Tipo de N, substrato del INP con (100), (111) u orientación (de 110), 3", grado simulado

N mecanografía, el substrato del INP, 3", el grado simulado

PAM-XIAMEN fabrica las obleas del fosfuro de indio del solo cristal de la pureza elevada para el uso de la optoelectrónica. Nuestros diámetros estándar de la oblea se extienden a partir de 25,4 milímetros (1 pulgada) a 200 milímetros (6 pulgadas) de tamaño; las obleas se pueden producir en diversos gruesos y orientaciones con los lados pulidos o sin pulir y pueden incluir dopantes. PAM-XIAMEN puede producir grados de la amplia gama: grado primero, grado de la prueba, grado simulado, grado técnico, y grado óptico. PAM-XIAMEN también ofrecen los materiales a las especificaciones del cliente por la petición, además de las composiciones de encargo para los usos del anuncio publicitario y de la investigación y las nuevas tecnologías propietarias.

N mecanografía, el substrato del INP, 3", el grado simulado

Limpieza de la oblea

La limpieza de la oblea es una parte integrante de la industria de la oblea. El proceso de la limpieza implica el retiro de impurezas de partículas y químicas del semiconductor. Es imprescindible durante el proceso de la limpieza que el substrato no es dañado de ninguna manera. La limpieza de la oblea es ideal para los materiales silicio-basados puesto que es el elemento más común se utiliza que. Algunas de las ventajas de la limpieza de la oblea incluyen:

• Ningún daño al silicio
• Respetuoso del medio ambiente
• Quita con seguridad y de manera efectiva cualesquiera contaminantes e imperfección superficiales
• Aumenta el funcionamiento de la oblea

Propiedades de transporte en altos campos eléctricos

	Coloque las dependencias de la velocidad de deriva del electrón en el INP, 300 K. La curva sólida es cálculo teórico. La curva estrallada y punteada es datos medidos. (Maloney y Frey [1977]) y (  de Gonzalez Sánchez y otros [1992]).
	Las dependencias del campo de la velocidad de deriva del electrón para los altos campos eléctricos. T (K): 1. 95; 2. 300; 3. 400. (  del   de Windhorn y otros [1983]).
	Coloque las dependencias de la velocidad de deriva del electrón en diversas temperaturas. Curve 1 -77 K (  del   de Gonzalez Sánchez y otros [1992]). Curva 2 - 300 K, curve 3 - 500 K (Fawcett e Hill [1975]).
	Temperatura del electrón contra el campo eléctrico para 77 K y 300 K. (Maloney y Frey [1977])
	Fracción de electrones en los valles nL/no y nX/no en función del campo eléctrico, 300 K. de L y de X. (Borodovskii y Osadchii [1987]).
	Dependencia de la frecuencia del η de la eficacia al principio (línea llena) y en el segundo armónico (de la línea discontinua) en modo del LSA. Simulación de Monte Carlo. F = FO + F1·pecado (2π·pie) + F2·[pecado (4π·pie) +3π/2], Fo=F1=35 kilovoltio cm-1, F2=10.5 kilovoltio cm-1 (Borodovskii y Osadchii [1987]).
	Longitudinal (D || F) y transversal (coeficientes de difusión del electrón del ⊥ de D F) en 300 K. Simulación de Monte Carlo del conjunto. (Aishima y Fukushima [1983]).
	Longitudinal (D || F) y transversal (coeficientes de difusión del electrón del ⊥ de D F) en 77K. Simulación de Monte Carlo del conjunto. (Aishima y Fukushima [1983]).

Uso de las telecomunicaciones/del Datacom

El fosfuro de indio (InP) se utiliza para producir los lasers eficientes, los fotodetectores sensibles y los moduladores en la ventana de la longitud de onda usada típicamente para las telecomunicaciones, es decir, 1550 longitudes de onda del nanómetro, pues es un material directo del semiconductor de compuesto del bandgap III-V. La longitud de onda entre cerca de 1510 nanómetro y 1600 nanómetro tiene el disponible más de poca atenuación en la fibra óptica (cerca de 0,26 dB/km). El INP es un material de uso general para la generación de señales del laser y de la detección y la conversión de esas señales de nuevo a forma electrónica. Los diámetros de la oblea se extienden a partir de 2-4 pulgadas.

Los usos son:

• Conexiones des fibra óptica de larga distancia sobre gran distancia hasta 5000 kilómetros típicamente >10 Tbit/s

• Redes del acceso del anillo del metro

• Redes y centro de datos de la compañía

• Fibra al hogar

• Conexiones a las estaciones base 3G, LTE y 5G de la radio

• Comunicación por satélite del espacio libre

¿Usted está buscando un substrato del INP?

PAM-XIAMEN es orgulloso ofrecer el substrato del fosfuro de indio para todos los diferentes tipos de proyectos. Si usted está buscando las obleas del INP, envíenos la investigación hoy para aprender más sobre cómo podemos trabajar con usted para conseguirle las obleas del INP que usted necesita para su proyecto siguiente. ¡Nuestro equipo del grupo está mirando adelante a proporcionar productos de calidad y el servicio excelente para usted!