oblea del INP |
|
|
|
| Artículo |
Especificaciones |
| Tipo de la conducción |
N-tipo |
N-tipo |
| Dopante |
Sin impurificar |
Azufre |
| Diámetro de la oblea |
2" |
| Orientación de la oblea |
100±0.5° |
| Grueso de la oblea |
350±25um |
| Longitud plana primaria |
16±2m m |
| Longitud plana secundaria |
8±1m m |
| Concentración de portador |
≤3x1016cm-3 |
(0.8-6) x1018cm-3 |
(0.6-6) x1018cm-3 |
N/A |
| Movilidad |
(3.5-4) x103cm2/V.s |
(1.5-3.5) x103cm2/V.s |
50-70cm2/V.s |
>1000cm2/V.s |
| Resistencia |
N/A |
N/A |
N/A |
>0.5x107Ωcm |
| EPD |
<1000cm>-2 |
<500cm>-2 |
<1x10>3cm-2 |
<5x10>3cm-2 |
| TTV |
<10um>
|
| ARCO |
<10um>
|
| DEFORMACIÓN |
<12um>
|
| Marca del laser |
a petición |
| Final de Suface |
P/E, P/P |
| Epi listo |
sí |
| Paquete |
Solo envase o casete de la oblea |
¿Cuál es oblea del INP?
El fosfuro de indio es un similar material semiconductor al GaAs y al silicio pero es mucho un producto muy especializado. Es muy eficaz en desarrollar el proceso muy de alta velocidad y es más costoso que el GaAs debido a las grandes longitudes recolectar y desarrollar los ingredientes. Hechemos una ojeada más hechos sobre el fosfuro de indio como pertenece a una oblea del INP.
Parámetros de la recombinación
| N-tipo puro material (ningún ~ 10-14cm-3) |
|
| El curso de la vida más largo de agujeros |
τp ~ 3·10-6 s |
| Longitud de difusión Lp = (DP·τp) el 1/2 |
Lp ~ µm 40. |
| P-tipo puro material (po ~ 1015cm-3) |
|
| (a) nivel bajo de la inyección |
|
| El curso de la vida más largo de electrones |
τn ~ 2·10-9 s |
| Longitud de difusión Ln = (Dn·τn) el 1/2 |
Ln ~ µm 8 |
| (b) alto nivel de la inyección (trampas llenadas) |
|
| El curso de la vida más largo de electrones |
τ ~ 10-8 s |
| Longitud de difusión Ln |
Ln ~ µm 25 |
 |
Velocidad de recombinación superficial contra el calor de la reacción por el átomo de cada fosfuro ΔHR del metal
( del de Rosenwaks y otros [1990]). |
Si el nivel de Fermi superficial EFS se fija cerca del espacio medio (EFS~Eg. /2) la velocidad de recombinación superficial aumenta a partir del ~5·10-3cm/s para dopar el nivel no~3·1015 cm-3 a ~106 cm/s para dopar el nivel ningún ~ 3·1018cm-3 ( del de Bothra y otros [1991]).
| Coeficiente radiativo de la recombinación (300 K) |
1,2·10-10 cm3/s |
| Coeficiente del taladro (300 K) |
~9·10-31 cm6/s |
Aplicaciones
El INP se utiliza en la electrónica de alta potencia y de alta frecuencia [citación necesaria] debido a su velocidad superior del electrón en cuanto a los semiconductores mas comunes silicio y al arseniuro de galio.
Fue utilizado con el arseniuro de galio del indio para hacer un expediente que rompía la heterounión seudo-mórfica el transistor bipolar que podría actuar en 604 gigahertz.
También tiene un bandgap directo, haciéndolo útil para los dispositivos de la optoelectrónica como los diodos láser. La compañía Infinera utiliza el fosfuro de indio como su material tecnológico importante para fabricar los circuitos integrados fotónicos para la industria óptica de las telecomunicaciones, para permitir usos de la multiplexación de la longitud de onda-división.
El INP también se utiliza como substrato para los dispositivos optoelectrónicos basados epitaxiales del arseniuro de galio del indio.
¿Usted está buscando una oblea del INP?
¡PAM-XIAMEN es su ir-al lugar para todo las obleas, incluyendo las obleas del INP, como lo hemos estado haciendo por casi 30 años! Investigúenos hoy para aprender más sobre las obleas que ofrecemos y cómo podemos ayudarle con su proyecto siguiente. ¡Nuestro equipo del grupo está mirando adelante a proporcionar productos de calidad y el servicio excelente para usted!
