P mecanografía, la oblea del GaAs, 2", grado de la prueba
PAM-XIAMEN proporciona el solo cristal y la oblea policristalina del GaAs (arseniuro de galio) para la industria de la optoelectrónica y de la microelectrónica para hacer el LD, el LED, el circuito de la microonda y usos de la célula solar, las obleas está en gama del diámetro a partir de la 2" a 6" en diversos gruesos y orientaciones. Ofrecemos la oblea del GaAs del solo cristal producida por dos técnicas principales LEC del crecimiento y método de VGF, permitiendo que proveamos de clientes la opción más amplia del material del GaAs la alta uniformidad de propiedades eléctricas y de la calidad superficial excelente. El arseniuro de galio se puede suministrar como lingotes y la oblea pulida, ambas que conducen y la oblea semiaislante del GaAs, el grado mecánico y el grado listo están toda del epi disponibles. Podemos ofrecer la oblea del GaAs con valor bajo de EPD y alta la calidad superficial convenientes para sus usos del MOCVD y del MBE. PAM-XIAMEN puede producir grados de la amplia gama: grado primero, grado de la prueba, y grado óptico. Entre en contacto con por favor a nuestro equipo del ingeniero para más información de la oblea.
Obleas del arseniuro de galio (GaAs) para los usos del LED
| Artículo | Especificaciones | |
| Tipo de la conducción | SC/p-type con la droga del Zn disponible |
| Método del crecimiento | VGF |
| Dopante | Magnesio |
| Oblea Diamter | 2, pulgada |
| Orientación cristalina | (100) 2°/6°/15° de (110) |
| DE | EJ o los E.E.U.U. |
| Concentración de portador | E19 |
| Resistencia en el RT | — |
| Movilidad | 1500~3000cm2/V.sec |
| Densidad del hoyo de grabado de pistas | <5000/cm2 |
| Marca del laser | a petición |
| Final superficial | P/E o P/P |
| Grueso | 220~450um |
| Epitaxia lista | Sí |
| Paquete | Solo envase o casete de la oblea |
Propiedades del cristal del GaAs
| Propiedades | GaAs |
| Atoms/cm3 | 4,42 x 1022 |
| Peso atómico | 144,63 |
| Campo de la avería | aproximadamente 4 x 105 |
| Estructura cristalina | Zincblende |
| Densidad (g/cm3) | 5,32 |
| Constante dieléctrica | 13,1 |
| Densidad eficaz de estados en la banda de conducción, Nc (cm-3) | 4,7 x 1017 |
| Densidad eficaz de los estados en la banda de la valencia, nanovoltio (cm-3) | 7,0 x 1018 |
| Afinidad de electrón (v) | 4,07 |
| Energía Gap en 300K (eV) | 1,424 |
| Concentración de portador intrínseco (cm-3) | 1,79 x 106 |
| Longitud de Debye intrínseca (micrones) | 2250 |
| Resistencia intrínseca (ohmio-cm) | 108 |
| Constante del enrejado (angstromes) | 5,6533 |
| Coeficiente linear de extensión termal, | 6,86 x 10-6 |
| ΔL/L/ΔT (1 DEG C) |
| Punto de fusión (DEG C) | 1238 |
| Curso de la vida del portador de minoría (s) | aproximadamente 10-8 |
| Movilidad (deriva) | 8500 |
| (cm2s de /V-s) |
| µn, electrones |
| Movilidad (deriva) | 400 |
| (cm2s de /V-s) |
| µp, agujeros |
| Energía óptica (eV) del fonón | 0,035 |
| Trayectoria libre mala del fonón (angstromes) | 58 |
| Calor específico | 0,35 |
| (J/g-deg C) |
| Conductividad termal en 300 K | 0,46 |
| (W/cm-degC) |
| Difusibilidad termal (cm2/sec) | 0,24 |
| Presión de vapor (Pa) | 100 en 1050 DEG C; |
| 1 en 900 DEG C |
| |
| Longitud de onda | Índice |
| (µm) |
| 2,6 | 3,3239 |
| 2,8 | 3,3204 |
| 3 | 3,3169 |
| 3,2 | 3,3149 |
| 3,4 | 3,3129 |
| 3,6 | 3,3109 |
| 3,8 | 3,3089 |
| 4 | 3,3069 |
| 4,2 | 3,3057 |
| 4,4 | 3,3045 |
| 4,6 | 3,3034 |
| 4,8 | 3,3022 |
| 5 | 3,301 |
| 5,2 | 3,3001 |
| 5,4 | 3,2991 |
| 5,6 | 3,2982 |
| 5,8 | 3,2972 |
| 6 | 3,2963 |
| 6,2 | 3,2955 |
| 6,4 | 3,2947 |
| 6,6 | 3,2939 |
| 6,8 | 3,2931 |
| 7 | 3,2923 |
| 7,2 | 3,2914 |
| 7,4 | 3,2905 |
| 7,6 | 3,2896 |
| 7,8 | 3,2887 |
| 8 | 3,2878 |
| 8,2 | 3,2868 |
| 8,4 | 3,2859 |
| 8,6 | 3,2849 |
| 8,8 | 3,284 |
| 9 | 3,283 |
| 9,2 | 3,2818 |
| 9,4 | 3,2806 |
| 9,6 | 3,2794 |
| 9,8 | 3,2782 |
| 10 | 3,277 |
| 10,2 | 3,2761 |
| 10,4 | 3,2752 |
| 10,6 | 3,2743 |
| 10,8 | 3,2734 |
| 11 | 3,2725 |
| 11,2 | 3,2713 |
| 11,4 | 3,2701 |
| 11,6 | 3,269 |
| 11,8 | 3,2678 |
| 12 | 3,2666 |
| 12,2 | 3,2651 |
| 12,4 | 3,2635 |
| 12,6 | 3,262 |
| 12,8 | 3,2604 |
| 13 | 3,2589 |
| 13,2 | 3,2573 |
| 13,4 | 3,2557 |
| 13,6 | 3,2541 |
¿Cuál es el proceso del GaAs?
