La oblea del GaAs incluye el lingote/las obleas de 2~6 pulgadas para el LED, el LD y las microelectrónicas
Descripción de producto
Obleas del arseniuro de galio (GaAs)
PWAM desarrolla y fabrica el cristal y la oblea del arseniuro del substrato-galio del semiconductor compuesto. Hemos utilizado tecnología avanzada del crecimiento cristalino, el helada vertical de la pendiente (VGF) y tecnología de proceso de la oblea del GaAs, establecimos una cadena de producción del crecimiento cristalino, corte, moliendo al proceso de pulido y construimos un cuarto limpio de 100 clases para la limpieza y el empaquetado de la oblea. Nuestra oblea del GaAs incluye el lingote/las obleas de 2~6 pulgadas para el LED, el LD y los usos de la microelectrónica. Nos dedican siempre para mejorar la calidad actualmente de subestados y para desarrollar los substratos de gran tamaño.
Obleas del arseniuro de galio (GaAs) para los usos del LED
| Artículo |
Especificaciones |
Observaciones |
| Tipo de la conducción |
SC/n-type |
SC/p-type con la droga del Zn disponible |
| Método del crecimiento |
VGF |
|
| Dopante |
Silicio |
Zn disponible |
| Oblea Diamter |
2, 3 y 4 pulgadas |
Lingote o como-corte disponible |
| Orientación cristalina |
(100) 2°/6°/15° de (110) |
El otro misorientation disponible |
| DE |
EJ o los E.E.U.U. |
|
| Concentración de portador |
(0.4~2.5) E18/cm3 |
|
| Resistencia en el RT |
(1.5~9) E-3 Ohm.cm |
|
| Movilidad |
1500~3000cm2/V.sec |
|
| Densidad del hoyo de grabado de pistas |
<5000/cm2 |
|
| Marca del laser |
a petición |
|
| Final superficial |
P/E o P/P |
|
| Grueso |
220~450um |
|
| Epitaxia lista |
Sí |
|
| Paquete |
Solo envase o casete de la oblea |
Obleas del arseniuro de galio (GaAs) para los usos del LD
| Artículo |
Especificaciones |
Observaciones |
| Tipo de la conducción |
SC/n-type |
|
| Método del crecimiento |
VGF |
|
| Dopante |
Silicio |
|
| Oblea Diamter |
2, 3 y 4 pulgadas |
Lingote o como-corte disponible |
| Orientación cristalina |
(100) 2°/6°/15°off (110) |
El otro misorientation disponible |
| DE |
EJ o los E.E.U.U. |
|
| Concentración de portador |
(0.4~2.5) E18/cm3 |
|
| Resistencia en el RT |
(1.5~9) E-3 Ohm.cm |
|
| Movilidad |
1500~3000 cm2s/V.sec |
|
| Densidad del hoyo de grabado de pistas |
<500/cm2 |
|
| Marca del laser |
a petición |
|
| Final superficial |
P/E o P/P |
|
| Grueso |
220~350um |
|
| Epitaxia lista |
Sí |
|
| Paquete |
Solo envase o casete de la oblea |
Obleas del arseniuro de galio (GaAs), semiaislantes para los usos de la microelectrónica
| Artículo |
Especificaciones |
Observaciones |
| Tipo de la conducción |
Aislamiento |
|
| Método del crecimiento |
VGF |
|
| Dopante |
