tipo de 4H N sic, grado simulado, 6" tamaño
PAM-XIAMEN ofrece las obleas del carburo de silicio del semiconductor, 6H sic y 4H sic en diversos grados de calidad para los fabricantes del investigador y de la industria. Hemos desarrollado la tecnología del crecimiento sic cristalino y la tecnología de proceso de la oblea sic cristalina, establecidas una cadena de producción al fabricante SiCsubstrate, que se aplica en GaNepitaxydevice, powerdevices, dispositivo de alta temperatura y dispositivos optoelectrónicos. Como dedican a una compañía profesional invertida por los fabricantes principales de los campos de los institutos materiales avanzados y de alta tecnología de la investigación y del estado y del laboratorio del semiconductor de China, nosotros para mejorar continuamente la calidad actualmente de substratos y para desarrollar los substratos de gran tamaño.
Aquí muestra la especificación de detalle:
PROPIEDADES MATERIALES DEL CARBURO DE SILICIO
| Polytype |
Solo cristal 4H |
Solo cristal 6H |
| Parámetros del enrejado |
a=3.076 Å |
a=3.073 Å |
| |
c=10.053 Å |
c=15.117 Å |
| Amontonamiento de secuencia |
ABCB |
ABCACB |
| Banda-Gap |
eV 3,26 |
eV 3,03 |
| Densidad |
3,21 · 103 kg/m3 |
3,21 · 103 kg/m3 |
| Therm. Coeficiente de la extensión |
4-5×10-6/K |
4-5×10-6/K |
| Índice de la refracción |
ningunos = 2,719 |
ningunos = 2,707 |
| |
ne = 2,777 |
ne = 2,755 |
| Constante dieléctrica |
9,6 |
9,66 |
| Conductividad termal |
490 W/mK |
490 W/mK |
| Campo eléctrico de la avería |
2-4 · 108 V/m |
2-4 · 108 V/m |
| Velocidad de deriva de la saturación |
2,0 · 105 m/s |
2,0 · 105 m/s |
| Movilidad de electrón |
800 cm2/V·S |
400 cm2/V·S |
| movilidad de agujero |
115 cm2/V·S |
90 cm2/V·S |
| Dureza de Mohs |
~9 |
~9 |
tipo de 4H N sic, grado simulado, 6" tamaño
| PROPIEDAD DEL SUBSTRATO |
S4H-51-N-PWAM-330 S4H-51-N-PWAM-430 |
| Descripción |
Substrato simulado del grado 4H sic |
| Polytype |
4H |
| Diámetro |
(50,8 ± 0,38) milímetro |
| Grueso |
(250 ± 25) μm del μm del μm (330 ± 25) (430 ± 25) |
| Tipo del portador |
n-tipo |
| Dopante |
Nitrógeno |
| Resistencia (RT) |
0,012 – 0,0028 Ω·cm |
| Aspereza superficial |
< 0,5 nanómetros (CMP de la Si-cara Epi-listo); <1 nanómetro (pulimento óptico de la cara de la c) |
| FWHM |
arco segundo <50 |
| Densidad de Micropipe |
A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| Orientación superficial |
|
| En eje |
<0001>± 0.5° |
| De eje |
4°or 8° hacia <11-20>± 0.5° |
| Orientación plana primaria |
± 5° del paralelo {1-100} |
| Longitud plana primaria |
± 16,00 1,70) milímetro |
| Orientación plana secundaria |
Si-cara: el 90° cw. del ± plano 5° de la orientación |
| C-cara: CCW del 90°. del ± plano 5° de la orientación |
| Longitud plana secundaria |
± 8,00 1,70 milímetros |
| Final superficial |
Cara simple o doble pulida |
| Empaquetado |
Sola caja de la oblea o caja multi de la oblea |
| Área usable |
≥ el 90% |
| Exclusión del borde |
1 milímetro |
| |
|
|
Propiedades del solo cristal sic
Aquí comparamos la propiedad del carburo de silicio, incluyendo hexagonal sic, CubicSiC, solo cristal sic.
Propiedad del del carburo de silicio (sic)
Comparación de la propiedad del carburo de silicio, incluyendo hexagonal sic, cúbico sic, solo cristal sic:
| Propiedad |
Valor |
Condiciones |
| Densidad |
3217 kg/m^3 |
hexagonal |
| Densidad |
3210 kg/m^3 |
cúbico |
| Densidad |
3200 kg/m^3 |
Solo cristal |
| Dureza, Knoop (KH) |
2960 kg/mm/mm |
100g, de cerámica, negro |
| Dureza, Knoop (KH) |
2745 kg/mm/mm |
100g, de cerámica, verde |
| Dureza, Knoop (KH) |
2480 kg/mm/mm |
Solo cristal. |
| Módulo de Young |
700 GPa |
Solo cristal. |
| Módulo de Young |
410,47 GPa |
De cerámica, density=3120 kg/m/m/m, en la temperatura ambiente |
| Módulo de Young |
401,38 GPa |
De cerámica, density=3128 kg/m/m/m, en la temperatura ambiente |
| Conductividad termal |
350 W/m/K |
Solo cristal. |
| Fuerza de producción |
21 GPa |
Solo cristal. |
| Capacidad de calor |
1,46 J/mol/K |
De cerámica, en temp=1550 C. |
| Capacidad de calor |
1,38 J/mol/K |
De cerámica, en temp=1350 C. |
| Capacidad de calor |
1,34 J/mol/K |
De cerámica, en temp=1200 C. |
| Capacidad de calor |
1,25 J/mol/K |
De cerámica, en temp=1000 C. |
| Capacidad de calor |
1,13 J/mol/K |
De cerámica, en temp=700 C. |
| Capacidad de calor |
1,09 J/mol/K |
De cerámica, en temp=540 C. |
| Resistencia eléctrica |
1. 1e+10 Ω*m |
De cerámica, en temp=20 C |
| Fuerza compresiva |
0,5655. 1,3793 GPa |
De cerámica, en temp=25 C |
| Módulo de la ruptura |
0,2897 GPa |
De cerámica, con 1 % peso B de adictivo |
| Módulo de la ruptura |
0,1862 GPa |
Ceramifc, en la temperatura ambiente |
| El ratio de Poisson |
0,183. 0,192 |
De cerámica, en la temperatura ambiente, density=3128 kg/m/m/m |
| Módulo de la ruptura |
0,1724 GPa |
De cerámica, en temp=1300 C |
| Módulo de la ruptura |
0,1034 GPa |
De cerámica, en temp=1800 C |
| Módulo de la ruptura |
0,07586 GPa |
De cerámica, en temp=1400 C |
| Resistencia a la tensión |
0,03448. 0,1379 GPa |
De cerámica, en temp=25 C |
*Reference: Manual de la ciencia material y de la ingeniería del CRC
Comparación de la propiedad del solo cristal sic, de 6H y de 4H:
| Propiedad |
Solo cristal 4H |
Solo cristal 6H |
| Parámetros del enrejado |
a=3.076 Å |
a=3.073 Å |
| c=10.053 Å |
c=15.117 Å |
| Amontonamiento de secuencia |
ABCB |
ABCACB |
| Banda-Gap |
eV 3,26 |
eV 3,03 |
| Densidad |
3,21 · 103 kg/m3 |
3,21 · 103 kg/m3 |
| Therm. Coeficiente de la extensión |
4-5×10-6/K |
4-5×10-6/K |
| Índice de la refracción |
ningunos = 2,719 |
ningunos = 2,707 |
| ne = 2,777 |
ne = 2,755 |
| Constante dieléctrica |
9,6 |
9,66 |
| Conductividad termal |
490 W/mK |
490 W/mK |
| Campo eléctrico de la avería |
2-4 · 108 V/m |
2-4 · 108 V/m |
| Velocidad de deriva de la saturación |
2,0 · 105 m/s |
2,0 · 105 m/s |
| Movilidad de electrón |
800 cm2/V·S |
400 cm2/V·S |
| movilidad de agujero |
115 cm2/V·S |
90 cm2/V·S |
| Dureza de Mohs |
~9 |
~9 |
*Reference: Material avanzado Co., Ltd. de Xiamen Powerway
Comparación de la propiedad de 3C-SiC, de 4H-SiC y de 6H-SiC:
| Si-c Polytype |
3C-SiC |
4H-SiC |
6H-SiC |
| Estructura cristalina |
Blenda de cinc (cúbica) |
Wurzita (hexagonal) |
Wurzita (hexagonal) |
| Grupo de simetría |
T2d-F43m |
C46v-P63mc |
C46v-P63mc |
| Módulo a granel |
cm2s de 2,5 x 1012 dyn |
cm2s de 2,2 x 1012 dyn |
cm2s de 2,2 x 1012 dyn |
| Coeficiente linear de la extensión termal |
