Descripción de producto
PAM-XIAMEN ofrece las obleas del carburo de silicio del semiconductor, 6H sic y 4H sic en diversos grados de calidad para los fabricantes del investigador y de la industria. Hemos desarrollado la tecnología del crecimiento sic cristalino y la tecnología de proceso de la oblea sic cristalina, establecidas una cadena de producción al substrato del fabricante sic, que se aplica en dispositivo de la epitaxia de GaN, dispositivos de poder, dispositivo de alta temperatura y dispositivos optoelectrónicos. Como dedican a una compañía profesional invertida por los fabricantes principales de los campos de los institutos materiales avanzados y de alta tecnología de la investigación y del estado y del laboratorio del semiconductor de China, nosotros para mejorar continuamente la calidad actualmente de substratos y para desarrollar los substratos de gran tamaño.
Aquí muestra la especificación de detalle:
PROPIEDADES MATERIALES DEL CARBURO DE SILICIO
| Polytype |
Solo cristal 4H |
Solo cristal 6H |
| Parámetros del enrejado |
a=3.076 Å |
a=3.073 Å |
| |
c=10.053 Å |
c=15.117 Å |
| Amontonamiento de secuencia |
ABCB |
ABCACB |
| Banda-Gap |
eV 3,26 |
eV 3,03 |
| Densidad |
3,21 · 103 kg/m3 |
3,21 · 103 kg/m3 |
| Therm. Coeficiente de la extensión |
4-5×10-6/K |
4-5×10-6/K |
| Índice de la refracción |
ningunos = 2,719 |
ningunos = 2,707 |
| |
ne = 2,777 |
ne = 2,755 |
| Constante dieléctrica |
9,6 |
9,66 |
| Conductividad termal |
490 W/mK |
490 W/mK |
| Campo eléctrico de la avería |
2-4 · 108 V/m |
2-4 · 108 V/m |
| Velocidad de deriva de la saturación |
2,0 · 105 m/s |
2,0 · 105 m/s |
| Movilidad de electrón |
800 cm2/V·S |
400 cm2/V·S |
| movilidad de agujero |
115 cm2/V·S |
90 cm2/V·S |
| Dureza de Mohs |
~9 |
~9 |
6H N-TYPE sic, ESPECIFICACIÓN de la OBLEA de 2 ″ (50.8m m)
| PROPIEDAD DEL SUBSTRATO |
S6H-51-N-PWAM-250 S6H-51-N-PWAM-330 S6H-51-N-PWAM-430 |
| Descripción |
Substrato simulado del grado 6H del grado D de la investigación del grado C/D de la producción de A/B sic |
| Polytype |
6H |
| Diámetro |
(50,8 ± 0,38) milímetro |
| Grueso |
(250 ± 25) μm del μm del μm (330 ± 25) (430 ± 25) |
| Tipo del portador |
n-tipo |
| Dopante |
Nitrógeno |
| Resistencia (RT) |
0,02 ~ 0,1 Ω·cm |
| Aspereza superficial |
< 0,5 nanómetros (CMP de la Si-cara Epi-listo); <1 nanómetro (pulimento óptico de la cara de la c) |
| FWHM |
A<30 arco segundo del arco segundo B/C/D <50 |
| Densidad de Micropipe |
A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| Orientación superficial |
| En eje |
<0001>± 0.5° |
| De eje |
3.5° hacia <11-20>± 0.5° |
| Orientación plana primaria |
± 5° del paralelo {1-100} |
| Longitud plana primaria |
± 16,00 1,70 milímetros |
| Orientación plana secundaria |
Si-cara: el 90° cw. del ± plano 5° de la orientación |
| C-cara: CCW del 90°. del ± plano 5° de la orientación |
| Longitud plana secundaria |
± 8,00 1,70 milímetros |
| Final superficial |
Cara simple o doble pulida |
| Empaquetado |
Sola caja de la oblea o caja multi de la oblea |
| Área usable |
≥ el 90% |
| Exclusión del borde |
1 milímetro |
4H SEMIAISLANTE sic, ESPECIFICACIÓN de la OBLEA de 2 ″ (50.8m m)
((HPSI) sic el substrato semiaislante de gran pureza está disponible)
