Semiaislante, oblea del GaAs con la densidad baja del defecto, 3", grado primero
PAM-XIAMEN desarrolla y fabrica el cristal y la oblea del arseniuro del substrato-galio del semiconductor compuesto. Hemos utilizado tecnología avanzada del crecimiento cristalino, el helada vertical de la pendiente (VGF) y tecnología de proceso de la oblea del GaAs, establecimos una cadena de producción del crecimiento cristalino, corte, moliendo al proceso de pulido y construimos un cuarto limpio de 100 clases para la limpieza y el empaquetado de la oblea. Nuestra oblea del GaAs incluye el lingote/las obleas de 2~6 pulgadas para el LED, el LD y los usos de la microelectrónica. Nos dedican siempre para mejorar la calidad actualmente de subestados y para desarrollar los substratos de gran tamaño.
Obleas del arseniuro de galio (GaAs), semiaislantes para los usos de la microelectrónica
| Artículo |
Especificaciones |
Observaciones |
| Tipo de la conducción |
Aislamiento |
|
| Método del crecimiento |
VGF |
|
| Dopante |
Sin impurificar |
|
| Oblea Diamter |
3, pulgada |
Lingote disponible |
| Orientación cristalina |
(100) +/- 0.5° |
|
| DE |
EJ, los E.E.U.U. o muesca |
|
| Concentración de portador |
n/a |
|
| Resistencia en el RT |
>1E7 Ohm.cm |
|
| Movilidad |
>5000 cm2s/V.sec |
|
| Densidad del hoyo de grabado de pistas |
<8000>
| |
| Marca del laser |
a petición |
|
| Final superficial |
P/P |
|
| Grueso |
350~675um |
|
| Epitaxia lista |
Sí |
|
| Paquete |
Solo envase o casete de la oblea |
Propiedades del cristal del GaAs
| Propiedades |
GaAs |
| Atoms/cm3 |
4,42 x 1022 |
| Peso atómico |
144,63 |
| Campo de la avería |
aproximadamente 4 x 105 |
| Estructura cristalina |
Zincblende |
| Densidad (g/cm3) |
5,32 |
| Constante dieléctrica |
13,1 |
| Densidad eficaz de estados en la banda de conducción, Nc (cm-3) |
4,7 x 1017 |
| Densidad eficaz de los estados en la banda de la valencia, nanovoltio (cm-3) |
7,0 x 1018 |
| Afinidad de electrón (v) |
4,07 |
| Energía Gap en 300K (eV) |
1,424 |
| Concentración de portador intrínseco (cm-3) |
1,79 x 106 |
| Longitud de Debye intrínseca (micrones) |
2250 |
| Resistencia intrínseca (ohmio-cm) |
108 |
| Constante del enrejado (angstromes) |
5,6533 |
| Coeficiente linear de extensión termal, |
6,86 x 10-6 |
| ΔL/L/ΔT (1 DEG C) |
| Punto de fusión (DEG C) |
1238 |
| Curso de la vida del portador de minoría (s) |
aproximadamente 10-8 |
| Movilidad (deriva) |
8500 |
| (cm2s de /V-s) |
| µn, electrones |
| Movilidad (deriva) |
400 |
| (cm2s de /V-s) |
| µp, agujeros |
| Energía óptica (eV) del fonón |
0,035 |
| Trayectoria libre mala del fonón (angstromes) |
58 |
| Calor específico |
0,35 |
| (J/g-deg C) |
| Conductividad termal en 300 K |
0,46 |
| (W/cm-degC) |
| Difusibilidad termal (cm2/sec) |
0,24 |
| Presión de vapor (Pa) |
100 en 1050 DEG C; |
| 1 en 900 DEG C |
| Longitud de onda |
Índice |
| (µm) |
| 2,6 |
3,3239 |
| 2,8 |
3,3204 |
| 3 |
3,3169 |
| 3,2 |
3,3149 |
| 3,4 |
3,3129 |
| 3,6 |
3,3109 |
| 3,8 |
3,3089 |
| 4 |
3,3069 |
| 4,2 |
3,3057 |
| 4,4 |
3,3045 |
| 4,6 |
3,3034 |
| 4,8 |
3,3022 |
| 5 |
3,301 |
| 5,2 |
3,3001 |
| 5,4 |
3,2991 |
| 5,6 |
3,2982 |
| 5,8 |
3,2972 |
| 6 |
3,2963 |
| 6,2 |
3,2955 |
| 6,4 |
3,2947 |
| 6,6 |
3,2939 |
| 6,8 |
3,2931 |
| 7 |
3,2923 |
| 7,2 |
3,2914 |
| 7,4 |
3,2905 |
| 7,6 |
3,2896 |
| 7,8 |
3,2887 |
| 8 |
3,2878 |
| 8,2 |
3,2868 |
| 8,4 |
3,2859 |
| 8,6 |
3,2849 |
| 8,8 |
3,284 |
| 9 |
3,283 |
| 9,2 |
3,2818 |
| 9,4 |
3,2806 |
| 9,6 |
3,2794 |
| 9,8 |
3,2782 |
| 10 |
3,277 |
| 10,2 |
3,2761 |
| 10,4 |
3,2752 |
| 10,6 |
3,2743 |
| 10,8 |
3,2734 |
| 11 |
3,2725 |
| 11,2 |
3,2713 |
| 11,4 |
3,2701 |
| 11,6 |
3,269 |
| 11,8 |
3,2678 |
| 12 |
3,2666 |
| 12,2 |
3,2651 |
| 12,4 |
3,2635 |
| 12,6 |
3,262 |
| 12,8 |
3,2604 |
| 13 |
3,2589 |
| 13,2 |
3,2573 |
| 13,4 |
3,2557 |
| 13,6 |
3,2541 |
¿Cuál es una oblea de la prueba del GaAs?
La mayoría de las obleas de la prueba del GaAs son las obleas que han caído de especificaciones primeras. Las obleas de la prueba se pueden utilizar para funcionar con los maratones, equipo de prueba y para R y la D. de gama alta. Son a menudo una alternativa rentable para preparar las obleas.
¿Cuál es los parámetros básicos en 300 el K de la oblea del GaAs?
| Estructura cristalina |
Blenda de cinc |
| Grupo de simetría |
Td2-F43m |
| Número de átomos en 1 cm3 |
4,42·1022 |
| longitud de onda del electrón de Broglie |
240 A |
| Temperatura de Debye |
360 K |
| Densidad |
5,32 g cm-3 |
| Constante dieléctrica (estática) |
12,9 |
| Constante dieléctrica (de alta frecuencia) |
10,89 |
| Masa de electrón eficaz yo |
0.063mo |
| El agujero eficaz forma el Mh |
0.51mo |
| El agujero eficaz forma el mlp |
0.082mo |
| Afinidad de electrón |
eV 4,07 |
| Constante del enrejado |
5,65325 A |
| Energía óptica del fonón |
0,035 eV |
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