Semiaislante, substrato del INP, 2", grado de la prueba - oblea de Powerway
PAM-XIAMEN fabrica las obleas del fosfuro de indio del solo cristal de la pureza elevada para los usos de la optoelectrónica. Nuestros diámetros estándar de la oblea se extienden a partir de 25,4 milímetros (1 pulgada) a 200 milímetros (6 pulgadas) de tamaño; las obleas se pueden producir en diversos gruesos y orientaciones con los lados pulidos o sin pulir y pueden incluir dopantes. PAM-XIAMEN puede producir grados de la amplia gama: grado primero, grado de la prueba, grado simulado, grado técnico, y grado óptico. PAM-XIAMEN también ofrecen los materiales a las especificaciones del cliente por la petición, además de las composiciones de encargo para los usos del anuncio publicitario y de la investigación y las nuevas tecnologías propietarias.
Semiaislante, substrato del INP, 2", grado de la prueba
| 2" especificación de la oblea del INP |
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| Artículo |
Especificaciones |
| Tipo de la conducción |
SI-tipo |
| Dopante |
Hierro |
| Diámetro de la oblea |
2" |
| Orientación de la oblea |
100±0.5° |
| Grueso de la oblea |
350±25um |
| Longitud plana primaria |
16±2m m |
| Longitud plana secundaria |
8±1m m |
| Concentración de portador |
≤3x1016cm-3 |
(0.8-6) x1018cm-3 |
(0.6-6) x1018cm-3 |
N/A |
| Movilidad |
(3.5-4) x103cm2/V.s |
(1.5-3.5) x103cm2/V.s |
50-70cm2/V.s |
>1000cm2/V.s |
| Resistencia |
N/A |
N/A |
N/A |
>0.5x107Ωcm |
| EPD |
<1000cm>-2 |
<500cm>-2 |
<1x10>3cm-2 |
<5x10>3cm-2 |
| TTV |
<10um>
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| ARCO |
<10um>
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| DEFORMACIÓN |
<12um>
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| Marca del laser |
a petición |
| Final de Suface |
P/E, P/P |
| Epi listo |
sí |
| Paquete |
Solo envase o casete de la oblea |
Limpieza de la oblea
La limpieza de la oblea es una parte integrante de la industria de la oblea. El proceso de la limpieza implica el retiro de impurezas de partículas y químicas del semiconductor. Es imprescindible durante el proceso de la limpieza que el substrato no es dañado de ninguna manera. La limpieza de la oblea es ideal para los materiales silicio-basados puesto que es el elemento más común se utiliza que. Algunas de las ventajas de la limpieza de la oblea incluyen:
- Ningún daño al silicio
- Respetuoso del medio ambiente
- Quita con seguridad y de manera efectiva cualesquiera contaminantes e imperfección superficiales
- Aumenta el funcionamiento de la oblea
Ionización de impacto
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La dependencia de la ionización valora para el αi de los electrones y agujerea βi contra 1/F, 300 K.
( del del cocinero y otros [1982]). |
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El voltaje de avería y la avería colocan contra el doping de la densidad para un empalme precipitado del p-n, 300 K
(Kyuregyan y Yurkov [1989]). |
Usos
Los campos del uso del INP se dividieron en tres áreas principales. Se utiliza como la base
- para los componentes optoelectrónicos
- para la electrónica de alta velocidad.
- para el photovoltaics
Todavía hay una zona en el espectro electromágnetico entre las microondas y un infrarrojo sumamente inutilizados, con todo técnico emocionantes, designado a menudo “Terahertz”. Las ondas electromagnéticas en esta gama poseen propiedades híbridas que muestran características de alta frecuencia y ópticas simultáneamente. Los componentes basados del INP desbloquean esta gama espectral para las nuevas aplicaciones importantes.
¿Usted está buscando un substrato del INP?
PAM-XIAMEN es orgulloso ofrecer el substrato del fosfuro de indio para todos los diferentes tipos de proyectos. Si usted está buscando las obleas del INP, envíenos la investigación hoy para aprender más sobre cómo podemos trabajar con usted para conseguirle las obleas del INP que usted necesita para su proyecto siguiente. ¡Nuestro equipo del grupo está mirando adelante a proporcionar productos de calidad y el servicio excelente para usted!
