substrato semiaislante de 6H Polytype sic, grado de la producción, Epi listo, 2" tamaño
PAM-XIAMEN proporciona la oblea de alta calidad del solo cristal sic (carburo de silicio) para la industria electrónica y optoelectrónica. Sic la oblea es un material del semiconductor de la siguiente generación con las propiedades eléctricas únicas y las propiedades termales excelentes para la aplicación para dispositivos de la temperatura alta y del poder más elevado. Sic la oblea se puede suministrar en diámetro 2~6 pulgadas, 4H y 6H sic, N-tipo, nitrógeno dopado, y tipo semiaislante disponible. Éntrenos en contacto con por favor para más información
PROPIEDADES MATERIALES DEL CARBURO DE SILICIO
| Polytype |
Solo cristal 4H |
Solo cristal 6H |
| Parámetros del enrejado |
a=3.076 Å |
a=3.073 Å |
| |
c=10.053 Å |
c=15.117 Å |
| Amontonamiento de secuencia |
ABCB |
ABCACB |
| Banda-Gap |
eV 3,26 |
eV 3,03 |
| Densidad |
3,21 · 103 kg/m3 |
3,21 · 103 kg/m3 |
| Therm. Coeficiente de la extensión |
4-5×10-6/K |
4-5×10-6/K |
| Índice de la refracción |
ningunos = 2,719 |
ningunos = 2,707 |
| |
ne = 2,777 |
ne = 2,755 |
| Constante dieléctrica |
9,6 |
9,66 |
| Conductividad termal |
490 W/mK |
490 W/mK |
| Campo eléctrico de la avería |
2-4 · 108 V/m |
2-4 · 108 V/m |
| Velocidad de deriva de la saturación |
2,0 · 105 m/s |
2,0 · 105 m/s |
| Movilidad de electrón |
800 cm2/V·S |
400 cm2/V·S |
| movilidad de agujero |
115 cm2/V·S |
90 cm2/V·S |
| Dureza de Mohs |
~9 |
~9 |
6H sic substrato semiaislante, grado de la producción, Epi listo, 2" tamaño
| PROPIEDAD DEL SUBSTRATO |
S6H-51-SI-PWAM-250 S6H-51-SI-PWAM-330 S6H-51-SI-PWAM-430 |
| Descripción |
Substrato del grado 6Hde la producciónSEMI |
| Polytype |
6H |
| Diámetro |
(50,8 ± 0,38) milímetro |
| Grueso |
(250 ± 25) μm del μm del μm (330 ± 25) (430 ± 25) |
| Resistencia (RT) |
>1E5 Ω·cm |
| Aspereza superficial |
< 0=""> |
| FWHM |
<30 arcsec=""> |
| Densidad de Micropipe |
A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| Orientación superficial |
| En el ± <0001>0.5° del eje |
| Del eje 3.5° hacia <11-20>el ± 0.5° |
| Orientación plana primaria |
Sea paralelo a {el ± 5° de 1-100} |
| Longitud plana primaria |
± 16,00 1,70 milímetros |
| Si-cara plana secundaria de la orientación: el 90° cw. del ± plano 5° de la orientación |
| C-cara: CCW del 90°. del ± plano 5° de la orientación |
| Longitud plana secundaria |
± 8,00 1,70 milímetros |
| Final superficial |
Cara simple o doble pulida |
| Empaquetado |
Sola caja de la oblea o caja multi de la oblea |
| Área usable |
≥ el 90% |
| Exclusión del borde |
1 milímetro |
Propiedades del solo cristal sic
Aquí comparamos la propiedad del carburo de silicio, incluyendo hexagonal sic, CubicSiC, solo cristal sic.