Las obleas del GaAs se deben preparar antes de la fabricación del dispositivo. Para comenzar, deben ser limpiadas totalmente para quitar cualquier daño que pudiera haber ocurrido durante el proceso rebanador. Las obleas entonces químicamente mecánicamente se pulen/Plaranrized (CMP) para la etapa material final del retiro. Esto permite el logro de estupendo-plano espejo-como superficies con una aspereza restante en una escala atómica. Eso se termina después, la oblea está listo para la fabricación.
Cuál es la oblea eléctrica del GaAs del propertiesof
Parámetros básicos
| Campo de la avería | ≈4·105 V/cm |
| Electrones de la movilidad | cm2s de ≤8500 V-1s-1 |
| Agujeros de la movilidad | cm2s de ≤400 V-1s-1 |
| Electrones del coeficiente de difusión | ≤200 cm2/s |
| Agujeros del coeficiente de difusión | ≤10 cm2/s |
| Velocidad la termal del electrón | 4,4·105 m/s |
| Velocidad la termal del agujero | 1,8·105m/s |
Movilidad y Hall Effect
La movilidad de pasillo del electrón contra la temperatura para diverso doping nivela.
1. Curva inferior: Nd=5·1015cm-3;
2. curva del centro: Nd=1015cm-3;
3. Curva superior: Nd=5·1015cm-3
Para el GaAs débil dopado en la temperatura cerca de 300 K, movilidad de pasillo del electrón
µH=9400 (300/T) cm2s de V-1 S1 |
Movilidad de pasillo del electrón contra la temperatura para los diversos niveles y grados de doping de remuneración (temperaturas altas):
Abra los círculos: Nd=4Na=1.2·1017 cm-3;
Cuadrados abiertos: Nd=4Na=1016 cm-3;
Abra los triángulos: Nd=3Na=2·1015 cm-3;
La curva sólida representa el cálculo para el GaAs puro
Para el GaAs débil dopado en la temperatura cerca de 300 K, movilidad de deriva del electrón
µn=8000 (300/T) 2/3 cm2 de V-1 S1 |
Movilidad de la deriva y de pasillo contra la concentración del electrón para diversos grados de remuneración T= 77 K
|
Movilidad de la deriva y de pasillo contra la concentración del electrón para diversos grados de remuneración T= 300 K
|
Fórmula aproximada para la movilidad de pasillo
. µn =ΜOH/(1+Nd·10-17) el 1/2, donde ΜOH≈9400 (cm2s de V-1 S1), Nd en cm-3
.
Dependencia de la temperatura del factor de Pasillo para el n-tipo puro GaAs en un campo magnético débil
|
Dependencia de la temperatura de la movilidad de pasillo para tres muestras de gran pureza
|
Para el GaAs en las temperaturas cerca de 300 K, movilidad de pasillo del agujero
(cm2V-1s-1), (p - en cm-3)
Para el GaAs débil dopado en la temperatura cerca de 300 K, movilidad de pasillo
µpH=400 (300/T) 2,3 (cm2s de V-1 S1).
| La movilidad de pasillo del agujero contra densidad del agujero. |
En T= 300 K, el factor de Pasillo en el GaAs puro
rH=1.25.
Propiedades de transporte en altos campos eléctricos
Dependencias del campo de la velocidad de deriva del electrón.