| PROPIEDAD DEL SUBSTRATO |
S4H-51-SI-PWAM-250 S4H-51-SI-PWAM-330 S4H-51-SI-PWAM-430 |
| Descripción |
Substrato simulado del grado 4H del grado D de la investigación del grado C/D de la producción de A/B SEMI |
| Polytype |
4H |
| Diámetro |
(50,8 ± 0,38) milímetro |
| Grueso |
(250 ± 25) μm del μm del μm (330 ± 25) (430 ± 25) |
| Resistencia (RT) |
>1E5 Ω·cm |
| Aspereza superficial |
< 0,5 nanómetros (CMP de la Si-cara Epi-listo); <1 nanómetro (pulimento óptico de la cara de la c) |
| FWHM |
A<30 arco segundo del arco segundo B/C/D <50 |
| Densidad de Micropipe |
A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| Orientación superficial |
| En el eje <0001>± 0.5° |
| Del eje 3.5° hacia <11-20>± 0.5° |
| Orientación plana primaria |
± 5° del paralelo {1-100} |
| Longitud plana primaria |
± 16,00 1,70 milímetros |
| Si-cara plana secundaria de la orientación: el 90° cw. del ± plano 5° de la orientación |
| C-cara: CCW del 90°. del ± plano 5° de la orientación |
| Longitud plana secundaria |
± 8,00 1,70 milímetros |
| Final superficial |
Cara simple o doble pulida |
| Empaquetado |
Sola caja de la oblea o caja multi de la oblea |
| Área usable |
≥ el 90% |
| Exclusión del borde |
1 milímetro |
N-tipo 4H o SIC semiaislante, 5mm*5m m, ESPECIFICACIÓN de la OBLEA de 10mm*10m m: Grueso: los 330μm/430μm
N-tipo 4H o SIC semiaislante, 15mm*15m m, ESPECIFICACIÓN de la OBLEA de 20mm*20m m: Grueso: los 330μm/430μm
4H N-TYPE sic, ESPECIFICACIÓN de la OBLEA de 2 ″ (50.8m m)
| PROPIEDAD DEL SUBSTRATO |
S4H-51-N-PWAM-330 S4H-51-N-PWAM-430 |
| Descripción |
Substrato simulado del grado 4H del grado D de la investigación del grado C/D de la producción de A/B sic |
| Polytype |
4H |
| Diámetro |
(50,8 ± 0,38) milímetro |
| Grueso |
(250 ± 25) μm del μm del μm (330 ± 25) (430 ± 25) |
| Tipo del portador |
n-tipo |
| Dopante |
Nitrógeno |
| Resistencia (RT) |
0,012 – 0,0028 Ω·cm |
| Aspereza superficial |
< 0,5 nanómetros (CMP de la Si-cara Epi-listo); <1 nanómetro (pulimento óptico de la cara de la c) |
| FWHM |
A<30 arco segundo del arco segundo B/C/D <50 |
| Densidad de Micropipe |
A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| Orientación superficial |
|
| En eje |
<0001>± 0.5° |
| De eje |
4°or 8° hacia <11-20>± 0.5° |
| Orientación plana primaria |
± 5° del paralelo {1-100} |
| Longitud plana primaria |
± 16,00 1,70) milímetro |
| Orientación plana secundaria |
Si-cara: el 90° cw. del ± plano 5° de la orientación |
| C-cara: CCW del 90°. del ± plano 5° de la orientación |
| Longitud plana secundaria |
± 8,00 1,70 milímetros |
| Final superficial |
Cara simple o doble pulida |
| Empaquetado |
Sola caja de la oblea o caja multi de la oblea |
| Área usable |
≥ el 90% |
| Exclusión del borde |
1 milímetro |
4H N-TYPE sic, ESPECIFICACIÓN de la OBLEA de 3 ″ (76.2m m)
| PROPIEDAD DEL SUBSTRATO |
S4H-76-N-PWAM-330 S4H-76-N-PWAM-430 |
| Descripción |
Substrato simulado del grado 4H del grado D de la investigación del grado C/D de la producción de A/B sic |
| Polytype |
4H |
| Diámetro |
(76,2 ± 0,38) milímetro |
| Grueso |
(350 ± 25) μm del μm (430 ± 25) |
| Tipo del portador |
n-tipo |
| Dopante |
Nitrógeno |
| Resistencia (RT) |
0,015 – 0.028Ω·cm |
| Aspereza superficial |
