P mecanografía, oblea del GaAs con la densidad baja del hoyo de grabado de pistas, 2", grado primero, Epi listo
PAM-XIAMEN desarrolla y fabrica el cristal y la oblea del arseniuro del substrato-galio del semiconductor compuesto. Hemos utilizado tecnología avanzada del crecimiento cristalino, el helada vertical de la pendiente (VGF) y tecnología de proceso de la oblea del GaAs, establecimos una cadena de producción del crecimiento cristalino, corte, moliendo al proceso de pulido y construimos un cuarto limpio de 100 clases para la limpieza y el empaquetado de la oblea. Nuestra oblea del GaAs incluye el lingote/las obleas de 2~6 pulgadas para el LED, el LD y los usos de la microelectrónica. Nos dedican siempre para mejorar la calidad actualmente de subestados y para desarrollar los substratos de gran tamaño.
Obleas del arseniuro de galio (GaAs) para los usos del LED
| Artículo |
Especificaciones |
|
| Tipo de la conducción |
SC/p-type con la droga del Zn disponible |
| Método del crecimiento |
VGF |
| Dopante |
Magnesio |
| Oblea Diamter |
2, pulgada |
| Orientación cristalina |
(100) 2°/6°/15° de (110) |
| DE |
EJ o los E.E.U.U. |
| Concentración de portador |
E19 |
| Resistencia en el RT |
— |
| Movilidad |
1500~3000cm2/V.sec
|
| Densidad del hoyo de grabado de pistas |
<5000>
|
| Marca del laser |
a petición
|
| Final superficial |
P/E o P/P
|
| Grueso |
220~450um
|
| Epitaxia lista |
Sí |
| Paquete |
Solo envase o casete de la oblea |
Propiedades del cristal del GaAs
| Propiedades |
GaAs |
| Atoms/cm3 |
4,42 x 1022 |
| Peso atómico |
144,63 |
| Campo de la avería |
aproximadamente 4 x 105 |
| Estructura cristalina |
Zincblende |
| Densidad (g/cm3) |
5,32 |
| Constante dieléctrica |
13,1 |
| Densidad eficaz de estados en la banda de conducción, Nc (cm-3) |
4,7 x 1017 |
| Densidad eficaz de los estados en la banda de la valencia, nanovoltio (cm-3) |
7,0 x 1018 |
| Afinidad de electrón (v) |
4,07 |
| Energía Gap en 300K (eV) |
1,424 |
| Concentración de portador intrínseco (cm-3) |
1,79 x 106 |
| Longitud de Debye intrínseca (micrones) |
2250 |
| Resistencia intrínseca (ohmio-cm) |
108 |
| Constante del enrejado (angstromes) |
5,6533 |
| Coeficiente linear de extensión termal, |
6,86 x 10-6 |
| ΔL/L/ΔT (1 DEG C) |
| Punto de fusión (DEG C) |
1238 |
| Curso de la vida del portador de minoría (s) |
aproximadamente 10-8 |
| Movilidad (deriva) |
8500 |
| (cm2s de /V-s) |
| µn, electrones |
| Movilidad (deriva) |
400 |
| (cm2s de /V-s) |
| µp, agujeros |
| Energía óptica (eV) del fonón |
0,035 |
| Trayectoria libre mala del fonón (angstromes) |
58 |
| Calor específico |
0,35 |
| (J/g-deg C) |
| Conductividad termal en 300 K |
0,46 |
| (W/cm-degC) |
| Difusibilidad termal (cm2/sec) |
0,24 |
| Presión de vapor (Pa) |
100 en 1050 DEG C; |
| 1 en 900 DEG C |
| Longitud de onda |
Índice |
| (µm) |
| 2,6 |
3,3239 |
| 2,8 |
3,3204 |
| 3 |
3,3169 |
| 3,2 |
3,3149 |
| 3,4 |
3,3129 |
| 3,6 |
3,3109 |
| 3,8 |
3,3089 |
| 4 |
3,3069 |
| 4,2 |
3,3057 |
| 4,4 |
3,3045 |
| 4,6 |
3,3034 |
| 4,8 |
3,3022 |
| 5 |
3,301 |
| 5,2 |
3,3001 |
| 5,4 |
3,2991 |
| 5,6 |
3,2982 |
| 5,8 |