La curva sólida era calculada cerca
Las curvas estralladas y punteadas son los datos medidos, 300 K |
Coloque las dependencias de la velocidad de deriva del electrón para los altos campos eléctricos, 300 K.
|
Coloque las dependencias de la velocidad de deriva del electrón en diversas temperaturas.
|
Fracción de electrones en valles de L y de X. NL y nX en función del campo eléctrico F en 77, 160, y 300 K, Nd=0
Curva punteada - L valles, curva rayada - valles de X. |
Energía mala E en valles de Γ, de L, y de X en función del campo eléctrico F en 77, 160, y 300 K, Nd=0
Curva sólida - valles de Γ, curva punteada - L valles, curva estrallada - valles de X. |
Dependencias de la frecuencia de la movilidad del diferencial del electrón.
el µd es parte real de la movilidad diferenciada; pieza imaginaria de los µd*is de movilidad diferenciada.
F= 5,5 kilovoltios cm-1
|
La dependencia del campo del coeficiente de difusión longitudinal del electrón D||F.
Las curvas 1 y 2 del sólido son cálculos teóricos. Las curvas rayadas 3, 4, y 5 son datos experimentales.
Curva 1 - de
Curva 2 - de
Curva 3 - de
Curva 4 - de
Curva 5 - |
Coloque las dependencias de la velocidad de deriva del agujero en diversas temperaturas.
|
Dependencia de la temperatura de la velocidad del agujero de la saturación en altos campos eléctricos
|
La dependencia del campo del coeficiente de difusión del agujero.
|
Ionización de impacto
Hay dos escuelas de pensamiento con respecto a la ionización de impacto en el GaAs.
Primer indica que el αi y el βi de las tarifas de la ionización de impacto para los electrones y los agujeros en el GaAs están sabidos exactamente bastante para distinguir tales detalles sutiles tales como el anisothropy del αi y del βi para diversas direcciones cristalográficas. Este acercamiento es descrito detalladamente en el trabajo por Dmitriev y otros [1987].
Αi y βi experimentales de las curvas contra 1/F para el GaAs.
|
Αi y βi experimentales de las curvas contra 1/F para el GaAs.
|
Αi y βi experimentales de las curvas contra 1/F para el GaAs.
|
Los segundos focos de la escuela en los valores del αi y el βi para el mismo campo eléctrico divulgado por diferente investigan diferencian por un orden de magnitud o más. Este punto de vista es explicado por Kyuregyan y Yurkov [1989]. Según este acercamiento podemos asumir ese αi = βi. La fórmula aproximada para la dependencia del campo de la ionización valora:
=αoexp del αi = del β i [δ - (δ2 + (F0/F) 2) el 1/2]
donde αo = 0,245·106 cm-1; β = 57,6 FO = 6,65·106 V cm-1 (Kyuregyan y Yurkov [1989]).
Voltaje de avería y campo de la avería contra el doping de la densidad para un empalme precipitado del p-n.
|
Parámetro de la recombinación
| N-tipo puro material (ningún ~ 1014cm-3) | |
| El curso de la vida más largo de agujeros | τp ~3·10-6 s |
| Longitud de difusión Lp = (DP·τp) el 1/2 | Μm del Lp ~30-50. |
| P-tipo puro material | |
| (a) nivel bajo de la inyección | |
| El curso de la vida más largo de electrones | τn ~ 5·10-9 s |
| Longitud de difusión Ln = (Dn·τ n) el 1/2 | Μm de Ln ~10 |
| (b) alto nivel de la inyección (trampas llenadas) | |
| El curso de la vida más largo de electrones | τ ~2,5·10-7 s |
| Longitud de difusión Ln | Ln ~ µm 70 |
Velocidad de recombinación superficial contra el doping de densidad
Diversos puntos experimentales corresponden a diversos métodos de tratamiento superficial. |
Coeficiente radiativo de la recombinación
| 90 K | 1,8·10-8cm3/s |
| 185 K | 1,9·10-9cm3/s |
| 300 K | 7,2·10-10cm3/s |
Coeficiente del taladro
| 300 K | ~10-30cm6/s |
| 500 K | ~10-29cm6/s |
¿Usted está buscando el substrato del GaAs?
PAM-XIAMEN es orgulloso ofrecer el substrato del fosfuro de indio para todos los diferentes tipos de proyectos. Si usted está buscando las obleas del GaAs, envíenos la investigación hoy para aprender más sobre cómo podemos trabajar con usted para conseguirle las obleas del GaAs que usted necesita para su proyecto siguiente. ¡Nuestro equipo del grupo está mirando adelante a proporcionar productos de calidad y el servicio excelente para usted!
