N mecanografía, la oblea del fosfuro de indio, 6", grado de la prueba - oblea de Powerway

N mecanografía, la oblea del fosfuro de indio, 6", grado de la prueba - oblea de Powerway

PAM-XIAMEN proporciona la oblea del INP del solo cristal (fosfuro de indio) para la industria microelectrónica (HEMT de HBT/) y optoelectrónica (LED/DWDM/PIN/VCSELs) en diámetro hasta 6 pulgadas. El cristal de (InP) del fosfuro de indio es formado por dos elementos, indios y fosfuros, crecimiento por el método encapsulado líquido de Czochralski (LEC) o el método de VGF. La oblea del INP es un material importante que tengan propiedades eléctricas y termales superiores, oblea del semiconductor del INP tiene una movilidad de electrón más alta, una frecuencia más alta, el bajo consumo de energía, una conductividad termal más alta y funcionamiento de poco ruido. PAM-XIAMEN puede proporcionar la oblea lista del INP del grado del epi para su uso epitaxial del MOCVD y del MBE. Entre en contacto con por favor a nuestro equipo del ingeniero para más información de la oblea.

N mecanografía, la oblea del fosfuro de indio, 6", grado de la prueba

Hechos del fosfuro de indio

• El fosfuro de indio (InP) incluye el fósforo y el indio y es un semiconductor binario.
• Tiene una estructura cristalina del zincblende similar al GaAs y a casi todos los semiconductores de III-V.
• Tiene velocidad superior del electrón debido a cuál se utiliza en electrónica de alta frecuencia y de alta potencia.
• Tiene un bandgap directo, a diferencia de muchos semiconductores.
• El fosfuro de indio también se utiliza como substrato para los dispositivos optoelectrónicos.
• Peso molecular: 145,792 g/mol
• Punto de fusión: °C 1062 (°F) 1943,6
• Puede ser utilizado para virtualmente cualquier dispositivo electrónico que requiera velocidad o poder más elevado.
• Tiene uno de los fonones ópticos largo-vivos del compuesto con la estructura cristalina del zincblende.
• El INP es el material más importante para la generación de señales del laser y de la detección y la conversión de esas señales de nuevo a forma electrónica.

	La movilidad de pasillo del electrón contra la temperatura para diverso doping nivela. Curva inferior - no=Nd-Na=8·1017 cm-3; Curva media - no=2·1015 cm-3; Curva superior - no=3·1013 cm-3. (Razeghi y otros [1988]) y (  de Walukiewicz   y otros [el an o 80]).
	Movilidad de pasillo del electrón contra la temperatura (temperaturas altas): Curva inferior - no=Nd-Na~3·1017 cm-3; Curva media - no~1.5·1016 cm-3; Curva superior - no~3·1015 cm-3. (Galavanov y Siukaev [1970]).

Para el n-INP débil dopado en las temperaturas cerca de la movilidad de deriva del electrón de 300 K:

µn = (4.2÷5.4)·103·(300/T) (cm2V-1 S1)

	Movilidad de pasillo contra la concentración del electrón para diversos ratios de la remuneración. θ = Na/Nd, 77 K. Las curvas rayadas son cálculos teóricos: 1. θ = 0; 2. θ = 0,2; 3. θ = 0,4; 4. θ = 0,6; 5. θ = 0,8; (  del   de Walukiewicz y otros [el an o 80]). La línea llena es valores observados del medio (  del   de Anderson y otros [1985]).
	Movilidad de pasillo contra la concentración del electrón para diversos ratios de la remuneración θ =Na/Nd, 300 K. Las curvas rayadas son cálculos teóricos: 1. θ = 0; 2. θ = 0,2; 3. θ = 0,4; 4. θ = 0,6; 5. θ = 0,8; (  del   de Walukiewicz y otros [el an o 80]). La línea llena es valores observados del medio (  del   de Anderson y otros [1985]).

Fórmula aproximada para la movilidad de pasillo del electrón

Μ=ΜOH/[1+ (Nd/107) el 1/2],
donde ΜOH=5000 cm2V-1 S1,
Nd en cm-3 (Hilsum [1974])

En 300 K, el factor rn≈1 de Pasillo del electrón en el n-INP.
para Nd > 1015 cm-3.

Agujeree la movilidad de pasillo contra la temperatura para diversos niveles de doping (del Zn). Concentración de agujero en 300 K: 1. 1,75·1018 cm-3; 2. 3,6·1017 cm-3; 3. 4,4·1016 cm-3. θ=Na/Nd~0.1. (  del   de Kohanyuk y otros [1988]).

Para el p-INP débil dopado en la temperatura cerca de 300 K la movilidad de pasillo

µpH~150·(300/T) 2,2 (cm2V-1 S1).

Movilidad de pasillo del agujero contra la densidad del agujero, 300 K (Wiley [1975]). La fórmula aproximada para la movilidad de pasillo del agujero: µp=µpo/[1 + (Na/2·1017) 1/2], donde µpo~150 cm2V-1 S1, Na en cm-3

En 300 K, el factor del agujero en el p-INP puro: rp~1

Usos fotovoltaicos

Células fotovoltaicas con las eficacias más altas de los substratos del INP del instrumento del hasta 46% (comunicado de prensa, Fraunhofer ISE, 1. diciembre de 2014) para alcanzar una combinación óptima del bandgap para convertir eficientemente la radiación solar en energía eléctrica. Hoy, solamente los substratos del INP alcanzan el enrejado constante para crecer los materiales bajos requeridos del bandgap con alta calidad cristalina. Los grupos de investigación por todo el mundo están buscando los reemplazos debido a los altos costes de estos materiales. Sin embargo, el resto de las opciones rinden hasta ahora calidades materiales más bajas y por lo tanto eficacias de conversión más bajas. La investigación adicional se centra en la reutilización del substrato del INP como plantilla para la producción de otras células solares.

Las células solares de gran eficacia avanzadas también de hoy para el photovoltaics (CPV) del concentrador y para los usos del espacio utilizan (GA) el INP y otros compuestos de III-V para alcanzar las combinaciones requeridas del bandgap. Otras tecnologías, tales como células solares del Si, proporcionan solamente mitad del poder que las células de III-V y además muestran una degradación mucho más fuerte en el ambiente duro del espacio. Finalmente, las células solares Si-basadas son también mucho más pesadas que las células solares de III-V y rinden a una cantidad más alta de ruina de espacio. Una manera de aumentar perceptiblemente eficacia de conversión también en sistemas terrestres del picovoltio es el uso de las células solares similares de III-V en los sistemas de CPV donde solamente cerca de un décimo de un por ciento del área es cubierto por las células solares de gran eficacia de III-V

¿Usted está buscando un substrato del INP?

PAM-XIAMEN es orgulloso ofrecer el substrato del fosfuro de indio para todos los diferentes tipos de proyectos. Si usted está buscando las obleas del INP, envíenos la investigación hoy para aprender más sobre cómo podemos trabajar con usted para conseguirle las obleas del INP que usted necesita para su proyecto siguiente. ¡Nuestro equipo del grupo está mirando adelante a proporcionar productos de calidad y el servicio excelente para usted!