3,2972 |
| 6 |
3,2963 |
| 6,2 |
3,2955 |
| 6,4 |
3,2947 |
| 6,6 |
3,2939 |
| 6,8 |
3,2931 |
| 7 |
3,2923 |
| 7,2 |
3,2914 |
| 7,4 |
3,2905 |
| 7,6 |
3,2896 |
| 7,8 |
3,2887 |
| 8 |
3,2878 |
| 8,2 |
3,2868 |
| 8,4 |
3,2859 |
| 8,6 |
3,2849 |
| 8,8 |
3,284 |
| 9 |
3,283 |
| 9,2 |
3,2818 |
| 9,4 |
3,2806 |
| 9,6 |
3,2794 |
| 9,8 |
3,2782 |
| 10 |
3,277 |
| 10,2 |
3,2761 |
| 10,4 |
3,2752 |
| 10,6 |
3,2743 |
| 10,8 |
3,2734 |
| 11 |
3,2725 |
| 11,2 |
3,2713 |
| 11,4 |
3,2701 |
| 11,6 |
3,269 |
| 11,8 |
3,2678 |
| 12 |
3,2666 |
| 12,2 |
3,2651 |
| 12,4 |
3,2635 |
| 12,6 |
3,262 |
| 12,8 |
3,2604 |
| 13 |
3,2589 |
| 13,2 |
3,2573 |
| 13,4 |
3,2557 |
| 13,6 |
3,2541 |
¿Cuál es una oblea de la prueba del GaAs?
La mayoría de las obleas de la prueba del GaAs son las obleas que han caído de especificaciones primeras. Las obleas de la prueba se pueden utilizar para funcionar con los maratones, equipo de prueba y para R y la D. de gama alta. Son a menudo una alternativa rentable para preparar las obleas.
Cuál es las propiedades eléctricas de la oblea del GaAs
| Campo de la avería |
≈4·105 V/cm |
| Electrones de la movilidad |
cm2s de ≤8500 V-1s-1 |
| Agujeros de la movilidad |
cm2s de ≤400 V-1s-1 |
| Electrones del coeficiente de difusión |
≤200 cm2/s |
| Agujeros del coeficiente de difusión |
≤10 cm2/s |
| Velocidad la termal del electrón |
4,4·105 m/s |
| Velocidad la termal del agujero |
1,8·105m/s |
Movilidad y Hall Effect
La movilidad de pasillo del electrón contra la temperatura para diverso doping nivela.
1. Curva inferior: Nd=5·1015cm-3;
2. curva del centro: Nd=1015cm-3;
3. Curva superior: Nd=5·1015cm-3
Para el GaAs débil dopado en la temperatura cerca de 300 K, movilidad de pasillo del electrón
µH=9400 (300/T) cm2s de V-1 S1 |
Movilidad de pasillo del electrón contra la temperatura para los diversos niveles y grados de doping de remuneración (temperaturas altas):
Abra los círculos: Nd=4Na=1.2·1017 cm-3;
Cuadrados abiertos: Nd=4Na=1016 cm-3;
Abra los triángulos: Nd=3Na=2·1015 cm-3;
La curva sólida representa el cálculo para el GaAs puro
Para el GaAs débil dopado en la temperatura cerca de 300 K, movilidad de deriva del electrón
µn=8000 (300/T) 2/3 cm2 de V-1 S1 |
Movilidad de la deriva y de pasillo contra la concentración del electrón para diversos grados de remuneración T= 77 K
|
Movilidad de la deriva y de pasillo contra la concentración del electrón para diversos grados de remuneración T= 300 K
|
Fórmula aproximada para la movilidad de pasillo
. µn =ΜOH/(1+Nd·10-17) el 1/2, donde ΜOH≈9400 (cm2s de V-1 S1), Nd en cm-3
Dependencia de la temperatura del factor de Pasillo para el n-tipo puro GaAs en un campo magnético débil
|
Dependencia de la temperatura de la movilidad de pasillo para tres muestras de gran pureza
|
Para el GaAs en las temperaturas cerca de 300 K, movilidad de pasillo del agujero
(cm2V-1s-1), (p - en cm-3)
Para el GaAs débil dopado en la temperatura cerca de 300 K, movilidad de pasillo
µpH=400 (300/T) 2,3 (cm2s de V-1 S1).
| La movilidad de pasillo del agujero contra densidad del agujero. |
En T= 300 K, el factor de Pasillo en el GaAs puro
rH=1.25.