< 0,5 nanómetros (CMP de la Si-cara Epi-listo); <1 nanómetro (pulimento óptico de la cara de la c) |
| FWHM |
A<30 arco segundo del arco segundo B/C/D <50 |
| Densidad de Micropipe |
A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| TTV/Bow /Warp |
<25μm |
| Orientación superficial |
| En eje |
<0001>± 0.5° |
| De eje |
4°or 8° hacia <11-20>± 0.5° |
| Orientación plana primaria |
<11-20>±5.0° |
| Longitud plana primaria |
22,22 mm±3.17mm |
| 0,875 ″ del ″ ±0.125 |
| Orientación plana secundaria |
Si-cara: el 90° cw. del ± plano 5° de la orientación |
| C-cara: CCW del 90°. del ± plano 5° de la orientación |
| Longitud plana secundaria |
± 11,00 1,70 milímetros |
| Final superficial |
Cara simple o doble pulida |
| Empaquetado |
Sola caja de la oblea o caja multi de la oblea |
| Rasguño |
Ninguno |
| Área usable |
≥ el 90% |
| Exclusión del borde |
2m m |
4H SEMIAISLANTE sic, ESPECIFICACIÓN de la OBLEA de 3 ″ (76.2m m)
El substrato semiaislante (de la pureza elevada (HPSI) sic está disponible)
| PROPIEDAD DEL SUBSTRATO |
S4H-76-N-PWAM-330 S4H-76-N-PWAM-430 |
| Descripción |
Substrato simulado del grado 4H del grado D de la investigación del grado C/D de la producción de A/B sic |
| Polytype |
4H |
| Diámetro |
(76,2 ± 0,38) milímetro |
| Grueso |
(350 ± 25) μm del μm (430 ± 25) |
| Tipo del portador |
semiaislante |
| Dopante |
V |
| Resistencia (RT) |
>1E5 Ω·cm |
| Aspereza superficial |
< 0,5 nanómetros (CMP de la Si-cara Epi-listo); <1 nanómetro (pulimento óptico de la cara de la c) |
| FWHM |
A<30 arco segundo del arco segundo B/C/D <50 |
| Densidad de Micropipe |
A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| TTV/Bow /Warp |
<25μm |
| Orientación superficial |
| En eje |
<0001>± 0.5° |
| De eje |
4°or 8° hacia <11-20>± 0.5° |
| Orientación plana primaria |
<11-20>±5.0° |
| Longitud plana primaria |
22,22 mm±3.17mm |
| 0,875 ″ del ″ ±0.125 |
| Orientación plana secundaria |
Si-cara: el 90° cw. del ± plano 5° de la orientación |
| C-cara: CCW del 90°. del ± plano 5° de la orientación |
| Longitud plana secundaria |
± 11,00 1,70 milímetros |
| Final superficial |
Cara simple o doble pulida |
| Empaquetado |
Sola caja de la oblea o caja multi de la oblea |
| Rasguño |
Ninguno |
| Área usable |
≥ el 90% |
| Exclusión del borde |
2m m |
4H N-TYPE sic, ESPECIFICACIÓN de la OBLEA de 4 ″ (100m m)
| PROPIEDAD DEL SUBSTRATO |
S4H-100-N-PWAM-330 S4H-100-N-PWAM-430 |
| Descripción |
Substrato simulado del grado 4H del grado D de la investigación del grado C/D de la producción de A/B sic |
| Polytype |
4H |
| Diámetro |
(100,8 ± 0,38) milímetro |
| Grueso |
(350 ± 25) μm del μm (430 ± 25) |
| Tipo del portador |
n-tipo |
| Dopante |
Nitrógeno |
| Resistencia (RT) |
0,015 – 0.028Ω·cm |
| Aspereza superficial |
< 0,5 nanómetros (CMP de la Si-cara Epi-listo); <1 nanómetro (pulimento óptico de la cara de la c) |
| FWHM |
A<30 arco segundo del arco segundo B/C/D <50 |
| Densidad de Micropipe |
A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| TTV/Bow /Warp |
<45μm |
| Orientación superficial |
| En eje |
<0001>± 0.5° |
| De eje |
4°or 8° hacia <11-20>± 0.5° |
| Orientación plana primaria |
<11-20>±5.0° |
| Longitud plana primaria |
32,50 mm±2.00mm |
| Orientación plana secundaria |
