P mecanografía, el substrato del GaAs, 3", grado primero
PAM-XIAMEN desarrolla y fabrica el cristal y la oblea del arseniuro del substrato-galio del semiconductor compuesto. Hemos utilizado tecnología avanzada del crecimiento cristalino, el helada vertical de la pendiente (VGF) y la tecnología de proceso de la oblea del arseniuro de galio (GaAs). Las propiedades eléctricas requeridas son obtenidas añadiendo dopantes tales como silicio o cinc. El resultado es n-tipo o p-tipo de alta resistencia (>10^7 ohm.cm) o semiconductores de la bajo-resistencia (<10 - 2 ohm.cm). Las superficies de la oblea están generalmente epi-listas (extremadamente - contaminación baja) es decir su calidad son convenientes para el uso directo en procesos epitaxiales.
Obleas del arseniuro de galio (GaAs) para los usos del LED
| Artículo | Especificaciones | |
| Tipo de la conducción | SC/p-type con la droga del Zn disponible |
| Método del crecimiento | VGF |
| Dopante | Magnesio |
| Oblea Diamter | 3, pulgada |
| Orientación cristalina | (100) 2°/6°/15° de (110) |
| DE | EJ o los E.E.U.U. |
| Concentración de portador | E19 |
| Resistencia en el RT | — |
| Movilidad | 1500~3000cm2/V.sec |
| Densidad del hoyo de grabado de pistas | <5000/cm2 |
| Marca del laser | a petición |
| Final superficial | P/E o P/P |
| Grueso | 220~450um |
| Epitaxia lista | Sí |
| Paquete | Solo envase o casete de la oblea |
Propiedades del cristal del GaAs
| Propiedades | GaAs |
| Atoms/cm3 | 4,42 x 1022 |
| Peso atómico | 144,63 |
| Campo de la avería | aproximadamente 4 x 105 |
| Estructura cristalina | Zincblende |
| Densidad (g/cm3) | 5,32 |
| Constante dieléctrica | 13,1 |
| Densidad eficaz de estados en la banda de conducción, Nc (cm-3) | 4,7 x 1017 |
| Densidad eficaz de los estados en la banda de la valencia, nanovoltio (cm-3) | 7,0 x 1018 |
| Afinidad de electrón (v) | 4,07 |
| Energía Gap en 300K (eV) | 1,424 |
| Concentración de portador intrínseco (cm-3) | 1,79 x 106 |
| Longitud de Debye intrínseca (micrones) | 2250 |
| Resistencia intrínseca (ohmio-cm) | 108 |
| Constante del enrejado (angstromes) | 5,6533 |
| Coeficiente linear de extensión termal, | 6,86 x 10-6 |
| ΔL/L/ΔT (1 DEG C) |
| Punto de fusión (DEG C) | 1238 |
| Curso de la vida del portador de minoría (s) | aproximadamente 10-8 |
| Movilidad (deriva) | 8500 |
| (cm2s de /V-s) |
| µn, electrones |
| Movilidad (deriva) | 400 |
| (cm2s de /V-s) |
| µp, agujeros |
| Energía óptica (eV) del fonón | 0,035 |
| Trayectoria libre mala del fonón (angstromes) | 58 |
| Calor específico | 0,35 |
| (J/g-deg C) |
| Conductividad termal en 300 K | 0,46 |
| (W/cm-degC) |
| Difusibilidad termal (cm2/sec) | 0,24 |
| Presión de vapor (Pa) | 100 en 1050 DEG C; |
| 1 en 900 DEG C |
| |
| Longitud de onda | Índice |
| (µm) |
| 2,6 | 3,3239 |
| 2,8 | 3,3204 |
| 3 | 3,3169 |
| 3,2 | 3,3149 |
| 3,4 | 3,3129 |
| 3,6 | 3,3109 |
| 3,8 | 3,3089 |
| 4 | 3,3069 |
| 4,2 | 3,3057 |
| 4,4 | 3,3045 |
| 4,6 | 3,3034 |
| 4,8 | 3,3022 |
| 5 | 3,301 |
| 5,2 | 3,3001 |
| 5,4 | 3,2991 |
| 5,6 | 3,2982 |
| 5,8 | 3,2972 |
| 6 | 3,2963 |
| 6,2 | 3,2955 |
| 6,4 | 3,2947 |
| 6,6 | 3,2939 |
| 6,8 | 3,2931 |
| 7 | 3,2923 |
| 7,2 | 3,2914 |
| 7,4 | 3,2905 |
| 7,6 | 3,2896 |
| 7,8 | 3,2887 |
| 8 | 3,2878 |
| 8,2 | 3,2868 |
| 8,4 | 3,2859 |
| 8,6 | 3,2849 |
| 8,8 | 3,284 |
| 9 | 3,283 |
| 9,2 | 3,2818 |
| 9,4 | 3,2806 |
| 9,6 | 3,2794 |
| 9,8 | 3,2782 |
| 10 | 3,277 |
| 10,2 | 3,2761 |
| 10,4 | 3,2752 |
| 10,6 | 3,2743 |
| 10,8 | 3,2734 |
| 11 | 3,2725 |
| 11,2 | 3,2713 |
| 11,4 | 3,2701 |
| 11,6 | 3,269 |
| 11,8 | 3,2678 |
| 12 | 3,2666 |
| 12,2 | 3,2651 |
| 12,4 | 3,2635 |
| 12,6 | 3,262 |
| 12,8 | 3,2604 |
| 13 | 3,2589 |
| 13,2 | 3,2573 |
| 13,4 | 3,2557 |
| 13,6 | 3,2541 |
¿Cuál es oblea del GaAs?
El arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de los elementos galio y arsénico. Es un semiconductor directo del hueco de banda de III-V con una estructura cristalina de la blenda de cinc.
La oblea del GaAs es un material importante del semiconducor. Pertenece para agrupar el semiconductor de compuesto de III-V. Es un tipo estructura de la esfalerita de enrejado con un constante del enrejado de 5.65x 10-10m, un punto de fusión del ℃ 1237 y un hueco de banda de 1,4 EV. El arseniuro de galio se puede hacer en semi el aislamiento de los altos materiales de la resistencia con resistencia más arriba que el silicio y el germanio por más de tres órdenes de magnitud, que se pueden utilizar para hacer el substrato del circuito integrado, el detector infrarrojo, el detector del fotón del γ, el etc. Porque su movilidad de electrón es 5-6 mide el tiempo de más grande que el del silicio, ha sido ampliamente utilizada en dispositivos de la microonda y circuitos digitales de alta velocidad. El dispositivo de semiconductor hecho del GaAs tiene las ventajas de la resistencia el de alta frecuencia, da alta temperatura y baja de la temperatura, de poco ruido y fuerte de radiación. Además, puede también ser utilizado para hacer los dispositivos del efecto a granel.
¿Cuál es las propiedades ópticas de la oblea del GaAs?
| Índice de refracción infrarrojo | 3,3 |
| Coeficiente radiativo de la recombinación | 7·10-10 cm3/s |
Índice de refracción infrarrojo
n = k1/2 = 3,255·(1 + 4,5·10-5T)
para el n= 3,299 de 300 K
De onda larga a la energía del fonón
hνTO = 33,81·(1 - 5,5·10-5 T) (MeV)
para el hνTO de 300 K = MeV 33,2
Energía de onda larga del fonón de LO
hνLO= 36,57·(1 - 4·10-5 T) (MeV)
para el hνLO de 300 K = MeV 36,1
 | Índice de refracción n contra la energía del fotón para un GaAs de gran pureza. (no~5·1013 cm-3).
La curva sólida se deduce de medidas de la reflexión del dos-haz en 279 K. Dark que los círculos se obtienen de medidas de la refracción. Los círculos ligeros se calculan del análisis de Kramers-Kronig
|
| Reflectividad normal de la incidencia contra energía del fotón.
. |
| Coeficiente de absorción intrínseco cerca del límite de absorción intrínseco para diversas temperaturas.
|
Un MeV de la energía RX1= 4,2 de Rydberg del estado de tierra
| El límite de absorción intrínseco en 297 K en diverso doping nivela. n-tipo doping
|
| El límite de absorción intrínseco en 297 K en diverso doping nivela. p-tipo doping
|
| El coeficiente de absorción contra energía del fotón del borde intrínseco al eV 25.
|
| Absorción libre del portador contra longitud de onda en diversos niveles de doping, 296 K
Las concentraciones del electrón de la conducción son:
1. 1,3·1017cm-3; 2. 4,9·1017cm-3; 3. 1018cm-3; 4. 5,4·1018cm-3 |
| Absorción libre del portador contra longitud de onda en diversas temperaturas.
ningunos = 4,9·1017cm-3
Las temperaturas son: 1. 100 K; 2. 297 K; 3. 443 K. |
En 300 K
Para λ~2 µm α =6·10-18 ningún (cm-1) (ningún - en el cm-1)
Para el λ los > 4µm y 1017<no<1018cm-3α ≈ 7,5·10-20no·λ3 (cm-1) (ningún - en cm-3, λ - µm)
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