substratos libres de 2inch N-GaN GaN
PAM-XIAMEN ha establecido la tecnología de fabricación para (nitruro del galio) la oblea libre del substrato de GaN que está para UHB-LED y el LD. Crecido por la tecnología de (HVPE) de la epitaxia de la fase de vapor del hidruro, nuestro substrato de GaN tiene densidad baja del defecto y menos o densidad macra libre del defecto.
PAM-XIAMEN ofrece la gama completa de GaN y los materiales relacionados de III-N incluyendo los substratos de GaN de diversas orientaciones y conductividad eléctrica, las plantillas del crystallineGaN&AlN, y los epiwafers de encargo de III-N.
Aquí muestra la especificación de detalle:
substratos libres de 2inch N-GaN GaN
| Artículo | PAM-FS-GaN-50-N |
| Dimensión | 50,8 ±1 milímetro |
| Grueso | 350 ±25 μm los 430±25μm |
| Orientación | Avión de C (0001) del ángulo hacia M-AXIS 0,35 ±0.15° |
| Orientación plana | (1-100) 0 ±0.5°, 16 ±1 milímetro |
| Orientación secundaria plana | (11-20) 0 ±3°, 8 ±1 milímetro |
| Tipo de la conducción | N-tipo |
| Resistencia (300K) | >106 Ω·cm |
| TTV | < 0,05 Ω·cm |
| ARCO | -20 μm del ≤ 20 del ARCO del ≤ del μm |
| Aspereza superficial: | Parte delantera: Ra<0.2nm, epi-listo; Lado trasero: Tierra fina o pulido. |
| Densidad de dislocación | A partir de la 1 de x 105 a 5 de x 10 6 cm -2 (calculado por el CL) * |
| Densidad macra del defecto | < 2 cm-2 |
| Área usable | > el 90% (exclusión de los defectos del borde y de la macro) |
| Paquete | cada uno en solo envase de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno, llena en sitio limpio de la clase 100 |
substratos libres de 2inch N-GaN GaN
La demanda creciente para las capacidades de alta velocidad, das alta temperatura y altas del manejo de la potencia ha hecho que la industria del semiconductor repiensa la opción de los materiales usados como semiconductores. Por ejemplo, como se presentan los diversos dispositivos computacionales más rápidos y más pequeños, el uso del silicio está haciendo difícil sostener la ley de Moore. Pero también en electrónica de poder, las propiedades del silicio son no más suficientes permitir otras mejoras en eficacia de conversión.
Debido a su voltaje de avería único de las características (alto actual máximo, alto, y alta frecuencia que cambia), nitruro del galio (o GaN) es el material único de la opción para solucionar los problemas de energía del futuro. GaN basó sistemas tiene eficacia de mayor potencia, los apagones así de reducción, cambian en una frecuencia más alta, así reduciendo tamaño y el peso.
INFORME de la material-PRUEBA de Transmitance-GaN
Un informe de prueba es necesario mostrar la conformidad entre la descripción de encargo y nuestros datos finales de las obleas. Probaremos el characerization de la oblea por el equipo antes del envío, probando la aspereza superficial por el microscopio atómico de la fuerza, el tipo por el instrumento romano de los espectros, la resistencia por el equipo de prueba sin contacto de resistencia, la densidad del micropipe por el microscopio de polarización, la orientación por la radiografía Orientator etc. si las obleas cumplen el requisito, nosotros limpiaremos y embalarlos en sitio limpio de 100 clases, si las obleas no hacen juego espec. de la aduana, la quitaremos.
La transmitencia de la superficie de la oblea es la eficacia de su transmisión de la energía radiativa. Comparado con el coeficiente de transmisión, es la fracción del poder electromágnetico del incidente transmitido a través de la muestra, y el coeficiente de transmisión es el ratio del campo eléctrico transmitido al campo eléctrico del incidente.
Transmitance del material de GaN