Propiedad del del carburo de silicio (sic)
Comparación de la propiedad del carburo de silicio, incluyendo hexagonal sic, cúbico sic, solo cristal sic:
| Propiedad |
Valor |
Condiciones |
| Densidad |
3217 kg/m^3 |
hexagonal |
| Densidad |
3210 kg/m^3 |
cúbico |
| Densidad |
3200 kg/m^3 |
Solo cristal |
| Dureza, Knoop (KH) |
2960 kg/mm/mm |
100g, de cerámica, negro |
| Dureza, Knoop (KH) |
2745 kg/mm/mm |
100g, de cerámica, verde |
| Dureza, Knoop (KH) |
2480 kg/mm/mm |
Solo cristal. |
| Módulo de Young |
700 GPa |
Solo cristal. |
| Módulo de Young |
410,47 GPa |
De cerámica, density=3120 kg/m/m/m, en la temperatura ambiente |
| Módulo de Young |
401,38 GPa |
De cerámica, density=3128 kg/m/m/m, en la temperatura ambiente |
| Conductividad termal |
350 W/m/K |
Solo cristal. |
| Fuerza de producción |
21 GPa |
Solo cristal. |
| Capacidad de calor |
1,46 J/mol/K |
De cerámica, en temp=1550 C. |
| Capacidad de calor |
1,38 J/mol/K |
De cerámica, en temp=1350 C. |
| Capacidad de calor |
1,34 J/mol/K |
De cerámica, en temp=1200 C. |
| Capacidad de calor |
1,25 J/mol/K |
De cerámica, en temp=1000 C. |
| Capacidad de calor |
1,13 J/mol/K |
De cerámica, en temp=700 C. |
| Capacidad de calor |
1,09 J/mol/K |
De cerámica, en temp=540 C. |
| Resistencia eléctrica |
1. 1e+10 Ω*m |
De cerámica, en temp=20 C |
| Fuerza compresiva |
0,5655. 1,3793 GPa |
De cerámica, en temp=25 C |
| Módulo de la ruptura |
0,2897 GPa |
De cerámica, con 1 % peso B de adictivo |
| Módulo de la ruptura |
0,1862 GPa |
Ceramifc, en la temperatura ambiente |
| El ratio de Poisson |
0,183. 0,192 |
De cerámica, en la temperatura ambiente, density=3128 kg/m/m/m |
| Módulo de la ruptura |
0,1724 GPa |
De cerámica, en temp=1300 C |
| Módulo de la ruptura |
0,1034 GPa |
De cerámica, en temp=1800 C |
| Módulo de la ruptura |
0,07586 GPa |
De cerámica, en temp=1400 C |
| Resistencia a la tensión |
0,03448. 0,1379 GPa |
De cerámica, en temp=25 C |
Comparación de la propiedad del solo cristal sic, de 6H y de 4H:
| Propiedad |
Solo cristal 4H |
Solo cristal 6H |
| Parámetros del enrejado |
a=3.076 Å |
a=3.073 Å |
| c=10.053 Å |
c=15.117 Å |
| Amontonamiento de secuencia |
ABCB |
ABCACB |
| Banda-Gap |
eV 3,26 |
eV 3,03 |
| Densidad |
3,21 · 103 kg/m3 |
3,21 · 103 kg/m3 |
| Therm. Coeficiente de la extensión |
4-5×10-6/K |
4-5×10-6/K |
| Índice de la refracción |
ningunos = 2,719 |
ningunos = 2,707 |
| ne = 2,777 |
ne = 2,755 |
| Constante dieléctrica |
9,6 |
9,66 |
| Conductividad termal |
490 W/mK |
490 W/mK |
| Campo eléctrico de la avería |
2-4 · 108 V/m |
2-4 · 108 V/m |
| Velocidad de deriva de la saturación |
2,0 · 105 m/s |
2,0 · 105 m/s |
| Movilidad de electrón |
800 cm2/V·S |
400 cm2/V·S |
| movilidad de agujero |
115 cm2/V·S |
90 cm2/V·S |
| Dureza de Mohs |
~9 |
~9 |
Comparación de la propiedad de 3C-SiC, de 4H-SiC y de 6H-SiC:
| Si-c Polytype |
3C-SiC |
4H-SiC |
6H-SiC |
| Estructura cristalina |
Blenda de cinc (cúbica) |
Wurzita (hexagonal) |
Wurzita (hexagonal) |
| Grupo de simetría |
T2d-F43m |
C46v-P63mc |
C46v-P63mc |
| Módulo a granel |
cm2s de 2,5 x 1012 dyn |
cm2s de 2,2 x 1012 dyn |
cm2s de 2,2 x 1012 dyn |
| Coeficiente linear de la extensión termal |
2,77 (42) x 10-6 K-1 |
|
|
| Temperatura de Debye |
K 1200 |
K 1300 |
K 1200 |
| Punto de fusión |
3103 (40) K |
3103 ± 40 K |
