tipo sic oblea de semiconductor, grado de la investigación, 3" de 4H N tamaño
PAM-XIAMEN ofrece las obleas del carburo de silicio del semiconductor, 6H sic y 4H sic en diversos grados de calidad para los fabricantes del investigador y de la industria. Hemos desarrollado la tecnología del crecimiento sic cristalino y la tecnología de proceso de la oblea sic cristalina, establecidas una cadena de producción al fabricante SiCsubstrate, que se aplica en GaNepitaxydevice, powerdevices, dispositivo de alta temperatura y dispositivos optoelectrónicos. Como dedican a una compañía profesional invertida por los fabricantes principales de los campos de los institutos materiales avanzados y de alta tecnología de la investigación y del estado y del laboratorio del semiconductor de China, nosotros para mejorar continuamente la calidad actualmente de substratos y para desarrollar los substratos de gran tamaño.
Aquí muestra la especificación de detalle:
PROPIEDADES MATERIALES DEL CARBURO DE SILICIO
| Polytype | Solo cristal 4H | Solo cristal 6H |
| Parámetros del enrejado | a=3.076 Å | a=3.073 Å |
| | c=10.053 Å | c=15.117 Å |
| Amontonamiento de secuencia | ABCB | ABCACB |
| Banda-Gap | eV 3,26 | eV 3,03 |
| Densidad | 3,21 · 103 kg/m3 | 3,21 · 103 kg/m3 |
| Therm. Coeficiente de la extensión | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Índice de la refracción | ningunos = 2,719 | ningunos = 2,707 |
| | ne = 2,777 | ne = 2,755 |
| Constante dieléctrica | 9,6 | 9,66 |
| Conductividad termal | 490 W/mK | 490 W/mK |
| Campo eléctrico de la avería | 2-4 · 108 V/m | 2-4 · 108 V/m |
| Velocidad de deriva de la saturación | 2,0 · 105 m/s | 2,0 · 105 m/s |
| Movilidad de electrón | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| movilidad de agujero | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| Dureza de Mohs | ~9 | ~9 |
tipo sic oblea de semiconductor, grado de la investigación, 3" de 4H N tamaño
| PROPIEDAD DEL SUBSTRATO | S4H-51-SI-PWAM-250 S4H-51-SI-PWAM-330 S4H-51-SI-PWAM-430 |
| Descripción | Substrato del grado 4H de la investigación SEMI |
| Polytype | 4H |
| Diámetro | (50,8 ± 0,38) milímetro |
| Grueso | (250 ± 25) μm del μm del μm (330 ± 25) (430 ± 25) |
| Resistencia (RT) | >1E5 Ω·cm |
| Aspereza superficial | < 0,5 nanómetros (CMP de la Si-cara Epi-listo); <1 nanómetro (pulimento óptico de la cara de la c) |
| FWHM | arco segundo <50 |
| Densidad de Micropipe | A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| Orientación superficial |
| En el eje <0001>± 0.5° |
| Del eje 3.5° hacia <11-20>± 0.5° |
| Orientación plana primaria | ± 5° del paralelo {1-100} |
| Longitud plana primaria | ± 16,00 1,70 milímetros |
| Si-cara plana secundaria de la orientación: el 90° cw. del ± plano 5° de la orientación |
| C-cara: CCW del 90°. del ± plano 5° de la orientación |
| Longitud plana secundaria | ± 8,00 1,70 milímetros |
| Final superficial | Cara simple o doble pulida |
| Empaquetado | Sola caja de la oblea o caja multi de la oblea |
| Área usable | ≥ el 90% |
| Exclusión del borde | 1 milímetro |
defectos sic cristalinos
La mayor parte de los defectos que fueron observados adentro sic también fueron observados en otros materiales cristalinos. Como las dislocaciones,
faltas de amontonamiento (SFs), límites (LABs) del ángulo bajo y gemelos. Algunos otros aparecen en los materiales que tienen la mezcla del zing o
la estructura de wurzita, como el IDBs. Micropipes y las inclusiones a partir de otras fases aparecen principalmente adentro sic.
Operación da alta temperatura del dispositivo
La energía amplia del bandgap y la concentración de portador intrínseco baja de sic permiten sic mantener
comportamiento del semiconductor en temperaturas mucho más altas que el silicio, que a su vez permite sic el semiconductor
función del dispositivo en temperaturas mucho más altas que el silicio. Como se debate en básico
los libros de texto de la física del dispositivo electrónico del semiconductor, dispositivos electrónicos del semiconductor funcionan
en la gama de temperaturas donde están insignificantes los portadores intrínsecos para controlar conductividad cerca
impurezas intencionalmente introducidas del dopante. Además, la concentración de portador intrínseco
está un prefactor fundamental a las ecuaciones bien conocidas que gobiernan salida indeseada del reverso-prejuicio del empalme
corrientes. Mientras que la temperatura aumenta, los portadores intrínsecos aumentan exponencial de modo que salida indeseada
las corrientes crecen inaceptable grandes, y eventual en las temperaturas más altas inmóviles, el semiconductor
la operación del dispositivo es superada por conductividad incontrolada mientras que los portadores intrínsecos exceden intencional
dopings del dispositivo. Dependiendo de diseño específico del dispositivo, la concentración de portador intrínseco de silicio
confina generalmente la operación del dispositivo del silicio a las temperaturas de empalme <300°C. SiC mucho más pequeñas
la concentración de portador intrínseco permite teóricamente la operación del dispositivo en excederse de las temperaturas de empalme
la operación del dispositivo de 800°C. 600°C sic se ha demostrado experimental en una variedad
Sic dispositivos.
La capacidad de poner electrónica da alta temperatura sin enfriar del semiconductor directamente en caliente
los ambientes permitirían ventajas importantes a la perforación automotriz, aeroespacial, y profunda-bien
industrias. En el caso de los motores automotrices y aeroespaciales, telemetría electrónica mejorada y
el control de regiones das alta temperatura del motor es necesario más exacto al control la combustión
proceso para mejorar eficacia del combustible mientras que reduce contaminando emisiones. Capacidad da alta temperatura
elimina funcionamiento, confiabilidad, y las penas del peso asociadas a de refrigeración por líquido, fans, termales
el proteger, y un alambre más largo corre necesario para realizar función similar en motores usando convencional
electrónica del semiconductor del silicio.