Si-cara: el 90° cw. del ± plano 5° de la orientación |
| C-cara: CCW del 90°. del ± plano 5° de la orientación |
| Longitud plana secundaria |
± 18,00 2,00 milímetros |
| Final superficial |
Cara simple o doble pulida |
| Empaquetado |
Sola caja de la oblea o caja multi de la oblea |
| Rasguño |
Ninguno |
| Área usable |
≥ el 90% |
| Exclusión del borde |
2m m |
N-tipo 4H o SIC semiaislante, 5mm*5m m, ESPECIFICACIÓN de la OBLEA de 10mm*10m m: Grueso: los 330μm/430μm
N-tipo 4H o SIC semiaislante, 15mm*15m m, ESPECIFICACIÓN de la OBLEA de 20mm*20m m: Grueso: los 330μm/430μm
del uno-avión oblea sic, tamaño: 40mm*10m m, 30mm*10m m, 20mm*10m m, 10mm*10m m, espec. abajo:
Tipo grueso de 6H/4H N: los 330μm/430μm o aduana
Grueso semiaislante 6H/4H: los 330μm/430μm o aduana
4H sic, SEMIAISLANTE, ESPECIFICACIÓN de la OBLEA de 4 ″ (100m m)
((HPSI) sic el substrato semiaislante de gran pureza está disponible)
| PROPIEDAD DEL SUBSTRATO |
S4H-100-SI-PWAM-350 S4H-100-SI-PWAM-500 |
| Descripción |
Substrato simulado del grado 4H del grado D de la investigación del grado C/D de la producción de A/B sic |
| Polytype |
4H |
| Diámetro |
(100 ± 0,5) milímetro |
| Grueso |
(350 ± 25) μm del μm (500 ± 25) |
| Tipo del portador |
Semiaislante |
| Dopante |
V |
| Resistencia (RT) |
>1E5 Ω·cm |
| Aspereza superficial |
< 0,5 nanómetros (CMP de la Si-cara Epi-listo); <1 nanómetro (pulimento óptico de la cara de la c) |
| FWHM |
A<30 arco segundo del arco segundo B/C/D <50 |
| Densidad de Micropipe |
A≤5cm-2 B≤15cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| TTV/Bow /Warp |
TTV<10μm; TTV< los 25μm; WARP<45μm |
| Orientación superficial |
|
| En eje |
<0001>± 0.5° |
| De eje |
Ninguno |
| Orientación plana primaria |
<11-20>±5.0° |
| Longitud plana primaria |
32,50 mm±2.00mm |
| Orientación plana secundaria |
Si-cara: el 90° cw. del ± plano 5° de la orientación |
| C-cara: CCW del 90°. del ± plano 5° de la orientación |
| Longitud plana secundaria |
± 18,00 2,00 milímetros |
| Final superficial |
Cara doble pulida |
| Empaquetado |
Sola caja de la oblea o caja multi de la oblea |
| Rasguños |
rasguños <8 a 1 diámetro de la oblea de x con longitud acumulativa total |
| Grietas |
Ninguno |
|
| Área usable |
≥ el 90% |
| Exclusión del borde |
2m m |
4H sic, N-TYPE, ESPECIFICACIÓN de la OBLEA de 6 ″ (150m m)
| PROPIEDAD DEL SUBSTRATO |
S4H-150-N-PWAM-350 |
| Descripción |
Grado simulado 2 |
| Polytype |
4H |
| Diámetro |
(150 ± 0,2) milímetro |
| Grueso |
(350 ± 25) μm |
| Tipo del portador |
n-tipo |
| Dopante |
Nitrógeno |
| Resistencia (RT) |
0,015 – 0.028Ω·cm |
| Aspereza superficial |
< 0,5 nanómetros (CMP de la Si-cara Epi-listo); <1 nanómetro (pulimento óptico de la cara de la c) |
| Densidad de Micropipe |
N/A |
| TTV |
≤30μm |
| Arco |
≤120μm |
| Deformación |
≤150μm |
|
| Orientación superficial |
|
| De eje |
4° hacia <11-20>± 0.5° |
| Orientación plana primaria |
<10-10>±5.0° |
| Longitud plana primaria |
47,50 mm±2.50mm |
| Final superficial |
Cara doble pulida |
| Exclusión del borde |
3m m |
| Empaquetado |
Sola caja de la oblea o caja multi de la oblea |
Vea por favor el sub-catálogo abajo:
tipo de 6H n sic
tipo de 4H N sic
4H semiaislante sic
Sic lingotes
Obleas traslapadas
Oblea de pulido
