Semiaislante, substrato del arseniuro de galio, 4", grado primero
PAM-XIAMEN desarrolla y fabrica el cristal y la oblea del arseniuro del substrato-galio del semiconductor compuesto. Hemos utilizado tecnología avanzada del crecimiento cristalino, el helada vertical de la pendiente (VGF) y la tecnología de proceso de la oblea del arseniuro de galio (GaAs). Las propiedades eléctricas requeridas son obtenidas añadiendo dopantes tales como silicio o cinc. El resultado es n-tipo o p-tipo de alta resistencia (>10^7 ohm.cm) o semiconductores de la bajo-resistencia (<10 - 2 ohm.cm). Las superficies de la oblea están generalmente epi-listas (extremadamente - contaminación baja) es decir su calidad son convenientes para el uso directo en procesos epitaxiales.
Obleas del arseniuro de galio (GaAs), semiaislantes para los usos de la microelectrónica
| Artículo |
Especificaciones |
Observaciones |
| Tipo de la conducción |
Aislamiento |
|
| Método del crecimiento |
VGF |
|
| Dopante |
Sin impurificar |
|
| Oblea Diamter |
4, pulgada |
Lingote disponible |
| Orientación cristalina |
(100) +/- 0.5° |
|
| DE |
EJ, los E.E.U.U. o muesca |
|
| Concentración de portador |
n/a |
|
| Resistencia en el RT |
>1E7 Ohm.cm |
|
| Movilidad |
>5000 cm2s/V.sec |
|
| Densidad del hoyo de grabado de pistas |
<8000 /cm2 |
|
| Marca del laser |
a petición |
|
| Final superficial |
P/P |
|
| Grueso |
350~675um |
|
| Epitaxia lista |
Sí |
|
| Paquete |
Solo envase o casete de la oblea |
Propiedades del cristal del GaAs
| Propiedades |
GaAs |
| Atoms/cm3 |
4,42 x 1022 |
| Peso atómico |
144,63 |
| Campo de la avería |
aproximadamente 4 x 105 |
| Estructura cristalina |
Zincblende |
| Densidad (g/cm3) |
5,32 |
| Constante dieléctrica |
13,1 |
| Densidad eficaz de estados en la banda de conducción, Nc (cm-3) |
4,7 x 1017 |
| Densidad eficaz de los estados en la banda de la valencia, nanovoltio (cm-3) |
7,0 x 1018 |
| Afinidad de electrón (v) |
4,07 |
| Energía Gap en 300K (eV) |
1,424 |
| Concentración de portador intrínseco (cm-3) |
1,79 x 106 |
| Longitud de Debye intrínseca (micrones) |
2250 |
| Resistencia intrínseca (ohmio-cm) |
108 |
| Constante del enrejado (angstromes) |
5,6533 |
| Coeficiente linear de extensión termal, |
6,86 x 10-6 |
| ΔL/L/ΔT (1 DEG C) |
| Punto de fusión (DEG C) |
1238 |
| Curso de la vida del portador de minoría (s) |
aproximadamente 10-8 |
| Movilidad (deriva) |
8500 |
| (cm2s de /V-s) |
| µn, electrones |
| Movilidad (deriva) |
400 |
| (cm2s de /V-s) |
| µp, agujeros |
| Energía óptica (eV) del fonón |
0,035 |
| Trayectoria libre mala del fonón (angstromes) |
58 |
| Calor específico |
0,35 |
| (J/g-deg C) |
| Conductividad termal en 300 K |
0,46 |
| (W/cm-degC) |
| Difusibilidad termal (cm2/sec) |
0,24 |
| Presión de vapor (Pa) |
100 en 1050 DEG C; |
| 1 en 900 DEG C |
| |
| Longitud de onda |
Índice |
| (µm) |
| 2,6 |
3,3239 |
| 2,8 |
3,3204 |
| 3 |
3,3169 |
| 3,2 |
3,3149 |
| 3,4 |
3,3129 |
| 3,6 |
3,3109 |
| 3,8 |
3,3089 |
| 4 |
3,3069 |
| 4,2 |
3,3057 |
| 4,4 |
3,3045 |
| 4,6 |
3,3034 |
| 4,8 |
3,3022 |
| 5 |
3,301 |
| 5,2 |
3,3001 |
| 5,4 |
3,2991 |
| 5,6 |
3,2982 |
| 5,8 |
3,2972 |
| 6 |
3,2963 |
| 6,2 |
3,2955 |
| 6,4 |
3,2947 |
| 6,6 |
3,2939 |
| 6,8 |
3,2931 |
| 7 |
3,2923 |
| 7,2 |
3,2914 |
| 7,4 |
3,2905 |
| 7,6 |
3,2896 |
| 7,8 |
3,2887 |
| 8 |
3,2878 |
| 8,2 |
3,2868 |
| 8,4 |
3,2859 |
| 8,6 |
3,2849 |
| 8,8 |
3,284 |
| 9 |
3,283 |
| 9,2 |
3,2818 |
| 9,4 |
3,2806 |
| 9,6 |
3,2794 |
| 9,8 |
3,2782 |
| 10 |
3,277 |
| 10,2 |
3,2761 |
| 10,4 |
3,2752 |
| 10,6 |
3,2743 |
| 10,8 |
3,2734 |
| 11 |
3,2725 |
| 11,2 |
3,2713 |
| 11,4 |
3,2701 |
| 11,6 |
3,269 |
| 11,8 |
3,2678 |
| 12 |
3,2666 |
| 12,2 |
3,2651 |
| 12,4 |
3,2635 |
| 12,6 |
3,262 |
| 12,8 |
3,2604 |
| 13 |
3,2589 |
| 13,2 |
3,2573 |
| 13,4 |
3,2557 |
| 13,6 |
3,2541 |