Sin impurificar |
|
| Oblea Diamter |
2, 3 y 4 pulgadas |
Lingote disponible |
| Orientación cristalina |
(100) +/- 0.5° |
|
| DE |
EJ, los E.E.U.U. o muesca |
|
| Concentración de portador |
n/a |
|
| Resistencia en el RT |
>1E7 Ohm.cm |
|
| Movilidad |
>5000 cm2s/V.sec |
|
| Densidad del hoyo de grabado de pistas |
<8000 /cm2 |
|
| Marca del laser |
a petición |
|
| Final superficial |
P/P |
|
| Grueso |
350~675um |
|
| Epitaxia lista |
Sí |
|
| Paquete |
Solo envase o casete de la oblea |
6 obleas del arseniuro de galio del ″ (150m m) (GaAs), semiaislantes para los usos de la microelectrónica
| Artículo |
Especificaciones |
Observaciones |
| Tipo de la conducción |
Semiaislante |
|
| Crezca el método |
VGF |
|
| Dopante |
Sin impurificar |
|
| Tipo |
N |
|
| Diamater (milímetros) |
150±0.25 |
|
| Orientación |
(100) 0°±3.0° |
|
| Orientación de la MUESCA |
(010) ±2° |
|
| MUESCA Deepth (milímetros) |
(1-1.25) milímetros 89°-95° |
|
| Concentración de portador |
N/A |
|
| Resistencia (ohm.cm) |
>1.0×107 o 0.8-9 x10-3 |
|
| Movilidad (cm2/v.s) |
N/A |
|
| Dislocación |
N/A |
|
| Grueso (µm) |
675±25 |
|
| Exclusión del borde para el arco y la deformación (milímetro) |
N/A |
|
| Arco (µm) |
N/A |
|
| Deformación (µm) |
≤20.0 |
|
| TTV (µm) |
≤10.0 |
|
| TIR (µm) |
≤10.0 |
|
| LFPD (µm) |
N/A |
|
| Polaco |
P/P Epi-listo |
|
2 especificaciones de la oblea LT-GaAs del ″ (50.8m m) (arseniuro Temperatura-crecido bajo del galio)
| Artículo |
Especificaciones |
Observaciones |
| Diamater (milímetros) |
± 1m m de Ф 50.8m m |
|
| Grueso |
1-2um o 2-3um |
|
| Densidad del defecto de Marco |
≤ 5 cm2s |
|
| Resistencia (300K) |
>108 Ohmio-cm |
|
| Portador |
<0.5ps |
|
| Densidad de dislocación |
<1x106cm-2 |
|
| Superficie usable |
el ≥80% |
|
| Polaco |
Solo lado pulido |
|
| Substrato |
Substrato del GaAs |
|
* también podemos proporcionar la barra polivinílica del GaAs del cristal, 99,9999% (6N).
Obleas del arseniuro de galio (GaAs)
PWAM desarrolla y fabrica el cristal y la oblea del arseniuro del substrato-galio del semiconductor compuesto. Hemos utilizado tecnología avanzada del crecimiento cristalino, el helada vertical de la pendiente (VGF) y tecnología de proceso de la oblea del GaAs, establecimos una cadena de producción del crecimiento cristalino, corte, moliendo al proceso de pulido y construimos un cuarto limpio de 100 clases para la limpieza y el empaquetado de la oblea. Nuestra oblea del GaAs incluye el lingote/las obleas de 2~6 pulgadas para el LED, el LD y los usos de la microelectrónica. Nos dedican siempre para mejorar la calidad actualmente de subestados y para desarrollar los substratos de gran tamaño.