2,77 (42) x 10-6 K-1 |
|
|
| Temperatura de Debye |
K 1200 |
K 1300 |
K 1200 |
| Punto de fusión |
3103 (40) K |
3103 ± 40 K |
3103 ± 40 K |
| Densidad |
3,166 g cm-3 |
3,21 g cm-3 |
3,211 g cm-3 |
| Dureza |
9.2-9.3 |
9.2-9.3 |
9.2-9.3 |
| Microdureza superficial |
2900-3100 kilogramos mm-2 |
2900-3100 kilogramos mm-2 |
2900-3100 kilogramos mm-2 |
| Constante dieléctrica (estática) |
ε0 ~= 9,72 |
El valor de la constante dieléctrica 6H-SiC se utiliza generalmente |
ε0, ~= 9,66 del ort |
| Índice de refracción infrarrojo |
~=2.55 |
~=2.55 (eje de c) |
~=2.55 (eje de c) |
| Índice de refracción n (λ) |
~= 2,55378 + 3,417 x 104 de n (λ)·λ-2 |
~= n0 (λ) 2,5610 + 3,4 x 104·λ-2 |
~= n0 (λ) 2,55531 + 3,34 x 104·λ-2 |
| ~= 2,6041 + 3,75 x 104 del ne (λ)·λ-2 |
~= 2,5852 + 3,68 x 104 del ne (λ)·λ-2 |
| Coeficiente radiativo de la recombinación |
|
1,5 x 10-12 cm3/s |
1,5 x 10-12 cm3/s |
| Energía óptica del fotón |
MeV 102,8 |
MeV 104,2 |
MeV 104,2 |
| Masa de electrón eficaz ml (longitudinal) |
0.68mo |
0.677(15) MES |
0.29mo |
| Masa de electrón eficaz mt (transversal) |
0.25mo |
0.247(11) MES |
0.42mo |
| Masa eficaz de la densidad del mcd de los estados |
0.72mo |
0.77mo |
2.34mo |
| Masa eficaz de la densidad de estados en un valle de la banda de conducción bujía métrica |
0.35mo |
0.37mo |
0.71mo |
| Masa eficaz de la conductividad mcc |
0.32mo |
0.36mo |
0.57mo |
| ¿Masa eficaz del pasillo de la densidad del estado milivoltio? |
0,6 MESes |
~1,0 MESes |
~1,0 MESes |
| Constante del enrejado |
a=4.3596 A |
a = 3,0730 A |
a = 3,0730 A |
| b = 10,053 |
b = 10,053 |
* referencia: IOFFE
Sic referencia del fabricante 4H y sic 6H: PAM-XIAMEN es el desarrollador principal del mundo de la tecnología de estado sólido de la iluminación, él ofrece una línea completa: De Sinlge del cristal oblea sic y oblea epitaxial y sic recuperación de la oblea
Rectificadores sic de alta potencia
El rectificador de diodo de alta potencia es una unidad de creación crítica de circuitos de la conversión de poder. Los estudios recientes sic de los resultados experimentales del rectificador se dan en las referencias 3, 134, 172, 180, y 181. La mayoría sic de los equilibrios de diseño importantes del dispositivo del rectificador de diodo son paralelo a áspero equilibrios bien conocidos del rectificador de silicio, a excepción del hecho de que las densidades corrientes, los voltajes, las densidades de poder, y las velocidades de transferencia son mucho más altos adentro sic. Por ejemplo, los rectificadores de diodo de Schottky del semiconductor son los dispositivos del portador de mayoría que son bien sabido exhibir la transferencia muy rápida debido a la ausencia de almacenamiento de la carga de portador de minoría que domine (es decir, se reduce, al contrario dando por resultado poder y calor inútiles indeseados) la operación de transferencia de los rectificadores de empalme bipolares del pn. Sin embargo, el alto campo de la avería y la operación amplia del permiso del bandgap de la energía sic de los diodos de Schottky del metal-semiconductor en voltajes mucho más altos (sobre 1 kilovoltio) que prácticos con los diodos siliconbased de Schottky que se limitan a la operación debajo de ~200 V debido a salida termoiónica de un reverso-prejuicio mucho más alto.
