XIAMEN POWERWAY AVANZÓ CO. MATERIAL, LTD.

XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

Manufacturer from China
Miembro activo
6 Años
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Semiaislante, oblea del GaAs con la densidad baja del defecto, 3", grado primero

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XIAMEN POWERWAY AVANZÓ CO. MATERIAL, LTD.
Ciudad:xiamen
Provincia / Estado:fujian
País/Región:china
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Semiaislante, oblea del GaAs con la densidad baja del defecto, 3", grado primero

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Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :1-10,000pcs
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :10.000 obleas/mes
Plazo de expedición :5-50 días laborables
Detalles de empaquetado :Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en solo envase, bajo atmósfera del nitr
Nombre del producto :Oblea del GaAs del arseniuro de galio
Oblea Diamter :3 ″
Espesor :350~675um
Grado :Grado primero
Uso :Uso de la microelectrónica
Palabra clave :Oblea cristalina del GaAs
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Semiaislante, oblea del GaAs con la densidad baja del defecto, 3", grado primero

 

PAM-XIAMEN desarrolla y fabrica el cristal y la oblea del arseniuro del substrato-galio del semiconductor compuesto. Hemos utilizado tecnología avanzada del crecimiento cristalino, el helada vertical de la pendiente (VGF) y tecnología de proceso de la oblea del GaAs, establecimos una cadena de producción del crecimiento cristalino, corte, moliendo al proceso de pulido y construimos un cuarto limpio de 100 clases para la limpieza y el empaquetado de la oblea. Nuestra oblea del GaAs incluye el lingote/las obleas de 2~6 pulgadas para el LED, el LD y los usos de la microelectrónica. Nos dedican siempre para mejorar la calidad actualmente de subestados y para desarrollar los substratos de gran tamaño.

 

Obleas del arseniuro de galio (GaAs), semiaislantes para los usos de la microelectrónica

Artículo Especificaciones Observaciones
Tipo de la conducción Aislamiento  
Método del crecimiento VGF  
Dopante Sin impurificar  
Oblea Diamter 3, pulgada Lingote disponible
Orientación cristalina (100) +/- 0.5°  
DE EJ, los E.E.U.U. o muesca  
Concentración de portador n/a  
Resistencia en el RT >1E7 Ohm.cm  
Movilidad >5000 cm2s/V.sec  
Densidad del hoyo de grabado de pistas <8000>  
Marca del laser a petición  
Final superficial P/P  
Grueso 350~675um  
Epitaxia lista  
Paquete Solo envase o casete de la oblea

 

Propiedades del cristal del GaAs

Propiedades GaAs
Atoms/cm3 4,42 x 1022
Peso atómico 144,63
Campo de la avería aproximadamente 4 x 105
Estructura cristalina Zincblende
Densidad (g/cm3) 5,32
Constante dieléctrica 13,1
Densidad eficaz de estados en la banda de conducción, Nc (cm-3) 4,7 x 1017
Densidad eficaz de los estados en la banda de la valencia, nanovoltio (cm-3) 7,0 x 1018
Afinidad de electrón (v) 4,07
Energía Gap en 300K (eV) 1,424
Concentración de portador intrínseco (cm-3) 1,79 x 106
Longitud de Debye intrínseca (micrones) 2250
Resistencia intrínseca (ohmio-cm) 108
Constante del enrejado (angstromes) 5,6533
Coeficiente linear de extensión termal, 6,86 x 10-6
ΔL/L/ΔT (1 DEG C)
Punto de fusión (DEG C) 1238
Curso de la vida del portador de minoría (s) aproximadamente 10-8
Movilidad (deriva) 8500
(cm2s de /V-s)
µn, electrones
Movilidad (deriva) 400
(cm2s de /V-s)
µp, agujeros
Energía óptica (eV) del fonón 0,035
Trayectoria libre mala del fonón (angstromes) 58
Calor específico 0,35
(J/g-deg C)
Conductividad termal en 300 K 0,46
(W/cm-degC)
Difusibilidad termal (cm2/sec) 0,24
Presión de vapor (Pa) 100 en 1050 DEG C;
1 en 900 DEG C

 

Longitud de onda Índice
(µm)
2,6 3,3239
2,8 3,3204
3 3,3169
3,2 3,3149
3,4 3,3129
3,6 3,3109
3,8 3,3089
4 3,3069
4,2 3,3057
4,4 3,3045
4,6 3,3034
4,8 3,3022
5 3,301
5,2 3,3001
5,4 3,2991
5,6 3,2982
5,8 3,2972
6 3,2963
6,2 3,2955
6,4 3,2947
6,6 3,2939
6,8 3,2931
7 3,2923
7,2 3,2914
7,4 3,2905
7,6 3,2896
7,8 3,2887
8 3,2878
8,2 3,2868
8,4 3,2859
8,6 3,2849
8,8 3,284
9 3,283
9,2 3,2818
9,4 3,2806
9,6 3,2794
9,8 3,2782
10 3,277
10,2 3,2761
10,4 3,2752
10,6 3,2743
10,8 3,2734
11 3,2725
11,2 3,2713
11,4 3,2701
11,6 3,269
11,8 3,2678
12 3,2666
12,2 3,2651
12,4 3,2635
12,6 3,262
12,8 3,2604
13 3,2589
13,2 3,2573
13,4 3,2557
13,6 3,2541

 

¿Cuál es una oblea de la prueba del GaAs?

La mayoría de las obleas de la prueba del GaAs son las obleas que han caído de especificaciones primeras. Las obleas de la prueba se pueden utilizar para funcionar con los maratones, equipo de prueba y para R y la D. de gama alta. Son a menudo una alternativa rentable para preparar las obleas.

 

¿Cuál es los parámetros básicos en 300 el   K de la oblea del GaAs?

 

Estructura cristalina Blenda de cinc
Grupo de simetría Td2-F43m
Número de átomos en 1 cm3 4,42·1022
longitud de onda del electrón de Broglie 240 A
Temperatura de Debye 360 K
Densidad 5,32 g cm-3
Constante dieléctrica (estática) 12,9
Constante dieléctrica (de alta frecuencia) 10,89
Masa de electrón eficaz yo 0.063mo
El agujero eficaz forma el Mh 0.51mo
El agujero eficaz forma el mlp 0.082mo
Afinidad de electrón eV 4,07
Constante del enrejado 5,65325 A
Energía óptica del fonón 0,035 eV

 

¿Usted está buscando la oblea del GaAs?

¡PAM-XIAMEN es su ir-al lugar para todo las obleas, incluyendo las obleas del GaAs, como lo hemos estado haciendo por casi 30 años! Investigúenos hoy para aprender más sobre las obleas que ofrecemos y cómo podemos ayudarle con su proyecto siguiente. ¡Nuestro equipo del grupo está mirando adelante a proporcionar productos de calidad y el servicio excelente para usted!

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