Semiaislante, substrato del fosfuro de indio, 4", grado de la prueba
PAM-XIAMEN fabrica las obleas del fosfuro de indio del solo cristal de la pureza elevada para los usos de la optoelectrónica. Nuestros diámetros estándar de la oblea se extienden a partir de 25,4 milímetros (1 pulgada) a 200 milímetros (6 pulgadas) de tamaño; las obleas se pueden producir en diversos gruesos y orientaciones con los lados pulidos o sin pulir y pueden incluir dopantes. PAM-XIAMEN puede producir grados de la amplia gama: grado primero, grado de la prueba, grado simulado, grado técnico, y grado óptico. PAM-XIAMEN también ofrecen los materiales a las especificaciones del cliente por la petición, además de las composiciones de encargo para los usos del anuncio publicitario y de la investigación y las nuevas tecnologías propietarias.
Semiaislante, substrato del fosfuro de indio, 4", grado de la prueba
| 4" especificación de la oblea del INP | | | |
| Artículo | Especificaciones |
| Tipo de la conducción | SI-tipo |
| Dopante | Hierro |
| Diámetro de la oblea | 4" |
| Orientación de la oblea | 100±0.5° |
| Grueso de la oblea | 600±25um |
| Longitud plana primaria | 16±2m m |
| Longitud plana secundaria | 8±1m m |
| Concentración de portador | ≤3x1016cm-3 | (0.8-6) x1018cm-3 | (0.6-6) x1018cm-3 | N/A |
| Movilidad | (3.5-4) x103cm2/V.s | (1.5-3.5) x103cm2/V.s | 50-70cm2/V.s | >1000cm2/V.s |
| Resistencia | N/A | N/A | N/A | >0.5x107Ω.cm |
| EPD | <1000cm-2 | <1x103cm-2 | <1x103cm-2 | <5x103cm-2 |
| TTV | <15um |
| ARCO | <15um |
| DEFORMACIÓN | <15um |
| Marca del laser | a petición |
| Final de Suface | P/E, P/P |
| Epi listo | sí |
| Paquete | Solo envase o casete de la oblea |
¿Cuál es oblea del INP?
El fosfuro de indio es un similar material semiconductor al GaAs y al silicio pero es mucho un producto muy especializado. Es muy eficaz en desarrollar el proceso muy de alta velocidad y es más costoso que el GaAs debido a las grandes longitudes recolectar y desarrollar los ingredientes. Hechemos una ojeada más hechos sobre el fosfuro de indio como pertenece a una oblea del INP.
 | La movilidad de pasillo del electrón contra la temperatura para diverso doping nivela.
Curva inferior - no=Nd-Na=8·1017 cm-3;
Curva media - no=2·1015 cm-3;
Curva superior - no=3·1013 cm-3.
(Razeghi y otros [1988]) y ( de Walukiewicz y otros [el an o 80]). |
| Movilidad de pasillo del electrón contra la temperatura (temperaturas altas):
Curva inferior - no=Nd-Na~3·1017 cm-3;
Curva media - no~1.5·1016 cm-3;
Curva superior - no~3·1015 cm-3.
(Galavanov y Siukaev [1970]). |
Para el n-INP débil dopado en las temperaturas cerca de la movilidad de deriva del electrón de 300 K:
µn = (4.2÷5.4)·103·(300/T) (cm2V-1 S1)
| Movilidad de pasillo contra la concentración del electrón para diversos ratios de la remuneración.
θ = Na/Nd, 77 K.
Las curvas rayadas son cálculos teóricos: 1. θ = 0; 2. θ = 0,2; 3. θ = 0,4; 4. θ = 0,6; 5. θ = 0,8;
( del de Walukiewicz y otros [el an o 80]).
La línea llena es valores observados del medio ( del de Anderson y otros [1985]). |
| Movilidad de pasillo contra la concentración del electrón para diversos ratios de la remuneración
θ =Na/Nd, 300 K.
Las curvas rayadas son cálculos teóricos: 1. θ = 0; 2. θ = 0,2; 3. θ = 0,4; 4. θ = 0,6; 5. θ = 0,8;
( del de Walukiewicz y otros [el an o 80]).
La línea llena es valores observados del medio ( del de Anderson y otros [1985]). |
Fórmula aproximada para la movilidad de pasillo del electrón
Μ=ΜOH/[1+ (Nd/107) el 1/2],
donde ΜOH=5000 cm2V-1 S1,
Nd en cm-3 (Hilsum [1974])
En 300 K, el factor rn≈1 de Pasillo del electrón en el n-INP.
para Nd > 1015 cm-3.
| Agujeree la movilidad de pasillo contra la temperatura para diversos niveles de doping (del Zn).
Concentración de agujero en 300 K: 1. 1,75·1018 cm-3; 2. 3,6·1017 cm-3; 3. 4,4·1016 cm-3.
θ=Na/Nd~0.1.
( del de Kohanyuk y otros [1988]). |
Para el p-INP débil dopado en la temperatura cerca de 300 K la movilidad de pasillo
µpH~150·(300/T) 2,2 (cm2V-1 S1).
| Movilidad de pasillo del agujero contra la densidad del agujero, 300 K (Wiley [1975]).
La fórmula aproximada para la movilidad de pasillo del agujero:
µp=µpo/[1 + (Na/2·1017) 1/2], donde µpo~150 cm2V-1 S1, Na en cm-3 |
En 300 K, el factor del agujero en el p-INP puro: rp~1
Uso de detección óptico
Protección del medio ambiente e identificación que apuntan de detección espectroscópicas de sustancias peligrosas
• Un campo cada vez mayor está detectando basó en el régimen de la longitud de onda del INP. Un ejemplo para la espectroscopia del gas es equipo de prueba de la impulsión con la medida en tiempo real de (CO, CO2, NOX [o NINGÚN + NO2]).
• Otro ejemplo es CIMA del Pie-IR-espectrómetro con una fuente del terahertz. La radiación del terahertz se genera de la señal de golpeo de 2 lasers del INP y de una antena del INP que transforme la señal óptica al régimen del terahertz.
• Detección del pilar de rastros de sustancias explosivas en superficies, e.g para los usos de la seguridad en aeropuertos o la investigación de la escena del crimen después de tentativas de asesinato.
• Verificación rápida de los rastros de sustancias tóxicas en gases y líquidos (agua del grifo incluyendo) o de contaminaciones superficiales abajo al nivel del ppb.
• Espectroscopia para el control de producto no destructivo e.g de la comida (detección temprana de producto alimenticio estropeado)
• La espectroscopia para muchos usos nuevos, especialmente en control de contaminación atmosférica se está discutiendo hoy y las puestas en práctica están en el camino.
¿Usted está buscando una oblea del INP?
¡PAM-XIAMEN es su ir-al lugar para todo las obleas, incluyendo las obleas del INP, como lo hemos estado haciendo por casi 30 años! Investigúenos hoy para aprender más sobre las obleas que ofrecemos y cómo podemos ayudarle con su proyecto siguiente. ¡Nuestro equipo del grupo está mirando adelante a proporcionar productos de calidad y el servicio excelente para usted!
