P mecanografía, el substrato del INP, 3", grado primero
PAM-XIAMEN proporciona la oblea del INP del solo cristal (fosfuro de indio) para la industria microelectrónica (HEMT de HBT/) y optoelectrónica (LED/DWDM/PIN/VCSELs) en diámetro hasta 6 pulgadas. El cristal de (InP) del fosfuro de indio es formado por dos elementos, indios y fosfuros, crecimiento por el método encapsulado líquido de Czochralski (LEC) o el método de VGF. La oblea del INP es un material importante que tengan propiedades eléctricas y termales superiores, oblea del semiconductor del INP tiene una movilidad de electrón más alta, una frecuencia más alta, el bajo consumo de energía, una conductividad termal más alta y funcionamiento de poco ruido. PAM-XIAMEN puede proporcionar la oblea lista del INP del grado del epi para su uso epitaxial del MOCVD y del MBE. Entre en contacto con por favor a nuestro equipo del ingeniero para más información de la oblea.
P mecanografía, el substrato del INP, 3", grado primero
| 3" especificación de la oblea del INP |
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| Artículo |
Especificaciones |
| Tipo de la conducción |
P-tipo |
| Dopante |
Cinc |
| Diámetro de la oblea |
3" |
| Orientación de la oblea |
100±0.5° |
| Grueso de la oblea |
600±25um |
| Longitud plana primaria |
16±2m m |
| Longitud plana secundaria |
8±1m m |
| Concentración de portador |
≤3x1016cm-3 |
(0.8-6) x1018cm-3 |
(0.6-6) x1018cm-3 |
N/A |
| Movilidad |
(3.5-4) x103cm2/V.s |
(1.5-3.5) x103cm2/V.s |
50-70cm2/V.s |
>1000cm2/V.s |
| Resistencia |
N/A |
N/A |
N/A |
>0.5x107Ω.cm |
| EPD |
<1000cm-2 |
<500cm-2 |
<1x103cm-2 |
<5x103cm-2 |
| TTV |
<12um |
| ARCO |
<12um |
| DEFORMACIÓN |
<15um |
| Marca del laser |
a petición |
| Final de Suface |
P/E, P/P |
| Epi listo |
sí |
| Paquete |
Solo envase o casete de la oblea |
¿Cuál es fosfuro de indio?
Pues tocamos encendido en la introducción, el fosfuro de indio es un semiconductor hecho del indio y del fósforo. Se utiliza en poder más elevado y electrónica de alta frecuencia y tiene una alta velocidad del electrón. De hecho, la velocidad del electrón del INP es perceptiblemente más alta que otros semiconductores mas comunes tales como arseniuro del silicio y de galio. También se encuentra en dispositivos optoelectrónicos tales como diodos láser.
Parámetros básicos
| Campo de la avería |
≈5·105 V cm-1 |
| Electrones de la movilidad |
≤5400 cm2V-1s-1 |
| Agujeros de la movilidad |
cm2s de ≤200 V-1s-1 |
| Electrones del coeficiente de difusión |
cm2s de ≤130 S1 |
| Agujeros del coeficiente de difusión |
cm2s de ≤5 S1 |
| Velocidad la termal del electrón |
3,9·105 m S1 |
| Velocidad la termal del agujero |
1,7·105 m S1 |
Aplicaciones
El INP se utiliza en la electrónica de alta potencia y de alta frecuencia [citación necesaria] debido a su velocidad superior del electrón en cuanto a los semiconductores mas comunes silicio y al arseniuro de galio.
Fue utilizado con el arseniuro de galio del indio para hacer un expediente que rompía la heterounión seudo-mórfica el transistor bipolar que podría actuar en 604 gigahertz.
También tiene un bandgap directo, haciéndolo útil para los dispositivos de la optoelectrónica como los diodos láser. La compañía Infinera utiliza el fosfuro de indio como su material tecnológico importante para fabricar los circuitos integrados fotónicos para la industria óptica de las telecomunicaciones, para permitir usos de la multiplexación de la longitud de onda-división.
El INP también se utiliza como substrato para los dispositivos optoelectrónicos basados epitaxiales del arseniuro de galio del indio.
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