Tipo de P, pureza elevada solo Crystal Indium Phosphide Wafer, 4", grado primero

P mecanografía, la oblea del fosfuro de indio, 4", grado primero
 
PAM-XIAMEN fabrica las obleas del fosfuro de indio del solo cristal de la pureza elevada para los usos de la optoelectrónica. Nuestros diámetros estándar de la oblea se extienden a partir de 25,4 milímetros (1 pulgada) a 200 milímetros (6 pulgadas) de tamaño; las obleas se pueden producir en diversos gruesos y orientaciones con los lados pulidos o sin pulir y pueden incluir dopantes. PAM-XIAMEN puede producir grados de la amplia gama: grado primero, grado de la prueba, grado simulado, grado técnico, y grado óptico. PAM-XIAMEN también ofrecen los materiales a las especificaciones del cliente por la petición, además de las composiciones de encargo para los usos del anuncio publicitario y de la investigación y las nuevas tecnologías propietarias.
 
P mecanografía, la oblea del fosfuro de indio, 4", grado primero

¿Cuál es oblea del INP?

El fosfuro de indio es un similar material semiconductor al GaAs y al silicio pero es mucho un producto muy especializado. Es muy eficaz en desarrollar el proceso muy de alta velocidad y es más costoso que el GaAs debido a las grandes longitudes recolectar y desarrollar los ingredientes. Hechemos una ojeada más hechos sobre el fosfuro de indio como pertenece a una oblea del INP.
 
Propiedades de transporte en altos campos eléctricos

	Coloque las dependencias de la velocidad de deriva del electrón en el INP, 300 K. La curva sólida es cálculo teórico. La curva estrallada y punteada es datos medidos. (Maloney y Frey [1977]) y (  de Gonzalez Sánchez y otros [1992]).
	Las dependencias del campo de la velocidad de deriva del electrón para los altos campos eléctricos. T (K): 1. 95; 2. 300; 3. 400. (  del   de Windhorn y otros [1983]).
	Coloque las dependencias de la velocidad de deriva del electrón en diversas temperaturas. Curve 1 -77 K (  del   de Gonzalez Sánchez y otros [1992]). Curva 2 - 300 K, curve 3 - 500 K (Fawcett e Hill [1975]).
	Temperatura del electrón contra el campo eléctrico para 77 K y 300 K. (Maloney y Frey [1977])
	Fracción de electrones en los valles nL/no y nX/no en función del campo eléctrico, 300 K. de L y de X. (Borodovskii y Osadchii [1987]).
	Dependencia de la frecuencia del η de la eficacia al principio (línea llena) y en el segundo armónico (de la línea discontinua) en modo del LSA. Simulación de Monte Carlo. F = FO + F1·pecado (2π·pie) + F2·[pecado (4π·pie) +3π/2], Fo=F1=35 kilovoltio cm-1, F2=10.5 kilovoltio cm-1 (Borodovskii y Osadchii [1987]).
	Longitudinal (D || F) y transversal (coeficientes de difusión del electrón del ⊥ de D F) en 300 K. Simulación de Monte Carlo del conjunto. (Aishima y Fukushima [1983]).
	Longitudinal (D || F) y transversal (coeficientes de difusión del electrón del ⊥ de D F) en 77K. Simulación de Monte Carlo del conjunto. (Aishima y Fukushima [1983]).

Usos optoelectrónicos

El INP basó los lasers y el LED puede emitir la luz en la gama muy amplia de 1200 nanómetro hasta el µm 12. Esta luz se utiliza para los usos basados fibra de las telecomunicaciones y del Datacom en todas las áreas del mundo numerado. La luz también se utiliza para detectar usos. Por un lado hay usos espectroscópicos, donde está necesaria cierta longitud de onda obrar recíprocamente con la materia para detectar los gases altamente diluidos por ejemplo. El terahertz optoelectrónico se utiliza en los analizadores espectroscópicos ultrasensibles, medidas del grueso de polímeros y para la detección de capas de múltiples capas en la industria del automóvil. Por otra parte hay una ventaja enorme de los lasers específicos del INP porque son caja fuerte del ojo. La radiación se absorbe en el cuerpo vítreo del ojo humano y no puede dañar la retina. Los lasers del INP en el LiDAR (detección ligera y alcance) serán un componente clave para la movilidad del futuro y de la industria de la automatización.

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