tipo sic oblea, grado de la producción, Epi listo, 2" de 6H N tamaño
PAM-XIAMEN proporciona la industria electrónica y optoelectrónica de alta calidad del waferfor del solo cristal sic (carburo de silicio). Sic la oblea es propiedades eléctricas únicas de la siguiente generación de un materialwith del semiconductor y propiedades termales excelentes para la aplicación para dispositivos de la temperatura alta y del poder más elevado. Sic la oblea se puede suministrar en diámetro 2~6 pulgadas, 4H y 6H sic, N-tipo, nitrógeno dopado, y tipo semiaislante disponible. Éntrenos en contacto con por favor para más información.
PROPIEDADES MATERIALES DEL CARBURO DE SILICIO
| Polytype | Solo cristal 4H | Solo cristal 6H |
| Parámetros del enrejado | a=3.076 Å | a=3.073 Å |
| | c=10.053 Å | c=15.117 Å |
| Amontonamiento de secuencia | ABCB | ABCACB |
| Banda-Gap | eV 3,26 | eV 3,03 |
| Densidad | 3,21 · 103 kg/m3 | 3,21 · 103 kg/m3 |
| Therm. Coeficiente de la extensión | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Índice de la refracción | ningunos = 2,719 | ningunos = 2,707 |
| | ne = 2,777 | ne = 2,755 |
| Constante dieléctrica | 9,6 | 9,66 |
| Conductividad termal | 490 W/mK | 490 W/mK |
| Campo eléctrico de la avería | 2-4 · 108 V/m | 2-4 · 108 V/m |
| Velocidad de deriva de la saturación | 2,0 · 105 m/s | 2,0 · 105 m/s |
| Movilidad de electrón | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| movilidad de agujero | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| Dureza de Mohs | ~9 | ~9 |
tipo sic oblea, grado de la producción, Epi listo, 2" de 6H N tamaño
| PROPIEDAD DEL SUBSTRATO | S6H-51-N-PWAM-250 S6H-51-N-PWAM-330 S6H-51-N-PWAM-430 |
| Descripción | Substrato del grado 6H de la producción sic |
| Polytype | 6H |
| Diámetro | (50,8 ± 0,38) milímetro |
| Grueso | (250 ± 25) μm del μm del μm (330 ± 25) (430 ± 25) |
| Tipo del portador | n-tipo |
| Dopante | Nitrógeno |
| Resistencia (RT) | 0,02 ~ 0,1 Ω·cm |
| Aspereza superficial | < 0,5 nanómetros (CMP de la Si-cara Epi-listo); <1 nanómetro (pulimento óptico de la cara de la c) |
| FWHM | <30 arco segundo del arco segundo <50 |
| Densidad de Micropipe | A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| Orientación superficial |
| En eje | <0001>± 0.5° |
| De eje | 3.5° hacia <11-20>± 0.5° |
| Orientación plana primaria | Sea paralelo a {el ± 5° de 1-100} |
| Longitud plana primaria | ± 16,00 1,70 milímetros |
| Orientación plana secundaria | Si-cara: el 90° cw. del ± plano 5° de la orientación |
| C-cara: CCW del 90°. del ± plano 5° de la orientación |
| Longitud plana secundaria | ± 8,00 1,70 milímetros |
| Final superficial | Cara simple o doble pulida |
| Empaquetado | Sola caja de la oblea o caja multi de la oblea |
| Área usable | ≥ el 90% |
| Exclusión del borde | 1 milímetro |
Estructura sic cristalina
Sic el cristal tiene muchas diversas estructuras cristalinas, que se llama los polytypes. Los polytypes mas comunes sic actualmente de ser convertido para la electrónica son los 3C-SiC cúbicos, los 4H-SiC y los 6H-SiC hexagonales, y los 15R-SiC romboédricos. Estos polytypes son caracterizados por la secuencia de amontonamiento de las capas del biatom sic de la estructura. Para más detalles, investigue por favor a nuestro equipo del ingeniero.
Amontonamiento de secuencia:
Si vamos a hacer una estructura laminada, debemos conocer el grueso de cada capa y el ángulo de cada capa tradicionalmente los grados definidos de la capa superior abajo.
Dureza de Mohs:
Medida áspera de la resistencia de una superficie lisa al rasguño o a la abrasión, expresada en términos de escala ideada (1812) por el mineralogista alemán Friedrich Mohs. La dureza de Mohs de un mineral es determinada observando si su superficie es rasguñada por una sustancia de la dureza sabida o definida.
Densidad:
El de la densidad o la densidad total de un material es su masa por volumen de unidad. El símbolo más de uso frecuente para la densidad es ρ (el rho griego minúsculo de la letra). Matemáticamente, la densidad se define como masa dividida por el volumen:
