N mecanografía, la oblea del arseniuro de galio, 4", grado primero
PAM-XIAMEN desarrolla y fabrica el cristal y la oblea del arseniuro del substrato-galio del semiconductor compuesto. Hemos utilizado tecnología avanzada del crecimiento cristalino, el helada vertical de la pendiente (VGF) y tecnología de proceso de la oblea del GaAs, establecimos una cadena de producción del crecimiento cristalino, corte, moliendo al proceso de pulido y construimos un cuarto limpio de 100 clases para la limpieza y el empaquetado de la oblea. Nuestra oblea del GaAs incluye el lingote/las obleas de 2~6 pulgadas para el LED, el LD y los usos de la microelectrónica. Nos dedican siempre para mejorar la calidad actualmente de subestados y para desarrollar los substratos de gran tamaño.
Obleas del arseniuro de galio (GaAs) para los usos del LED
| Artículo | Especificaciones | |
| Tipo de la conducción | SC/n-type |
| Método del crecimiento | VGF |
| Dopante | Silicio |
| Oblea Diamter | 4, pulgada |
| Orientación cristalina | (100) 2°/6°/15° de (110) |
| DE | EJ o los E.E.U.U. |
| Concentración de portador | (0.4~2.5) E18/cm3 |
| Resistencia en el RT | (1.5~9) E-3 Ohm.cm |
| Movilidad | 1500~3000cm2/V.sec |
| Densidad del hoyo de grabado de pistas | <5000/cm2 |
| Marca del laser | a petición |
| Final superficial | P/E o P/P |
| Grueso | 220~450um |
| Epitaxia lista | Sí |
| Paquete | Solo envase o casete de la oblea |
Obleas del arseniuro de galio (GaAs) para los usos del LD
| Artículo | Especificaciones | Observaciones |
| Tipo de la conducción | SC/n-type | |
| Método del crecimiento | VGF | |
| Dopante | Silicio | |
| Oblea Diamter | 4, pulgada | Lingote o como-corte disponible |
| Orientación cristalina | (100) 2°/6°/15°off (110) | El otro misorientation disponible |
| DE | EJ o los E.E.U.U. | |
| Concentración de portador | (0.4~2.5) E18/cm3 | |
| Resistencia en el RT | (1.5~9) E-3 Ohm.cm | |
| Movilidad | 1500~3000 cm2s/V.sec | |
| Densidad del hoyo de grabado de pistas | <500/cm2 | |
| Marca del laser | a petición | |
| Final superficial | P/E o P/P | |
| Grueso | 220~350um | |
| Epitaxia lista | Sí | |
| Paquete | Solo envase o casete de la oblea |
Propiedades del cristal del GaAs
| Propiedades | GaAs |
| Atoms/cm3 | 4,42 x 1022 |
| Peso atómico | 144,63 |
| Campo de la avería | aproximadamente 4 x 105 |
| Estructura cristalina | Zincblende |
| Densidad (g/cm3) | 5,32 |
| Constante dieléctrica | 13,1 |
| Densidad eficaz de estados en la banda de conducción, Nc (cm-3) | 4,7 x 1017 |
| Densidad eficaz de los estados en la banda de la valencia, nanovoltio (cm-3) | 7,0 x 1018 |
| Afinidad de electrón (v) | 4,07 |
| Energía Gap en 300K (eV) | 1,424 |
| Concentración de portador intrínseco (cm-3) | 1,79 x 106 |
| Longitud de Debye intrínseca (micrones) | 2250 |
| Resistencia intrínseca (ohmio-cm) | 108 |
| Constante del enrejado (angstromes) | 5,6533 |
| Coeficiente linear de extensión termal, | 6,86 x 10-6 |
| ΔL/L/ΔT (1 DEG C) |
| Punto de fusión (DEG C) | 1238 |
