pureza elevada 4H semi que aísla sic la oblea, grado de la producción, 3" tamaño, concentración de portador baja

pureza elevada 4H semi que aísla sic la oblea, grado de la producción, 3" tamaño, concentración de portador baja

PAM-XIAMEN proporciona la industria electrónica y optoelectrónica de alta calidad del waferfor del solo cristal sic (carburo de silicio). Sic la oblea es propiedades eléctricas únicas de la siguiente generación de un materialwith del semiconductor y propiedades termales excelentes para la aplicación para dispositivos de la temperatura alta y del poder más elevado. Sic la oblea se puede suministrar en diámetro 2~6 pulgadas, 4H y 6H sic, N-tipo, nitrógeno dopado, y tipo semiaislante disponible. Éntrenos en contacto con por favor para más información

Pureza elevada semi que aísla sic la oblea: Debido al hueco de banda amplio, la concentración de portador intrínseco sic de oblea es muy baja en la temperatura ambiente. Este valor está sobre 0.13cm-3 para 3C sic, sobre 5x10^-2cm2 para 4H sic y sobre 1x10^- 6 cm-3 para 6H sic. Ésta es la razón principal por la que los dispositivos sic electrónicos pueden trabajar en la temperatura alta y la corriente de la salida es muy pequeña.

 
PROPIEDADES MATERIALES DEL CARBURO DE SILICIO

 
pureza elevada 4H semi que aísla sic la oblea, grado de la producción, 3" tamaño

Crecimiento sic cristalino

El crecimiento cristalino a granel es la técnica para la fabricación de substratos monocristalinos, haciendo la base para el proceso adicional del dispositivo. Para tener una brecha en sic tecnología necesitamos obviamente la producción sic de substrato con un process.6H- reproductivo y sic los cristales 4H- se crecen en crisoles del grafito en las temperaturas altas hasta 2100-2500°C. que la temperatura de funcionamiento en el crisol es proporcionada por la calefacción inductiva (RF) o resistente. El crecimiento ocurre en sic las semillas finas. La fuente representa sic la carga policristalina del polvo. Sic el vapor en la cámara de crecimiento consiste en principalmente tres especies, a saber, Si, Si2C, y SiC2, que son diluidos por el gas portador, por ejemplo, argón. Sic la evolución de la fuente incluye la variación de tiempo de la porosidad y del diámetro del gránulo y la grafitización de los gránulos del polvo.

 
Crecimiento de 3C-SiC en los substratos de la área extensa (silicio)
A pesar de la ausencia sic de substratos, las ventajas potenciales sic de la electrónica del hostil-ambiente sin embargo condujeron la obtención dirigida modesta de esfuerzos de investigación sic en una forma manufacturable de la oblea. Hacia este extremo, el crecimiento heteroepitaxial de monocristal sic acoda encima de siliconsubstrates de la área extensa primero fue realizado en 1983, y seguido posteriormente por grandes muchos otros a lo largo de los años usando una variedad de técnicas del crecimiento. Sobre todo debido a diferencias grandes en el enrejado constante (diferencia del ~20% en medio sic y Si) y el coeficiente de la extensión termal (diferencia del ~8%), heteroepitaxy de sic usando el silicio como substrato da lugar siempre al crecimiento de 3C-SiC con un muy de alta densidad de defectos estructurales cristalográficos tales como faltas de amontonamiento, microtwins, y límites del ámbito de la inversión. Otros materiales de la oblea del largearea además del silicio (tal como zafiro, silicio-en-aislador, y tic) se han empleado como los substratos para el crecimiento heteroepitaxial sic de epilayers, pero las películas resultantes han estado de calidad del comparablypoor con altas densidades cristalográficas del defecto. El acercamiento más prometedor 3C-SiC-on-silicon hasta la fecha que ha alcanzado la densidad cristalográfica más baja del defecto implica el uso de los substratos de silicio ondulantes. Sin embargo, incluso con este altamente nuevo enfoque, las densidades de dislocación siguen siendo muy altas comparadas a las obleas hexagonales del silicio y del bulto sic.
Mientras que algunos dispositivos electrónicos y circuitos del semiconductor limitado se han ejecutado en 3C-SiC crecidos en el silicio, el funcionamiento de estos electrónica (a partir de esta escritura) se puede resumir según lo limitado seriamente por la alta densidad de defectos cristalográficos al grado que no se ha observado casi ningunas de las ventajas operativas discutidas en la sección 5,3 viable. Entre otros problemas, los defectos cristalinos “se escapan” la corriente parásita a través de los empalmes reverso-en polarización negativa del dispositivo donde el flujo actual no se desea. Porque los defectos cristalinos excesivos llevan a los defectos del dispositivo eléctrico, no hay hasta ahora electrónica comercial manufacturada en 3C-SiC crecido en los substratos de la área extensa. Así, 3C-SiC crecido en el silicio tiene actualmente más potencial pues un material mecánico en los usos microelectromecánicos de los sistemas (MEMS) (sección 5.6.5) en vez de ser utilizado puramente como semiconductor en electrónica de estado sólido tradicional del transistor.