Semiaislante, substrato del INP, 2", grado primero, Epi listo
PAM-XIAMEN ofrece la oblea del INP – fosfuro de indio que son crecidos por LEC (Czochralski encapsulado líquido) o VGF (helada vertical de la pendiente) como grado epi-listo o mecánico con el tipo de n, el tipo de p o semiaislante en diversa orientación (111) o (100).
El fosfuro de indio (InP) es un semiconductor binario integrado por el indio y el fósforo. Tiene (“blenda de cinc ") una estructura cristalina cúbica cara-centrada, idéntica a la del GaAs y la mayor parte de los semiconductores de III-V. El fosfuro de indio se puede preparar de la reacción del yoduro del fósforo blanco y del indio [clarificación necesaria] en 400 °C., [5] también por la combinación directa de los elementos purificados en la temperatura alta y la presión, o por la descomposición termal de una mezcla de un compuesto y de un fosfuro del indio del trialkyl. El INP se utiliza en la electrónica de alta potencia y de alta frecuencia [citación necesaria] debido a su velocidad superior del electrón en cuanto a los semiconductores mas comunes silicio y al arseniuro de galio.
Semiaislante, substrato del INP, 2", grado primero, Epi listo
| 2" especificación de la oblea del INP |
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| Artículo |
Especificaciones |
| Tipo de la conducción |
SI-tipo |
| Dopante |
Hierro |
| Diámetro de la oblea |
2" |
| Orientación de la oblea |
100±0.5° |
| Grueso de la oblea |
350±25um |
| Longitud plana primaria |
16±2m m |
| Longitud plana secundaria |
8±1m m |
| Concentración de portador |
≤3x1016cm-3 |
(0.8-6) x1018cm-3 |
(0.6-6) x1018cm-3 |
N/A |
| Movilidad |
(3.5-4) x103cm2/V.s |
(1.5-3.5) x103cm2/V.s |
50-70cm2/V.s |
>1000cm2/V.s |
| Resistencia |
N/A |
N/A |
N/A |
>0.5x107Ωcm |
| EPD |
<1000cm>-2 |
<500cm>-2 |
<1x10>3cm-2 |
<5x10>3cm-2 |
| TTV |
<10um>
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| ARCO |
<10um>
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| DEFORMACIÓN |
<12um>
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| Marca del laser |
a petición |
| Final de Suface |
P/E, P/P |
| Epi listo |
sí |
| Paquete |
Solo envase o casete de la oblea |
¿Cuál es una oblea de la prueba?
La mayoría de las obleas de la prueba son las obleas que han caído de especificaciones primeras. Las obleas de la prueba se pueden utilizar para funcionar con los maratones, equipo de prueba y para R y la D. de gama alta. Son a menudo una alternativa rentable para preparar las obleas.
Propiedades de transporte en altos campos eléctricos
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Coloque las dependencias de la velocidad de deriva del electrón en el INP, 300 K.
La curva sólida es cálculo teórico.
La curva estrallada y punteada es datos medidos.
(Maloney y Frey [1977]) y ( de Gonzalez Sánchez y otros [1992]). |
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Las dependencias del campo de la velocidad de deriva del electrón para los altos campos eléctricos.
T (K): 1. 95; 2. 300; 3. 400.
( del de Windhorn y otros [1983]). |
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Coloque las dependencias de la velocidad de deriva del electrón en diversas temperaturas.
Curve 1 -77 K ( del de Gonzalez Sánchez y otros [1992]).
Curva 2 - 300 K, curve 3 - 500 K (Fawcett e Hill [1975]). |
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Temperatura del electrón contra el campo eléctrico para 77 K y 300 K.
(Maloney y Frey [1977]) |
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Fracción de electrones en los valles nL/no y nX/no en función del campo eléctrico, 300 K. de L y de X.
(Borodovskii y Osadchii [1987]). |
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Dependencia de la frecuencia del η de la eficacia al principio (línea llena) y en el segundo armónico (de la línea discontinua) en modo del LSA.
Simulación de Monte Carlo.
F = FO + F1·pecado (2π·pie) + F2·[pecado (4π·pie) +3π/2],
Fo=F1=35 kilovoltio cm-1,
F2=10.5 kilovoltio cm-1
(Borodovskii y Osadchii [1987]). |
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Longitudinal (D || F) y transversal (coeficientes de difusión del electrón del ⊥ de D F) en 300 K.
Simulación de Monte Carlo del conjunto.
(Aishima y Fukushima [1983]). |
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Longitudinal (D || F) y transversal (coeficientes de difusión del electrón del ⊥ de D F) en 77K.
Simulación de Monte Carlo del conjunto.
(Aishima y Fukushima [1983]). |
Aplicaciones
El INP se utiliza en la electrónica de alta potencia y de alta frecuencia [citación necesaria] debido a su velocidad superior del electrón en cuanto a los semiconductores mas comunes silicio y al arseniuro de galio.
Fue utilizado con el arseniuro de galio del indio para hacer un expediente que rompía la heterounión seudo-mórfica el transistor bipolar que podría actuar en 604 gigahertz.
También tiene un bandgap directo, haciéndolo útil para los dispositivos de la optoelectrónica como los diodos láser. La compañía Infinera utiliza el fosfuro de indio como su material tecnológico importante para fabricar los circuitos integrados fotónicos para la industria óptica de las telecomunicaciones, para permitir usos de la multiplexación de la longitud de onda-división.
El INP también se utiliza como substrato para los dispositivos optoelectrónicos basados epitaxiales del arseniuro de galio del indio.
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