N mecanografía, la oblea del fosfuro de indio, 4", grado de la prueba
PAM-XIAMEN ofrece la oblea del INP – fosfuro de indio que son crecidos por LEC (Czochralski encapsulado líquido) o VGF (helada vertical de la pendiente) como grado epi-listo o mecánico con el tipo de n, el tipo de p o semiaislante en diversa orientación (111) o (100).
El fosfuro de indio (InP) es un semiconductor binario integrado por el indio y el fósforo. Tiene (“blenda de cinc ") una estructura cristalina cúbica cara-centrada, idéntica a la del GaAs y la mayor parte de los semiconductores de III-V. El fosfuro de indio se puede preparar de la reacción del yoduro del fósforo blanco y del indio [clarificación necesaria] en 400 °C., [5] también por la combinación directa de los elementos purificados en la temperatura alta y la presión, o por la descomposición termal de una mezcla de un compuesto y de un fosfuro del indio del trialkyl. El INP se utiliza en la electrónica de alta potencia y de alta frecuencia [citación necesaria] debido a su velocidad superior del electrón en cuanto a los semiconductores mas comunes silicio y al arseniuro de galio.
N mecanografía, la oblea del fosfuro de indio, 4", grado de la prueba
| 4" especificación de la oblea del INP | | | |
| Artículo | Especificaciones |
| Tipo de la conducción | N-tipo | N-tipo |
| Dopante | Sin impurificar | Azufre |
| Diámetro de la oblea | 4" |
| Orientación de la oblea | 100±0.5° |
| Grueso de la oblea | 600±25um |
| Longitud plana primaria | 16±2m m |
| Longitud plana secundaria | 8±1m m |
| Concentración de portador | ≤3x1016cm-3 | (0.8-6) x1018cm-3 | (0.6-6) x1018cm-3 | N/A |
| Movilidad | (3.5-4) x103cm2/V.s | (1.5-3.5) x103cm2/V.s | 50-70cm2/V.s | >1000cm2/V.s |
| Resistencia | N/A | N/A | N/A | >0.5x107Ω.cm |
| EPD | <1000cm-2 | <1x103cm-2 | <1x103cm-2 | <5x103cm-2 |
| TTV | <15um |
| ARCO | <15um |
| DEFORMACIÓN | <15um |
| Marca del laser | a petición |
| Final de Suface | P/E, P/P |
| Epi listo | sí |
| Paquete | Solo envase o casete de la oblea |
¿Cuál es el proceso del INP?
Las obleas del INP se deben preparar antes de la fabricación del dispositivo. Para comenzar, deben ser limpiadas totalmente para quitar cualquier daño que pudiera haber ocurrido durante el proceso rebanador. Las obleas entonces químicamente mecánicamente se pulen/Plaranrized (CMP) para la etapa material final del retiro. Esto permite el logro de estupendo-plano espejo-como superficies con una aspereza restante en una escala atómica. Eso se termina después, la oblea está listo para la fabricación.
Parámetros de la recombinación
| N-tipo puro material (ningún ~ 10-14cm-3) | |
| El curso de la vida más largo de agujeros | τp ~ 3·10-6 s |
| Longitud de difusión Lp = (DP·τp) el 1/2 | Lp ~ µm 40. |
| P-tipo puro material (po ~ 1015cm-3) | |
| (a) nivel bajo de la inyección | |
| El curso de la vida más largo de electrones | τn ~ 2·10-9 s |
| Longitud de difusión Ln = (Dn·τn) el 1/2 | Ln ~ µm 8 |
| (b) alto nivel de la inyección (trampas llenadas) | |
| El curso de la vida más largo de electrones | τ ~ 10-8 s |
| Longitud de difusión Ln | Ln ~ µm 25 |
Si el nivel de Fermi superficial EFS se fija cerca del espacio medio (EFS~Eg. /2) la velocidad de recombinación superficial aumenta a partir del ~5·10-3cm/s para dopar el nivel no~3·1015 cm-3 a ~106 cm/s para dopar el nivel ningún ~ 3·1018cm-3 ( del de Bothra y otros [1991]).
| Coeficiente radiativo de la recombinación (300 K) | 1,2·10-10 cm3/s |
| Coeficiente del taladro (300 K) | ~9·10-31 cm6/s |
Uso en los sistemas del LiDAR para el sector y la industria del automovil 4,0
Se discute extensamente en la arena del LiDAR la longitud de onda de la señal. Mientras que algunos jugadores han optado por 830 longitudes de onda de to-940-nm aprovecharse de componentes ópticos disponibles, las compañías (Blackmore incluyendo, Neptec, Aeye, y luminar) están dando vuelta cada vez más a longitudes de onda más largas en la banda también-bien-servida de la longitud de onda de 1550 nanómetro, pues esas longitudes de onda permiten que a poderes del laser áspero 100 veces más arriba sea empleado sin el compromiso de seguridad pública. Los lasers con longitudes de onda de la emisión más de largo que μm del ≈ 1,4 a menudo se llaman “ojo-seguros” porque la luz en esa gama de longitud de onda se absorbe fuertemente en la córnea del ojo, lente y el cuerpo vítreo y por lo tanto no puede dañar la retina sensible).
• la tecnología de los sensores LiDAR-basada puede proveer de un de alto nivel de la identificación y de la clasificación del objeto técnicas de proyección de imagen tridimensionales (3D).
• La industria del automóvil adoptará en el futuro microprocesador-basado, bajo del costo en vez de sistemas grandes, costosos, mecánicos del LiDAR una tecnología de los sensores de estado sólido del LiDAR.
• Para los sistemas microprocesador-basados más avanzados del LiDAR, el INP desempeñará un papel importante y permitirá la conducción autónoma. (Informe: Crecimiento que ampolla para el Lidar automotriz, voluntades de Stewart). La longitud de onda segura de un ojo cuanto más larga es también el ocuparse más apropiado de condiciones del mundo real como el polvo, la niebla y la lluvia.
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