| Curso de la vida del portador de minoría (s) | aproximadamente 10-8 |
| Movilidad (deriva) | 8500 |
| (cm2s de /V-s) |
| µn, electrones |
| Movilidad (deriva) | 400 |
| (cm2s de /V-s) |
| µp, agujeros |
| Energía óptica (eV) del fonón | 0,035 |
| Trayectoria libre mala del fonón (angstromes) | 58 |
| Calor específico | 0,35 |
| (J/g-deg C) |
| Conductividad termal en 300 K | 0,46 |
| (W/cm-degC) |
| Difusibilidad termal (cm2/sec) | 0,24 |
| Presión de vapor (Pa) | 100 en 1050 DEG C; |
| 1 en 900 DEG C |
| |
| Longitud de onda | Índice |
| (µm) |
| 2,6 | 3,3239 |
| 2,8 | 3,3204 |
| 3 | 3,3169 |
| 3,2 | 3,3149 |
| 3,4 | 3,3129 |
| 3,6 | 3,3109 |
| 3,8 | 3,3089 |
| 4 | 3,3069 |
| 4,2 | 3,3057 |
| 4,4 | 3,3045 |
| 4,6 | 3,3034 |
| 4,8 | 3,3022 |
| 5 | 3,301 |
| 5,2 | 3,3001 |
| 5,4 | 3,2991 |
| 5,6 | 3,2982 |
| 5,8 | 3,2972 |
| 6 | 3,2963 |
| 6,2 | 3,2955 |
| 6,4 | 3,2947 |
| 6,6 | 3,2939 |
| 6,8 | 3,2931 |
| 7 | 3,2923 |
| 7,2 | 3,2914 |
| 7,4 | 3,2905 |
| 7,6 | 3,2896 |
| 7,8 | 3,2887 |
| 8 | 3,2878 |
| 8,2 | 3,2868 |
| 8,4 | 3,2859 |
| 8,6 | 3,2849 |
| 8,8 | 3,284 |
| 9 | 3,283 |
| 9,2 | 3,2818 |
| 9,4 | 3,2806 |
| 9,6 | 3,2794 |
| 9,8 | 3,2782 |
| 10 | 3,277 |
| 10,2 | 3,2761 |
| 10,4 | 3,2752 |
| 10,6 | 3,2743 |
| 10,8 | 3,2734 |
| 11 | 3,2725 |
| 11,2 | 3,2713 |
| 11,4 | 3,2701 |
| 11,6 | 3,269 |
| 11,8 | 3,2678 |
| 12 | 3,2666 |
| 12,2 | 3,2651 |
| 12,4 | 3,2635 |
| 12,6 | 3,262 |
| 12,8 | 3,2604 |
| 13 | 3,2589 |
| 13,2 | 3,2573 |
| 13,4 | 3,2557 |
| 13,6 | 3,2541 |
¿Cuál es una oblea de la prueba del GaAs?
La mayoría de las obleas de la prueba del GaAs son las obleas que han caído de especificaciones primeras. Las obleas de la prueba se pueden utilizar para funcionar con los maratones, equipo de prueba y para R y la D. de gama alta. Son a menudo una alternativa rentable para preparar las obleas.
¿Cuál es las propiedades termales de la oblea del GaAs?
| Módulo a granel | 7,53·cm2s de 1011 dyn |
| Punto de fusión | °C 1240 |
| Calor específico | 0,33 J g-1°C -1 |
| Conductividad termal | 0,55 °C -1 de W cm-1 |
| Difusibilidad termal | 0.31cm2s-1 |
| Extensión termal, linear | 5,73·10-6 °C -1 |
 | Dependencia de la temperatura de la conductividad termal
n-tipo muestra, ninguna (cm-3): 1. 1016; 2. 1,4·1016; 3. 1018;
p-tipo muestra, po (cm-3): 4. 3·1018; 5. 1,2·1019.
|
| Dependencia de la temperatura de la conductividad termal (para la temperatura alta)
n-tipo muestra, ninguna (cm-3): 1. 7·1015; 2. 5·1016; 3. 4·1017; 4. 8·1018;
p-tipo muestra, po (cm-3): 5. 6·1019.
|
| Dependencia de la temperatura del calor específico en la presión constante Ccl= 3kbN = 0,345 J g-1°C -1.
N es el número de átomos en 1 og GaAs de g.
Línea discontinua: Cp= (4π2Ccl/5θo3)·T3 para el θo= 345 K.
|
| Dependencia de la temperatura del α linear del coeficiente de la extensión
|
| Punto de fusión | Tm=1513 K |
| Para 0 < P < 45 kbar | Tm= 1513 - 3.5P (P en kbar) |
| Presión de vapor saturado | (en PASCAL) |
| K 1173 | 1 |
| K 1323 | 100 |
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