3103 ± 40 K |
| Densidad |
3,166 g cm-3 |
3,21 g cm-3 |
3,211 g cm-3 |
| Dureza |
9.2-9.3 |
9.2-9.3 |
9.2-9.3 |
| Microdureza superficial |
2900-3100 kilogramos mm-2 |
2900-3100 kilogramos mm-2 |
2900-3100 kilogramos mm-2 |
| Constante dieléctrica (estática) |
ε0 ~= 9,72 |
El valor de la constante dieléctrica 6H-SiC se utiliza generalmente |
ε0, ~= 9,66 del ort |
| Índice de refracción infrarrojo |
~=2.55 |
~=2.55 (eje de c) |
~=2.55 (eje de c) |
| Índice de refracción n (λ) |
~= 2,55378 + 3,417 x 104 de n (λ)·λ-2 |
~= n0 (λ) 2,5610 + 3,4 x 104·λ-2 |
~= n0 (λ) 2,55531 + 3,34 x 104·λ-2 |
| ~= 2,6041 + 3,75 x 104 del ne (λ)·λ-2 |
~= 2,5852 + 3,68 x 104 del ne (λ)·λ-2 |
| Coeficiente radiativo de la recombinación |
|
1,5 x 10-12 cm3/s |
1,5 x 10-12 cm3/s |
| Energía óptica del fotón |
MeV 102,8 |
MeV 104,2 |
MeV 104,2 |
| Masa de electrón eficaz ml (longitudinal) |
0.68mo |
0.677(15) MES |
0.29mo |
| Masa de electrón eficaz mt (transversal) |
0.25mo |
0.247(11) MES |
0.42mo |
| Masa eficaz de la densidad del mcd de los estados |
0.72mo |
0.77mo |
2.34mo |
| Masa eficaz de la densidad de estados en un valle de la banda de conducción bujía métrica |
0.35mo |
0.37mo |
0.71mo |
| Masa eficaz de la conductividad mcc |
0.32mo |
0.36mo |
0.57mo |
| ¿Masa eficaz del pasillo de la densidad del estado milivoltio? |
0,6 MESes |
~1,0 MESes |
~1,0 MESes |
| Constante del enrejado |
a=4.3596 A |
a = 3,0730 A |
a = 3,0730 A |
| b = 10,053 |
b = 10,053 |
FAQ
Pregunta: ¿Estoy buscando solos cristales sic de 3C 2H 4H 6H y los polytypes 15R con la dirección cristalográfica a lo largo de 0001, el grueso alrededor de 330 micrómetros y el diámetro de la oblea entre 2 cm -6 cm, podría usted por favor enviarme la información sobre las dimensiones y si usted hace que otros polytypes de sic también los incluyan en la cita?
Respuesta: 4H y 6H sic se comercializa, que podemos ofrecerle entendemos C (0001) por consiguiente, para 2H o 15R sic, nosotros no puede ofrecer, pues no es valor comercial.
Sic referencia del fabricante 4H y sic 6H: PAM-XIAMEN es el desarrollador principal del mundo de la tecnología de estado sólido de la iluminación, él ofrece una línea completa: De Sinlge del cristal oblea sic y oblea epitaxial y sic recuperación de la oblea
Diámetro de la oblea
La distancia linear a través de la superficie de una rebanada circular que contiene el centro de la rebanada y excluye cualquier plano u otras áreas fiduciarias periféricas. Los diámetros estándar de la oblea de silicio son: 25.4m m (1"), 50.4m m (2"), 76.2m m (3"), 100m m (4"), 125m m (5"), 150m m (6"), 200m m (8"), y 300m m (12").
La dimensión linear a través de la superficie de una oblea. La medida se realiza manualmente con los calibradores digitales del ed del del certi del ANSI en cada oblea individual.
Grueso de la oblea, punto central
Fino (el grueso depende de diámetro de la oblea, pero es típicamente menos de 1m m), la parte circular del material monocristal del semiconductor cortó del lingote de semiconductor del solo cristal; utilizado en la fabricación de los dispositivos de semiconductor y de los circuitos integrados; los diámetros de la oblea pueden extenderse a partir 5m m hasta 300m m.
Medido con las herramientas sin contacto del ed del del certi del ANSI en el centro de cada oblea individual.