Obleas del arseniuro de galio (GaAs) para los usos del LED
| Artículo |
Especificaciones |
Observaciones |
| Tipo de la conducción |
SC/n-type |
SC/p-type con la droga del Zn disponible |
| Método del crecimiento |
VGF |
|
| Dopante |
Silicio |
Zn disponible |
| Oblea Diamter |
2, 3 y 4 pulgadas |
Lingote o como-corte disponible |
| Orientación cristalina |
(100) 2°/6°/15° de (110) |
El otro misorientation disponible |
| DE |
EJ o los E.E.U.U. |
|
| Concentración de portador |
(0.4~2.5) E18/cm3 |
|
| Resistencia en el RT |
(1.5~9) E-3 Ohm.cm |
|
| Movilidad |
1500~3000cm2/V.sec |
|
| Densidad del hoyo de grabado de pistas |
<5000/cm2 |
|
| Marca del laser |
a petición |
|
| Final superficial |
P/E o P/P |
|
| Grueso |
220~450um |
|
| Epitaxia lista |
Sí |
|
| Paquete |
Solo envase o casete de la oblea |
Obleas del arseniuro de galio (GaAs) para los usos del LD
| Artículo |
Especificaciones |
Observaciones |
| Tipo de la conducción |
SC/n-type |
|
| Método del crecimiento |
VGF |
|
| Dopante |
Silicio |
|
| Oblea Diamter |
2, 3 y 4 pulgadas |
Lingote o como-corte disponible |
| Orientación cristalina |
(100) 2°/6°/15° de (110) |
El otro misorientation disponible |
| DE |
EJ o los E.E.U.U. |
|
| Concentración de portador |
(0.4~2.5) E18/cm3 |
|
| Resistencia en el RT |
(1.5~9) E-3 Ohm.cm |
|
| Movilidad |
1500~3000 cm2s/V.sec |
|
| Densidad del hoyo de grabado de pistas |
<500/cm2 |
|
| Marca del laser |
a petición |
|
| Final superficial |
P/E o P/P |
|
| Grueso |
220~350um |
|
| Epitaxia lista |
Sí |
|
| Paquete |
Solo envase o casete de la oblea |
Obleas del arseniuro de galio (GaAs), semiaislantes para los usos de la microelectrónica
| Artículo |
Especificaciones |
Observaciones |
| Tipo de la conducción |
Aislamiento |
|
| Método del crecimiento |
VGF |
|
| Dopante |
Sin impurificar |
|
| Oblea Diamter |
2, 3 y 4 pulgadas |
Lingote disponible |
| Orientación cristalina |
(100) +/- 0.5° |
|
| DE |
EJ, los E.E.U.U. o muesca |
|
| Concentración de portador |
n/a |
|
| Resistencia en el RT |
>1E7 Ohm.cm |
|
| Movilidad |
>5000 cm2s/V.sec |
|
| Densidad del hoyo de grabado de pistas |
<8000 /cm2 |
|
| Marca del laser |
a petición |
|
| Final superficial |
P/P |
|
| Grueso |
350~675um |
|
| Epitaxia lista |
Sí |
|
| Paquete |
Solo envase o casete de la oblea |
6 obleas del arseniuro de galio del ″ (150m m) (GaAs), semiaislantes para los usos de la microelectrónica
| Artículo |
Especificaciones |
Observaciones |
| Tipo de la conducción |
Semiaislante |
|
| Crezca el método |
VGF |
|
| Dopante |
Sin impurificar |
|
| Tipo |
N |
|
| Diamater (milímetros) |
150±0.25 |
|
| Orientación |
(100) 0°±3.0° |
|
| Orientación de la MUESCA |
(010) ±2° |
|
| MUESCA Deepth (milímetros) |
(1-1.25) milímetros 89°-95° |
|
| Concentración de portador |
N/A |
|
| Resistencia (ohm.cm) |
>1.0×107 o 0.8-9 x10-3 |
|
| Movilidad (cm2/v.s) |
N/A |
|
| Dislocación |
N/A |
|
| Grueso (µm) |
675±25 |
|
| Exclusión del borde para el arco y la deformación (milímetro) |
N/A |
|
| Arco (µm) |
N/A |
|
| Deformación (µm) |
≤20.0 |
|
| TTV (µm) |
≤10.0 |
|
| TIR (µm) |
≤10.0 |
|
| LFPD (µm) |
N/A |
|
| Polaco |
P/P Epi-listo |
|
2 especificaciones de la oblea LT-GaAs del ″ (50.8m m) (arseniuro Temperatura-crecido bajo del galio)
| Artículo |
Especificaciones |
Observaciones |
| Diamater (milímetros) |
± 1m m de Ф 50.8m m |
|
| Grueso |
1-2um o 2-3um |
|
| Densidad del defecto de Marco |
≤ 5 cm2s |
|
| Resistencia (300K) |
>108 Ohmio-cm |
|
| Portador |
<0.5ps |
|
| Densidad de dislocación |
<1x106cm-2 |
|
| Superficie usable |
el ≥80% |
|
| Polaco |
Solo lado pulido |
|
| Substrato |
Substrato del GaAs |
|
* también podemos proporcionar la barra polivinílica del GaAs del cristal, 99,9999% (6N).