Propiedades de transporte en altos campos eléctricos
Dependencias del campo de la velocidad de deriva del electrón.
La curva sólida era calculada cerca.
Las curvas estralladas y punteadas son los datos medidos, 300 K |
Coloque las dependencias de la velocidad de deriva del electrón para los altos campos eléctricos, 300 K.
|
Coloque las dependencias de la velocidad de deriva del electrón en diversas temperaturas.
|
Fracción de electrones en valles de L y de X. NL y nX en función del campo eléctrico F en 77, 160, y 300 K, Nd=0
Curva punteada - L valles, curva rayada - valles de X. |
Energía mala E en valles de Γ, de L, y de X en función del campo eléctrico F en 77, 160, y 300 K, Nd=0
Curva sólida - valles de Γ, curva punteada - L valles, curva estrallada - valles de X. |
Dependencias de la frecuencia de la movilidad del diferencial del electrón.
el µd es parte real de la movilidad diferenciada; pieza imaginaria de los µd*is de movilidad diferenciada.
F= 5,5 kilovoltios cm-1
|
La dependencia del campo del coeficiente de difusión longitudinal del electrón D||F.
Las curvas 1 y 2 del sólido son cálculos teóricos. Las curvas rayadas 3, 4, y 5 son datos experimentales.
Curva 1 - de
Curva 2 - de
Curva 3 - de
Curva 4 - de
Curva 5 - |
Coloque las dependencias de la velocidad de deriva del agujero en diversas temperaturas.
|
Dependencia de la temperatura de la velocidad del agujero de la saturación en altos campos eléctricos
|
La dependencia del campo del coeficiente de difusión del agujero.
|
Ionización de impacto
Hay dos escuelas de pensamiento con respecto a la ionización de impacto en el GaAs.
Primer indica que el αi y el βi de las tarifas de la ionización de impacto para los electrones y los agujeros en el GaAs están sabidos exactamente bastante para distinguir tales detalles sutiles tales como el anisothropy del αi y del βi para diversas direcciones cristalográficas. Este acercamiento es descrito detalladamente en el trabajo por Dmitriev y otros [1987].
Αi y βi experimentales de las curvas contra 1/F para el GaAs.
|
Αi y βi experimentales de las curvas contra 1/F para el GaAs.
|
Αi y βi experimentales de las curvas contra 1/F para el GaAs.
|
Los segundos focos de la escuela en los valores del αi y el βi para el mismo campo eléctrico divulgado por diferente investigan diferencian por un orden de magnitud o más. Este punto de vista es explicado por Kyuregyan y Yurkov [1989]. Según este acercamiento podemos asumir ese αi = βi. La fórmula aproximada para la dependencia del campo de la ionización valora:
=αoexp del αi = del β i [δ - (δ2 + (F0/F) 2) el 1/2]
donde αo = 0,245·106 cm-1; β = 57,6 FO = 6,65·106 V cm-1 (Kyuregyan y Yurkov [1989]).
| Voltaje de avería y campo de la avería contra el doping de la densidad para un empalme precipitado del p-n. |
Parámetro de la recombinación
| N-tipo puro material (ningún ~ 1014cm-3) |
|
| El curso de la vida más largo de agujeros |
τp ~3·10-6 s |
| Longitud de difusión Lp = (DP·τp) el 1/2 |
Μm del Lp ~30-50. |
| P-tipo puro material |
|
| (a) nivel bajo de la inyección |
|
| El curso de la vida más largo de electrones |
τn ~ 5·10-9 s |
| Longitud de difusión Ln = (Dn·τ n) el 1/2 |
Μm de Ln ~10 |
| (b) alto nivel de la inyección (trampas llenadas) |
|
| El curso de la vida más largo de electrones |
τ ~2,5·10-7 s |
| Longitud de difusión Ln |
Ln ~ µm 70 |
Velocidad de recombinación superficial contra el doping de densidad
Diversos puntos experimentales corresponden a diversos métodos de tratamiento superficial. |
Coeficiente radiativo de la recombinación
| 90 K |
1,8·10-8cm3/s |
| 185 K |
1,9·10-9cm3/s |
| 300 K |
7,2·10-10cm3/s |
Coeficiente del taladro
| 300 K |
~10-30cm6/s |
| 500 K |
~10-29cm6/s |
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