4H sic oblea semiaislante con TV/BOW/WARP bajo, grado simulado, 3" tamaño
PAM-XIAMEN proporciona la oblea de alta calidad del solo cristal sic (carburo de silicio) para la industria electrónica y optoelectrónica. Sic la oblea es propiedades eléctricas únicas de la siguiente generación de un materialwith del semiconductor y propiedades termales excelentes para la aplicación para dispositivos de la temperatura alta y del poder más elevado. Sic la oblea se puede suministrar en diámetro 2~6 pulgadas, 4H y 6H sic, N-tipo, nitrógeno dopado, y tipo semiaislante disponible.
Uso de la oblea sic simulada semiaislante:
La oblea sic simulada puede utilizar adentro investiga de campos termales y mecánicos, y el uso del detalle debe ser como sigue:
1. Investiga en conductividad sic termal
2.Researches sic del fonón
3.Resarches en sic dureza y propiedades mecánicas
Éntrenos en contacto con por favor para más información:
PROPIEDADES DEL MATERIAL SEMIAISLANTE DEL CARBURO DE SILICIO
| Polytype |
Solo cristal 4H |
Solo cristal 6H |
| Parámetros del enrejado |
a=3.076 Å |
a=3.073 Å |
| |
c=10.053 Å |
c=15.117 Å |
| Amontonamiento de secuencia |
ABCB |
ABCACB |
| Banda-Gap |
eV 3,26 |
eV 3,03 |
| Densidad |
3,21 · 103 kg/m3 |
3,21 · 103 kg/m3 |
| Therm. Coeficiente de la extensión |
4-5×10-6/K |
4-5×10-6/K |
| Índice de la refracción |
ningunos = 2,719 |
ningunos = 2,707 |
| |
ne = 2,777 |
ne = 2,755 |
| Constante dieléctrica |
9,6 |
9,66 |
| Conductividad termal |
490 W/mK |
490 W/mK |
| Campo eléctrico de la avería |
2-4 · 108 V/m |
2-4 · 108 V/m |
| Velocidad de deriva de la saturación |
2,0 · 105 m/s |
2,0 · 105 m/s |
| Movilidad de electrón |
800 cm2/V·S |
400 cm2/V·S |
| movilidad de agujero |
115 cm2/V·S |
90 cm2/V·S |
| Dureza de Mohs |
~9 |
~9 |
4H sic oblea semiaislante, grado simulado, 3" tamaño
| PROPIEDAD DEL SUBSTRATO |
S4H-51-SI-PWAM-250 S4H-51-SI-PWAM-330 S4H-51-SI-PWAM-430 |
| Descripción |
Substrato del grado 4Hde la producciónSEMI |
| Polytype |
4H |
| Diámetro |
(50,8 ± 0,38) milímetro |
| Grueso |
(250 ± 25) μm del μm del μm (330 ± 25) (430 ± 25) |
| Resistencia (RT) |
>1E5 Ω·cm |
| Aspereza superficial |
< 0=""> |
| FWHM |
<30 arcsec=""> |
| Densidad de Micropipe |
A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| Orientación superficial |
| En el ± <0001>0.5° del eje |
| Del eje 3.5° hacia <11-20>el ± 0.5° |
| Orientación plana primaria |
± 5° del paralelo {1-100} |
| Longitud plana primaria |
± 16,00 1,70 milímetros |
| Si-cara plana secundaria de la orientación: el 90° cw. del ± plano 5° de la orientación |
| C-cara: CCW del 90°. del ± plano 5° de la orientación |
| Longitud plana secundaria |
± 8,00 1,70 milímetros |
| Final superficial |
Cara simple o doble pulida |
| Empaquetado |
Sola caja de la oblea o caja multi de la oblea |
| Área usable |
≥ el 90% |
| Exclusión del borde |
1 milímetro |
defectos sic cristalinos
La mayor parte de los defectos que fueron observados adentro sic también fueron observados en otros materiales cristalinos. Como las dislocaciones, las faltas de amontonamiento (SFs), los límites (LABs) del ángulo bajo y los gemelos. Algunos otros aparecen en los materiales que tienen la mezcla del zing o la estructura de wurzita, como el IDBs. Micropipes y las inclusiones a partir de otras fases aparecen principalmente adentro sic.
Falta histórica sic de obleas
Las obleas reproductivas de la consistencia, del tamaño, de la calidad, y de la disponibilidad razonables son una producción en masa forcommercial necesaria de antemano de la electrónica del semiconductor. Muchos materiales del semiconductor pueden ser meltedand reproductivo recristalizado en solos cristales grandes con la ayuda de un cristal de semilla, por ejemplo en el método del theCzochralski empleado en la fabricación de casi todas las obleas de silicio, permitiendo razonablemente a largewafers ser producido en masa. Sin embargo, porque sic sublima en vez de la fusión en razonablemente los attainablepressures, sic no puede ser crecido por técnicas convencionales del derretimiento-crecimiento. Antes del an o 80, los dispositivos electrónicos del experimentalSiC fueron confinados a pequeño (típicamente ~1)
, plateletsgrown sic cristalino de forma irregular como un subproducto del proceso de Acheson para fabricar los abrasivos industriales (e.g., papel de lija) o por el proceso de Lely. En el proceso de Lely, sic sublimado sic de attemperatures policristalinos del polvo cerca de 2500°C se condensan aleatoriamente en las paredes de una cavidad que forma las plaquetas pequeñas, hexagonallyshaped. Mientras que estos cristales pequeños, no reproducibles permitieron un cierto sic electronicsresearch básico, no eran claramente convenientes para la producción en masa del semiconductor. Como tal, el silicio se convirtió en semiconductor thedominant que aprovisionaba de combustible la revolución tecnológica de estado sólido, mientras que el interés en microelectronicswas SIC-basados limitó.
